摘要
薄膜应力的存在是薄膜制备过程中需要认真考虑的普遍问题。本文对溅射硅基铜膜应力受衬底温度的影响进行了讨论。实验中衬底温度分别设定为室温,50℃,100℃,150℃,200℃,250℃。实验表明:衬底温度在50～200℃之间时,铜膜平均应力变化较小,为-3.920×108Pa,应力差变化也较小。
This paper investigates the stress variation with substrate temperature of Cu films on Si wafers deposited by DC sputtering. Underlay temperature is 50℃, 100℃, 150℃, 200℃, 250℃. The results show that the stress is relaxed with underlay temperature from 50℃ to 200℃.
出处
《安徽大学学报（自然科学版）》
CAS
2004年第3期27-32,共6页
Journal of Anhui University(Natural Science Edition)
基金
国家自然科学基金资助项目(59972001)
安徽省自然科学基金资助项目(01044901)
安徽省教育厅科研基金资助项目(2003KJ)
