Mn掺杂BST薄膜的制备与表征 被引量：15

1

作者 鲍军波 任天令 +3 位作者 刘建设 刘理天 李志坚 李兴教 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期389-391,403,共4页

采用醋酸水溶液体系溶胶 -凝胶法制备了未掺杂和掺 Mn( )钛酸锶钡 (BST)薄膜。用这种方法 ,可在BST体系中容易地加入任何浓度的金属离子 ,并可在室温下长期保存。根据 X-射线衍射图 (XRD)和表面形貌 ,薄膜的晶化温度取为 6 5 0～ 75 0&#... 采用醋酸水溶液体系溶胶 -凝胶法制备了未掺杂和掺 Mn( )钛酸锶钡 (BST)薄膜。用这种方法 ,可在BST体系中容易地加入任何浓度的金属离子 ,并可在室温下长期保存。根据 X-射线衍射图 (XRD)和表面形貌 ,薄膜的晶化温度取为 6 5 0～ 75 0°C。根据掺 Mn BST的 Mn2 p3/2 X-射线光电子能谱 (XPS)图中 Mn2 p3/2 的峰位置 ,显示出薄膜中 Mn的价态与加入的 Mn( )离子价态相同。根据结合能的峰移 ,可以得到掺 Mn BST的费密能级降低0 .7e V。 I- V特性和介电特性测试表明 ,掺 Mn( ) BST的漏电流明显降低 ,相对的介电常数增加 ,损耗角正切降低0 .0 1。根据漏电性质、介电常数和损耗的关系 ,2 % (摩尔分数 )的 Mn掺杂的 BST薄膜适合于低频小信号 (2 V以下 ,约 5 0 0 k Hz)应用 ,而高浓度的 Mn掺杂适合于大信号较高频率 (1MHz以上 )应用。 展开更多

关键词 MN掺杂 bst薄膜 溶胶-凝胶法 X-射线光电子能谱 I-V特征 介电性质

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Sol-Gel制备Ba_(1-x)Sr_xTiO_3系铁电薄膜的介电、调谐性能 被引量：14

2

作者 丁文 丁永平 孟中岩 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期388-390,共3页

用sol gel工艺制备Ba1-xSrxTiO3系铁电薄膜 ( 1-x= 0 .3,0 .5～ 0 .9)。实验证实 ,在制备溶胶过程中 ,提高加热温度能有效增加BST薄膜的介电调谐百分率。室温下 ,10 0kHz ,各组分薄膜的介电常数 (ε)和介电调谐百分率 (Tunability % )... 用sol gel工艺制备Ba1-xSrxTiO3系铁电薄膜 ( 1-x= 0 .3,0 .5～ 0 .9)。实验证实 ,在制备溶胶过程中 ,提高加热温度能有效增加BST薄膜的介电调谐百分率。室温下 ,10 0kHz ,各组分薄膜的介电常数 (ε)和介电调谐百分率 (Tunability % )均呈现较高的值。其中 ,Ba0 .8Sr0 .2 TiO3的介电常数和调谐百分率达到最大分别为 :678和 39% ,比国际上同类文献报道的数据高。BST的ε E曲线呈良好的单值函数关系。介电温谱出现明显宽化 ,调谐曲线峰值点对应的温度较居里温度低 2 0～30℃ ,本文并对上述现象作出解释。 展开更多

关键词 调谐特性 溶胶-凝胶工艺 铁电薄膜 钛酸锶钡陶瓷 介电常数

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钛酸锶钡薄膜的制备及其光学特性研究 被引量：5

3

作者 张柏顺 章天金 +1 位作者 江娟 刘江华 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1-3,共3页

用溶胶–凝胶法在石英和Al2O3单晶衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜,应用XRD与SEM表征了BST薄膜的晶化行为和表面形貌.在700℃退火1 h的薄膜,其表面光滑、晶粒大小分布均匀、无裂缝、无针孔.应用双光束光度计,在200~1000 nm的波长范围测... 用溶胶–凝胶法在石英和Al2O3单晶衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜,应用XRD与SEM表征了BST薄膜的晶化行为和表面形貌.在700℃退火1 h的薄膜,其表面光滑、晶粒大小分布均匀、无裂缝、无针孔.应用双光束光度计,在200~1000 nm的波长范围测量了薄膜的透射光谱,并根据'包络法'理论计算薄膜的折射指数.结果表明,当波长从近红外范围(1 000 nm)降低到可见光范围(430 nm)时,薄膜的折射率从2.16增加至2.35,当波长降低到紫外范围时,薄膜的折射率迅速增加,在365 nm处n =2.67.实验还发现沉积在Al2O3衬底上的BST的能隙约为3.48 eV. 展开更多

