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气相扩镓的化学系统及工艺特征
1
作者 刘秀喜 申良风 《山东师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1994年第3期108-110,120,共4页
阐述了气相扩镓的化学系统和工艺特征，分析了扩镓表面波度与镓杂质蒸气压的关系．在确定的开管装置中，以氢气作为固态Ｇａ＿２Ｏ＿３源的反应和输运气体，凭借准确控制扩散条件，获得了良好的扩散均匀性、重复性和一致性．
关键词 气相 镓 扩散 化学反应系统
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300mm立式炉温度控制系统研制 被引量：1
2
作者 徐冬 程朝阳 +1 位作者 陈亚 张海轮 《电子工业专用设备》 2010年第4期24-28,共5页
针对300mm立式炉设备,设计、实现了一套温度控制硬件系统。硬件系统由信号采集模块、PLC模块、工控机、控制信号输出模块等组成。同时,根据工艺特性,设计了一套完整的温度控制软件系统,实现了热偶信号的采集补偿、自动温区分布、PID参... 针对300mm立式炉设备,设计、实现了一套温度控制硬件系统。硬件系统由信号采集模块、PLC模块、工控机、控制信号输出模块等组成。同时,根据工艺特性,设计了一套完整的温度控制软件系统,实现了热偶信号的采集补偿、自动温区分布、PID参数自整定、轨迹规划、斜变升温、工艺恒温等一系列系统功能。温度控制及工艺实验结果表明,该温度控制系统在可靠性、稳定性、精度等方面能够满足氧化工艺的需求,现已成功应用于300mm立式氧化炉设备。 展开更多
关键词 立式炉 温度控制 PID参数自整定 工艺实验
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快速热退火铝合金降低硅p^+-n结的漏电流 被引量：4
3
作者 郭慧 邬建根 +4 位作者 沈孝良 屈逢源 金辅政 张建平 朱景兵 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期369-373,共5页
快速热退火铝合金工艺可以明显改善硼扩硅P^+-n结的漏电流.X射线衍射实验表明,铝原子补偿了硼原子在硅片中造成的应变,改善了晶体的完整性.
关键词 热退火 铝合金 P-N结 漏电流 硅
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Zn扩散工艺在降低VCSELp型DBR串联电阻中的应用 被引量：2
4
作者 高洪海 高俊华 +3 位作者 林世鸣 康学军 王红杰 王立轩 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期243-247,共5页
垂直腔面发射激光器Ｐ型λ／４分布布喇格反射镜由于在ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ材料λ／４堆积层界面处存在大的势垒差，使得ｐ型ＤＢＲ串联电阻很大。文章报道一种利用Ｚｎ扩散工艺，使ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ... 垂直腔面发射激光器Ｐ型λ／４分布布喇格反射镜由于在ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ材料λ／４堆积层界面处存在大的势垒差，使得ｐ型ＤＢＲ串联电阻很大。文章报道一种利用Ｚｎ扩散工艺，使ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓλ／４堆积层Ａｌ，Ｇａ互扩散，形成ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ混熔层或在界面处形成Ａｌ，Ｇａ组分渐变的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ缓变层，从而降低ｐ型ＤＢＲ串联电阻的方法。利用这种方法。 展开更多
关键词 半导体器件 激光器 扩散
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减压扩散高阻密栅技术应用研究 被引量：2
5
作者 汪已琳 任哲 +1 位作者 赵志然 张威 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期2659-2662,共4页
本文对减压扩散机理及高阻密栅技术作了详细的分析,并就设备及工艺方面的关键技术进行了阐述,最后对减压扩散高方阻工艺及密栅匹配技术电池效率进行了对比分析,有以下结论:(1)减压扩散在工艺优化后,方阻均匀性得到大幅改善,达到3%以内。... 本文对减压扩散机理及高阻密栅技术作了详细的分析,并就设备及工艺方面的关键技术进行了阐述,最后对减压扩散高方阻工艺及密栅匹配技术电池效率进行了对比分析,有以下结论:(1)减压扩散在工艺优化后,方阻均匀性得到大幅改善,达到3%以内。(2)减压扩散电池效率完全可达到常规产线的水平,且在高阻密栅方面更有优势,可有效提升太阳电池效率。 展开更多
关键词 减压扩散 高方阻 密栅技术
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镓扩散工艺 被引量：1
6
作者 李寿林 《红讯半导体》 1990年第1期17-24,共8页
关键词 镓 扩散 半导体器件 工艺
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全离子注入多晶硅自对准超高速双极LSL工艺研究
7
作者 陈明琪 吴佛春 《上海半导体》 1989年第1期1-5,共5页
关键词 超高速 LSL工艺 双极型 多晶硅
全文增补中
