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磁控溅射制备Cu_(2)ZnSnS_(4)薄膜太阳电池 被引量:3

Preparation of Cu_(2)ZnSnS_(4)Thin Films Solar Cells Based on Magnetron Sputtering
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摘要 为解决硫化过程中Sn元素损失的问题以及减少MoS;的厚度,采用磁控溅射技术,在基于钼的钠钙玻璃衬底上采用双周期溅射的方法,以ZnO/SnO_(2)/Cu的顺序制备了含氧的Cu-Zn-Sn预制层。结果表明:SnO_(2)以及ZnO的使用很好的抑制了Sn元素的损失以及MoS_(2)层的形成,而且在590℃的硫化温度下能制备出表面平整、晶粒致密、晶体结构较好的单相Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)吸收层薄膜。最后,制备出结构完整的CZTS薄膜太阳电池,在590℃硫化制备的CZTS薄膜太阳电池效率最高,其开路电压为590 mV,短路电流密度为22.09 mA/cm^(2),填充因子为39.28%,光电转换效率达到5.12%,为今后制备高效CZTS薄膜太阳电池起到了推动作用。 In order to solve a problem of Sn-loss and reduce the thickness of MoS;during the sulfurization process,the oxygen containing Cu-Zn-Sn precursor thin films were prepared on Mo-coated soda lime glasses via magnetron sputtering ZnO/SnO_(2)/Cu.The results show that the Sn-loss and the formation of MoS_(2)are well inhibited by the utilization of SnO_(2)and ZnO.The single-phase CZTS absorbed thin films with the smooth surface,dense grains and good crystal structure can be prepared at 590℃.Also,the CZTS solar cells from oxygen containing precursors annealed at 590℃have an optimum power conversion efficiency(PCE)of5.12%with an open circuit voltage of 590 mV,a short circuit current density of 22.09 mA/cm^(2)and a fill factor of 39.28%.
作者 李新毓 张道永 李祥 李秋莲 刘信 王书荣 LI Xinyu;ZHANG Daoyong;LI Xiang;LI Qiulian;LIU Xin;WANG Shurong(Key Laboratory of Rural Energy Engineering in Yunnan Province,Yunnan Normal University,Kunming 650500,China)
机构地区 云南师范大学
出处 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期1257-1262,共6页 Journal of The Chinese Ceramic Society
基金 国家自然科学基金(61941401)资助项目。
关键词 铜锌锡硫 薄膜太阳电池 磁控溅射 二氧化锡靶 硫化工艺 copper-zinc-tin-sulfur thin-film solar cells magnetron sputtering SnO_(2)target sulfurization process
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参考文献1

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