关键词 无机非金属材料 bst薄膜 溶胶-凝胶法 微观结构 光学特性

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Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜的制备及特性研究 被引量：9

4

作者 王培英 王欣宇 +2 位作者 刘梅冬 饶韫华 曾亦可 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期536-538,共3页

用溶胶-凝胶方法制备Ba1-xSrxTiO3（BST）薄膜材料，研究薄膜的结构和电性能。用XDR及SEM分析了沉积在硅片上的BST薄膜的结构，测试了在空温下BST薄膜的电滞回线及介电特性。

关键词 溶胶-凝胶 bst薄膜 介电特性 铁电体

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退火工艺对钛酸锶钡薄膜结构的影响 被引量：9

5

作者 赵莉 杨传仁 +4 位作者 冷文建 陈宏伟 符春林 廖家轩 高志强 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期17-19,共3页

采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜,在500～750℃之间对薄膜快速退火.XRD分析表明:500℃时BST薄膜开始晶化为ABO3型钙钛矿结构,温度越高结晶越完整,晶粒越大.理论计算表明,薄膜在低温退火后... 采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜,在500～750℃之间对薄膜快速退火.XRD分析表明:500℃时BST薄膜开始晶化为ABO3型钙钛矿结构,温度越高结晶越完整,晶粒越大.理论计算表明,薄膜在低温退火后无择优取向,高温退火后在(111)、(210)晶面有择优取向.退火气氛、保温时间、循环次数等因素对薄膜晶粒大小无明显影响,但对表面粗糙度和结晶程度影响较大. 展开更多

关键词 无机陶瓷材料 bst薄膜 退火 择优取向 RMS XRD AFM

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Ni掺杂对钛酸锶钡铁电薄膜性能的影响 被引量：5

6

作者 张训栋 杨晓静 +1 位作者 姚熹 张良莹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期401-403,共3页

在醋酸水溶液体系中采用溶胶-凝胶法在P t/T i/S iO2/S i(100)衬底上制备了未掺杂和掺N i的钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了N i的加入对BST薄膜的结构和电学性能的影响。试验结果表明,随着N i加入量的增加,BST薄膜的晶粒尺寸减小,介电常数减小... 在醋酸水溶液体系中采用溶胶-凝胶法在P t/T i/S iO2/S i(100)衬底上制备了未掺杂和掺N i的钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了N i的加入对BST薄膜的结构和电学性能的影响。试验结果表明,随着N i加入量的增加,BST薄膜的晶粒尺寸减小,介电常数减小,介电损耗降低;当N i的加入量在10%(摩尔分数)时,薄膜的介电常数、介电损耗、可调性和FOM分别为230.25、0.015、30.8%、20.53。研究结果表明,适量掺N i的钛酸锶钡薄膜能满足可调微波器件的要求。 展开更多

关键词 bst薄膜 Ni掺杂 溶腌-凝胶法 介电件质 可调件

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BST薄膜的研究现状与发展趋势 被引量：4

7

作者 张柏顺 章天金 +1 位作者 刘江华 江娟 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第7期39-42,共4页

综述了(Ba_(1-x)Sr_x)TiO_3(BST)薄膜材料的研究现状,包括薄膜的制备技术、电极材料的选择、组分与掺杂对电学及介电性能的影响,分析了与薄膜相关的缺陷和可靠性现象,并对未来可能的进展作了简单的描述。

关键词 bst薄膜 介电性能 可靠性 电极材料 半导体微电子器件

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BST薄膜的膜厚与铁电性能关系研究 被引量：6

8

作者 陈宏伟 杨传仁 +2 位作者 符春林 高志强 赵莉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期15-17,共3页

采用射频磁控溅射法制备了Ba.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了不同膜厚的BST薄膜的介电偏压特性曲线和电滞回线。结果表明,当膜厚从250nm增加到650nm时,BST薄膜的εr、εr的电压变化率和最大极化强度分别从195,9%,4.7×10–6C/cm2逐渐... 采用射频磁控溅射法制备了Ba.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了不同膜厚的BST薄膜的介电偏压特性曲线和电滞回线。结果表明,当膜厚从250nm增加到650nm时,BST薄膜的εr、εr的电压变化率和最大极化强度分别从195,9%,4.7×10–6C/cm2逐渐增加到1543,19%,30×10–6C/cm2,而矫顽场强随膜厚的变化较复杂。进一步分析发现,膜厚通过影响矫顽场强和最大极化强度进而影响铁电薄膜的电压非线性。 展开更多

