摘要
本文采用电感耦合等离子体发射光谱对硅单晶材料中6种金属杂质的分析进行了研究。研究了基体硅对分析元素的干扰影响及校正。采用压力溶样器制各样品,并在低温进行杂质富集,采用ICP-AEC对杂质进行了分析,回收率在90％～105％之间。
A method for determination of 6 kinds of metal impurities in silicon single crystal by ICP-AES is developed . About 2000μg/mL silicon would have background effect on analyzed elements and this effect should be deducted by background correction.
出处
《现代仪器》
2000年第6期25-26,共2页
Modern Instruments
