摘要
本文采用电感耦合等离子体发射光谱对半导体硅原材料及辅助材料中的杂质分析进行了研究。着重研究了提升量对信背比的影响和残留硅对杂质元素的干扰影响，最后采用ＩＣＰ－ＡＥＳ对化学法提纯前的原料（石英砂）、拉制单晶用的辅助材料（硅粉）和拉制单晶过程中采用的石英坩埚中的杂质含量进行了分析。
A method for the determination of impurities in original materials of semiconductive silicon by ICP-AES was studied. Due to its fast analysis speed, this method could meet the requirements and provide analytical result in a shorter time.
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第2期45-48,56,共5页
Spectroscopy and Spectral Analysis