关键词 无机非金属材料 bst薄膜 膜厚 铁电性能

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Mn-Mg共掺杂对钛酸锶钡薄膜介电性能的影响 被引量：7

9

作者 周歧刚 翟继卫 姚熹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期519-523,共5页

用溶胶-凝胶法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了系列Mn-Mg共掺杂的钛酸锶钡(Ba0.25Sr0．75TiO3)薄膜．X射线衍射以及场发射扫描电镜分析表明:薄膜为钙钛矿结构且无杂相生成,薄膜表面晶粒均匀、无裂纹．测试了不同浓度掺杂薄膜的介电性能... 用溶胶-凝胶法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了系列Mn-Mg共掺杂的钛酸锶钡(Ba0.25Sr0．75TiO3)薄膜．X射线衍射以及场发射扫描电镜分析表明:薄膜为钙钛矿结构且无杂相生成,薄膜表面晶粒均匀、无裂纹．测试了不同浓度掺杂薄膜的介电性能,掺杂浓度为1mol％时,薄膜的介电常数、损耗、可调性和漏电流密度分别为200、0．010、38％、1×10-5A／cm2．性能改善后的薄膜材料可以用来制作微波可调器件． 展开更多

关键词 bst薄膜 Mn—Mg共掺杂 溶胶-凝胶方法 介电性能

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Zn-Al涂层腐蚀电化学行为研究 被引量：7

10

作者 刘毅 魏世丞 +1 位作者 王玉江 徐滨士 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第B04期226-229,共4页

通过电化学交流阻抗谱(EIS)研究了Zn-Al涂层在铜加速醋酸盐雾试验中的腐蚀行为,建立了等效电路模型并分析了相关电化学参数随时间的变化规律。采用扫描电镜及能谱仪分析了涂层腐蚀后的形貌及成分组成,阐释了电化学参数的演变规律。结果... 通过电化学交流阻抗谱(EIS)研究了Zn-Al涂层在铜加速醋酸盐雾试验中的腐蚀行为,建立了等效电路模型并分析了相关电化学参数随时间的变化规律。采用扫描电镜及能谱仪分析了涂层腐蚀后的形貌及成分组成,阐释了电化学参数的演变规律。结果表明,盐雾试验中Zn-Al涂层的腐蚀由电化学反应控制逐渐转变为扩散控制,最后进入基体腐蚀阶段。 展开更多

关键词 Zn-Al涂层 腐蚀 电化学交流阻抗

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Ba_(1—x)Sr_xTiO_3铁电薄膜的热演化特征与微结构 被引量：4

11

作者 丁永平 金承钰 孟中岩 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期637-640,共4页

用醋酸锶（Sr（Ac）2）、醋酸钡（Ba（Ac）2）和钛酸四丁酯（TBT）为原材料，采用sol－gel工艺制备Ba1－xSrxTiO3系铁电薄膜研究了螯合剂乙酸丙酮（HAcAc）的添加对金属有机前驱体的热演化特性及薄膜微结构的影响提出控制薄膜微结构的... 用醋酸锶（Sr（Ac）2）、醋酸钡（Ba（Ac）2）和钛酸四丁酯（TBT）为原材料，采用sol－gel工艺制备Ba1－xSrxTiO3系铁电薄膜研究了螯合剂乙酸丙酮（HAcAc）的添加对金属有机前驱体的热演化特性及薄膜微结构的影响提出控制薄膜微结构的有效途径。 展开更多

关键词 SOL-GEL 存储器材料 铁电薄膜 钛酸锶钡

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Co掺杂对BST薄膜介电性能的影响 被引量：3

12

作者 高丽娜 杨晓静 +1 位作者 张良莹 姚熹 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期49-51,共3页

用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了掺Co的钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了Co的掺杂量x(Co)对BST薄膜的晶相结构和电学性能的影响。结果表明:随着x(Co)的增加,BST薄膜的介电常数εr,介质损耗tgδ和漏电流密度JL均降低;当x(Co)为5%时... 用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了掺Co的钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了Co的掺杂量x(Co)对BST薄膜的晶相结构和电学性能的影响。结果表明:随着x(Co)的增加,BST薄膜的介电常数εr,介质损耗tgδ和漏电流密度JL均降低;当x(Co)为5%时,BST薄膜的εr、tgδ、JL、可调性和品质因子分别为:228.3、0.013、3.69×10–7 A/cm2、15.4%、12.03。 展开更多

关键词 无机非金属材料 bst薄膜 CO掺杂 SOL-GEL法 介电性质 可调性

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BST薄膜的微结构研究 被引量：4

13

作者 陈宏伟 杨传仁 +2 位作者 符春林 赵莉 高志强 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期29-31,共3页

