真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺

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摘要 0327878一种制备氧化钒薄膜的新工艺[刊,中]/王宏臣//半导体光电.—2003,24(4).—280-282(D2)0327879溅射硅基铜膜厚度与应力关系研究[刊,中]/吴桂芳//真空电子技术.—2003,(3).—35-38(E)

出处《电子科技文摘》 2003年第12期30-30,共1页 Sci.& Tech.Abstract

关键词金属化真空蒸发淀积应力关系真空电子技术半导体光电氧化钒薄膜结构吴桂芳溶胶一凝胶

1基本电子电路[J].中国无线电电子学文摘,2004,0(4):41-45.
2电子工艺[J].电子科技文摘,2002,0(5):27-28.
3半导体材料[J].电子科技文摘,2002,0(8):5-6.
4吴桂芳,宋学平,刘勇,林伟,孙兆奇.衬底温度对溅射硅基铜膜(Cu/Si)应力的影响研究[J].安徽大学学报（自然科学版）,2004,28(3):27-32. 被引量：6
5朱新星.电子装备环境试验故障影响因素分析[J].电子世界,2013(18):27-27. 被引量：3
6李敏,惠春,汪静.不同晶化处理方式对PZT薄膜性能的影响[J].纳米科技,2005,2(6):35-38.
7光学材料[J].电子科技文摘,2002,0(7):10-11.
8侯志青,刘东州,那木拉.稀磁半导体制备方法的研究进展[J].半导体技术,2014,39(4):294-299. 被引量：6
9许晓慧,唐建洪,陈丽娟.PZT铁电薄膜介电性能测试研究[J].压电与声光,2010,32(2):293-296.
10沈力,皮浩洋,辛国锋,封惠忠,方祖捷,陈高庭,瞿荣辉.半导体激光器阵列偏振特性及其与应力关系的实验研究[J].中国激光,2009,36(5):1051-1056. 被引量：4

电子科技文摘

2003年第12期

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