低压扩散机理及其对扩散方阻均匀性的影响研究 被引量：1
8
作者 张宝锋 陈晖 《电子工业专用设备》 2016年第7期10-14,共5页
传统的太阳能电池扩散工艺采用常压扩散,随着高效晶硅电池的发展,扩散结深的不断变浅,常压扩散已难以满足晶体硅太阳能电池高效、低成本发展的技术要求。低压扩散通过在反应管内提供低压工艺环境,提升扩散制结的性能。通过对低压扩散机... 传统的太阳能电池扩散工艺采用常压扩散,随着高效晶硅电池的发展,扩散结深的不断变浅,常压扩散已难以满足晶体硅太阳能电池高效、低成本发展的技术要求。低压扩散通过在反应管内提供低压工艺环境,提升扩散制结的性能。通过对低压扩散机理的详细分析,从扩散分子自由程、掺杂原子分压比和气场均匀性等方面详细分析了低压扩散对高方阻均匀性的影响关系。采用新型低压扩散炉进行工艺实验测试,结果表明,低压扩散在可达到扩散方阻目标值110Ω时获得更好的均匀性,载片量较常压扩散大幅度提升,具有无可比拟的生产优势,是未来扩散技术的主要发展方向。 展开更多
关键词 低压扩散 高方阻 均匀性
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P型衬底扩散工艺的新技术
9
作者 毛飞宁 《红讯半导体》 1989年第3期 13-17,共5页
关键词 P型 衬底 扩散 工艺 半导体器件
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化学机械抛光后板刷擦洗清洗(英文) 被引量：1
10
作者 赵岳星 《电子工业专用设备》 2004年第2期66-69,86,共5页
板刷擦洗是一种在化学机械抛光后清洗中常用的方法。它可以非常有效地把研磨剂颗粒从已抛光的晶圆表面去除掉。在氧化硅化学机械抛光的清洗工艺中,去离子水(或者稀释的氢氧化氨)是刷洗过程中常用的化学品起到的作用及刷洗的机械力对去... 板刷擦洗是一种在化学机械抛光后清洗中常用的方法。它可以非常有效地把研磨剂颗粒从已抛光的晶圆表面去除掉。在氧化硅化学机械抛光的清洗工艺中,去离子水(或者稀释的氢氧化氨)是刷洗过程中常用的化学品起到的作用及刷洗的机械力对去除氧化硅研磨剂颗粒时所起的作用。 展开更多
关键词 化学机械抛光 板刷擦洗 晶圆表面
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90nm技术中接触层Cu扩散缺陷分析与解决方案
11
作者 阎海滨 程秀兰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期866-868,共3页
在90 nm工艺时代,接触孔工艺问题对于提升90 nm产品的成品率具有重要意义。基于在90 nm工艺中接触孔四周存在的较为严重的Cu扩散问题,通过失效分析,确定引起Cu扩散问题的主要原因是由于光刻胶残留造成的。通过合理的设计,优化了光刻胶... 在90 nm工艺时代,接触孔工艺问题对于提升90 nm产品的成品率具有重要意义。基于在90 nm工艺中接触孔四周存在的较为严重的Cu扩散问题,通过失效分析,确定引起Cu扩散问题的主要原因是由于光刻胶残留造成的。通过合理的设计,优化了光刻胶清洗流程,最终达到成品率提升的目的。 展开更多
关键词 半导体制造 接触层 铜扩散 缺陷
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硅-硅直接键合界面上SiO_2的非稳定性 被引量：2
12
作者 何进 王新 陈星弼 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期494-497,共4页
对硅一硅直接健合界面上的SiO2进行了研究。借助高真空的AES和高分辨率的SEM显微分析观察到界面上的SiO2化学组成为非化学计量比的SiO1.5，以类球形小岛状均匀分布于键合界面上，平均半径远大于界面自然氧化层。对界面SiO2的理论分析表... 对硅一硅直接健合界面上的SiO2进行了研究。借助高真空的AES和高分辨率的SEM显微分析观察到界面上的SiO2化学组成为非化学计量比的SiO1.5，以类球形小岛状均匀分布于键合界面上，平均半径远大于界面自然氧化层。对界面SiO2的理论分析表明，为了降低界面自由能，界面SiO2必然最大限度地减少其表面积，从而以类球形小岛分布于界面上，其平均半径至少大于自然氧化层的1.5倍。假定平衡界面因子为12时，同时考虑氧扩散引起的SiO2融解和界面自由能减小引起的成核长大效应，理论计算与实验结果相吻合。 展开更多
关键词 硅片直接键合 二氧化硅 界面自由能 非稳定性
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LPCVD-SiGe薄膜的物理及电学特性 被引量：3
13
作者 王光伟 屈新萍 +2 位作者 茹国平 郑宏兴 李炳宗 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期168-172,共5页
采用低压化学气相沉积法(LPCVD),分别在n-Si和SiO2衬底上制备Si1-xGex薄膜。Ge的组分比由俄歇电子谱(AES)测定。对n-Si和SiO2衬底上的Si1-xGex分别进行热扩散和热退火处理,以考察热扩散和退火条件对薄膜物理及电学特性的影响。薄膜的物... 采用低压化学气相沉积法(LPCVD),分别在n-Si和SiO2衬底上制备Si1-xGex薄膜。Ge的组分比由俄歇电子谱(AES)测定。对n-Si和SiO2衬底上的Si1-xGex分别进行热扩散和热退火处理,以考察热扩散和退火条件对薄膜物理及电学特性的影响。薄膜的物相由X射线衍射(XRD)确定。其薄层电阻、载流子迁移率及浓度分别由四探针法和霍尔效应法测定。基于XRD图谱,根据Scherer公式,估算出平均晶粒大小。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近似的线性关系,从而得出LPCVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。 展开更多