采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜.利用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)分别研究了BST薄膜的成分、晶体结构.用优化的成膜工艺制备出成分与靶材基本一致,具有钙钛矿结构的BST多晶薄膜.利用扫描力... 采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜.利用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)分别研究了BST薄膜的成分、晶体结构.用优化的成膜工艺制备出成分与靶材基本一致,具有钙钛矿结构的BST多晶薄膜.利用扫描力显微镜中的压电模式(PFM)观察到了BST薄膜中的a畴和c畴,初步确定在BST薄膜中多畴转变为单畴的临界尺寸为28～33 nm. 展开更多

关键词 无机非金属材料 钛酸锶钡薄膜 射频磁控溅射 微结构 电畴 bst薄膜

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BST薄膜电容器的制备及其调谐性能研究 被引量：4

14

作者 刘玉荣 李观启 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期161-163,共3页

利用氩离子束溅射技术在SiO2/Si衬底上淀积Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,该薄膜在氧气气氛中500℃退火处理30 min,然后利用集成电路平面工艺将薄膜制作成叉指结构电容器。X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分析表明,BST薄膜具有钙钛矿结构,... 利用氩离子束溅射技术在SiO2/Si衬底上淀积Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,该薄膜在氧气气氛中500℃退火处理30 min,然后利用集成电路平面工艺将薄膜制作成叉指结构电容器。X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分析表明,BST薄膜具有钙钛矿结构,薄膜表面光滑,晶粒致密且分布均匀。调谐性能测试结果表明,该电容器具有较高的电容调谐率,在室温100 kHz频率下,对于2 V的直流偏压,其调谐率和损耗因子分别为62%和0.02。这说明具有此结构的BST薄膜电容器可望应用于微波集成电路。 展开更多

关键词 bst薄膜 薄膜电容器 调谐特性 退火处理

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电极材料对BST薄膜介电性能的影响 被引量：2

15

作者 张柏顺 章天金 +1 位作者 江娟 刘江华 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第3期219-223,共5页

BST薄膜是微电子器件领域很有吸引力的介质材料.就BST薄膜研究中电极材料选择这一焦点问题进行综述,包括电极材料的种类,电极对薄膜微观结构、介电参数及稳定性等方面的影响,分析与电极相关的薄膜缺陷和可靠性现象,并对未来的发展作简... BST薄膜是微电子器件领域很有吸引力的介质材料.就BST薄膜研究中电极材料选择这一焦点问题进行综述,包括电极材料的种类,电极对薄膜微观结构、介电参数及稳定性等方面的影响,分析与电极相关的薄膜缺陷和可靠性现象,并对未来的发展作简要的描述. 展开更多

关键词 bst薄膜 介电性能 电极材料 薄膜微观结构 介电参数 稳定性 氧空位 可靠性

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非晶Ti-Al过渡层对Pt/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Pt电容器结构和性能的影响 被引量：4

16

作者 赵冬月 刘保亭 +4 位作者 郭哲 李曼 陈剑辉 代鹏超 韦梦祎 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期161-165,共5页

应用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(001)衬底上制备5 nm厚超薄非晶Ti-Al薄膜作为过渡层,利用脉冲激光沉积法制备Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜,构造了Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt(Pt/BST/Pt)和Pt/Ti-Al/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ti-Al/Pt(Pt/Ti-Al/BST/Ti-Al/Pt)结... 应用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(001)衬底上制备5 nm厚超薄非晶Ti-Al薄膜作为过渡层,利用脉冲激光沉积法制备Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜,构造了Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt(Pt/BST/Pt)和Pt/Ti-Al/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ti-Al/Pt(Pt/Ti-Al/BST/Ti-Al/Pt)结构的电容器,研究了Ti-Al过渡层对Pt/BST/Pt电容器结构及其性能的影响。实验表明,过渡层的引入有效地阻止了Pt电极和BST薄膜的互扩散,降低了BST薄膜氧空位的浓度,提高了铁电电容器的介电性能。当测试频率为1 kHz、直流偏压为0 V时,介电常数由引入过渡层前的530增大到引入后的601,介电损耗则由0.09减小到0.03。而且过渡层的引入有效地降低了BST薄膜的漏电流,使正负向漏电流趋于对称,在测试电压为5 V时,漏电流密度由3.8×10-5A/cm2减小到8.25×10-6A/cm2。 展开更多

关键词 bst薄膜 非晶Ti-Al薄膜 过渡层 脉冲激光沉积

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Ba_xSr_(1-x)TiO_3铁电薄膜电极材料的研究进展 被引量：3

17

作者 辛立强 付兴华 陶文宏 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期542-545,共4页

BST铁电薄膜具有优异的介电性能,电极材料特别是底电极材料,影响并决定BST薄膜的电学及介电行为,选择合适的电极材料对BST薄膜的性能至关重要,本文综述了电极材料对BST薄膜结构和介电性能的影响以及此方面的最新研究成果。

关键词 bst薄膜 电极材料 钙钛矿氧化物 介电性能 漏电流

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快速退火对Pt/BST/Pt电容器结构和性能的影响 被引量：1

18

作者 王玉强 刘保亭 +3 位作者 孙杰 郭哲 范志东 彭英才 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期39-42,共4页

采用脉冲激光沉积(PLD)法在Pt/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,对Pt/BST/Pt电容器在空气中进行400℃快速退火(RTA)处理,研究了快速退火对Pt/BST/Pt电容器的结构和性能的影响。结果表明:快速退火虽然对BST薄膜的结... 采用脉冲激光沉积(PLD)法在Pt/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,对Pt/BST/Pt电容器在空气中进行400℃快速退火(RTA)处理,研究了快速退火对Pt/BST/Pt电容器的结构和性能的影响。结果表明:快速退火虽然对BST薄膜的结晶质量影响较小,但却极大改善了Pt/BST/Pt电容器的电学性能。当测试频率为100kHz、直流偏压为0V时,介电损耗从快速退火前的0.07减小到0.03,介电常数和调谐率略有增加。快速退火后负向漏电流过大现象得到了明显抑制,正负向漏电流趋于对称,在300×103V/cm电场强度下,漏电流密度为4.83×10–5A/cm2。 展开更多

关键词 bst薄膜 快速退火 Pt/bst界面层 氧空位 脉冲激光沉积

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杂质分布设计对钛酸锶钡薄膜结构和性能的影响 被引量：3

19

作者 周歧刚 翟继卫 姚熹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期6666-6673,共8页

用溶胶-凝胶方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Na+的不同浓度均匀掺杂和成分梯度掺杂(上梯度)钛酸锶钡(Ba0.25Sr0.75TiO3)薄膜.电性能测试表明随着均匀掺杂浓度的增加,薄膜介电常数和损耗都减小,而漏电流先减小(掺杂浓度小于2.5mol%时)... 用溶胶-凝胶方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Na+的不同浓度均匀掺杂和成分梯度掺杂(上梯度)钛酸锶钡(Ba0.25Sr0.75TiO3)薄膜.电性能测试表明随着均匀掺杂浓度的增加,薄膜介电常数和损耗都减小,而漏电流先减小(掺杂浓度小于2.5mol%时)后又逐渐增加.场发射扫描电镜分析表明,均匀掺杂浓度增加到2.5mol%后薄膜表面呈疏松多孔状结构,这可能是导致漏电流又逐渐增大的原因.Na+的上梯度掺杂避免了掺杂浓度增加到2.5mol%后薄膜生长过程中出现的孔洞现象,于是薄膜的综合电性能得到了进一步提高.深入、系统地分析了杂质不同分布方式对薄膜结构和性能有不同影响的原因. 展开更多

关键词 钛酸锶钡薄膜 掺杂 溶胶-凝胶方法 介电性能

原文传递

Y^(3+)掺杂BST/ZrO_2复合薄膜的制备及介电性能研究

20

作者 姜楠 刘军 +4 位作者 洪玮 张娟 吴伟骏 林鹏飞 骆英 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期1963-1969,共7页

运用溶胶-凝胶法在Si/SiO_2/Ti/Pt基底上制备了掺杂不同量的Y^(3+)的单层Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3(BST)薄膜和并联结构的BST/ZrO_2复合薄膜。研究发现:当BST溶胶中掺入了适量的Y^(3+)后,制备的单层BST的表面形貌得到改善,介电性能提高;... 运用溶胶-凝胶法在Si/SiO_2/Ti/Pt基底上制备了掺杂不同量的Y^(3+)的单层Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3(BST)薄膜和并联结构的BST/ZrO_2复合薄膜。研究发现:当BST溶胶中掺入了适量的Y^(3+)后,制备的单层BST的表面形貌得到改善,介电性能提高;掺杂的Y^(3+)为1mol%时单层BST薄膜介电性能最佳,介电常数为400.53;介电损耗为0.0125。BST/ZrO_2复合薄膜的电容值相对于单层BST薄膜得到明显提高,当烧结温度为750℃时,BST/ZrO_2复合薄膜综合介电性能最佳,介电常数790.12;介电损耗达到0.051。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 bst薄膜 bst/ZrO2复合薄膜 介电性能

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