关键词 锗硅薄膜 LPCVD 热扩散 热退火 固相结晶
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InGaAs/InP材料的Zn扩散技术 被引量：4
14
作者 刘英斌 陈宏泰 +2 位作者 林琳 杨红伟 郑晓光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期610-612,共3页
使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数,研究了InGaAs/InP材料的扩散系数和扩散规律,获得了优化的扩散条件。试验表明,该扩散工艺符合原子扩散规律,扩... 使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数,研究了InGaAs/InP材料的扩散系数和扩散规律,获得了优化的扩散条件。试验表明,该扩散工艺符合原子扩散规律,扩散现象可以用填隙-替位模型解释。样品经过快速退火过程,获得了极高的空穴浓度。InP的空穴浓度达到7.7×1018/cm3,而InGaAs材料达到7×1019/cm3。在优化的扩散条件下,Zn扩散的深度和浓度精确可控,材料的均匀性好,工艺重复性好,能够应用于光电探测器或其他器件。 展开更多
关键词 金属有机化学气相淀积 锌扩散 退火 电化学C-V 光电探测器
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硼扩散技术研究 被引量：1
15
作者 王春梅 佟丽英 +1 位作者 史继祥 王聪 《电子工业专用设备》 2011年第12期12-14,共3页
对硼扩散浓度和扩散深度的控制技术进行了研究。通过采用两步扩散步骤、预扩散采用双面扩散的方式、再分布采用密闭碳化硅管、控制扩散温度和扩散时间,有效地控制了扩散层浓度和结深。
关键词 硼 扩散浓度 扩散深度
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Ga在SiO_2-Si界面扩散特性的分析
16
作者 裴素华 程道平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期101-104,共4页
利用元素Ga其Dsio2＞＞DS的特点，实现了SiO2／Si中扩散，使基区得到了理想的浓度分布；但经热氧化后，基区表面的浓度值有明显下降趋势。从而表明Ga在SiO2－Si界面，具有两种相反的扩散倾向。
关键词 镓 界面 扩散 浓度分布
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高精度双管扩散炉炉湿单片机自控系统
17
作者 王代强 邓勇 《光仪通讯》 1991年第2期15-24,共10页
关键词 护散炉 炉温 自动控制 半导体 微机
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扩散炉炉体热场研究及加长等温区的方法
18
作者 苗俊 《沈阳工业大学学报》 CAS 1994年第3期79-83,共5页
研究了炉体内热场的分布及其随炉体长度的增加温度曲线的变化情况，提出加长炉体内等温区长度的具体措施，并付诸实际，得到较理想的效果．
关键词 扩散炉 温度 等温区长度 热场
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硅基底的CVD扩磷工艺研究
19
作者 杨旭 何晓雄 +1 位作者 胡冰冰 马志敏 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期192-195,共4页
文章利用化学气相沉积(CVD)扩磷的方法,在单晶硅基底上进行扩磷工艺研究。采用X射线光电子能谱分析扩磷硅基底,通过原子力显微镜观察扩磷时间和温度对硅基底表面形貌的影响,并利用半导体特性测试仪研究扩磷时间和温度对硅基底I-V特性的... 文章利用化学气相沉积(CVD)扩磷的方法,在单晶硅基底上进行扩磷工艺研究。采用X射线光电子能谱分析扩磷硅基底,通过原子力显微镜观察扩磷时间和温度对硅基底表面形貌的影响,并利用半导体特性测试仪研究扩磷时间和温度对硅基底I-V特性的影响。结果表明,扩磷温度和时间对硅基底的表面粗糙度和晶粒的平均尺寸影响较大,扩磷时间越长、温度越高,硅基底的电学特性越明显。 展开更多
关键词 硅基底 扩磷工艺 表面形貌 化学气相沉积 chemical VAPOUR depo-sition(CVD)
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高浓度磷扩散的模拟
20
作者 冒慧敏 张东红 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期334-339,共6页
介绍了在SilvacoTCAD软件中最新加入的磷扩散模型──PERCO模型。该模型建立了杂质、空位及自间隙的连续性方程，描述了由于高浓度磷扩衡引起的超平衡点缺陷对磷在硅中分布的影响。已将该模型用于对实际工艺模拟的校正，取得满意的结果... 介绍了在SilvacoTCAD软件中最新加入的磷扩散模型──PERCO模型。该模型建立了杂质、空位及自间隙的连续性方程，描述了由于高浓度磷扩衡引起的超平衡点缺陷对磷在硅中分布的影响。已将该模型用于对实际工艺模拟的校正，取得满意的结果，同时，可以体会到模型校正的意义。 展开更多
关键词 工艺模拟 磷扩散 PERCO模型 半导体制造
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