摘要
锗单晶晶片作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于航天航空领域。衬底外延生长要求锗晶片表面有极低的表面粗糙度、无表面/亚表面损伤和残余应力等,需要通过对锗表面进行抛光去除表面缺陷、提高表面质量,从而满足外延生长。本文综述了锗单晶衬底抛光的技术进展,分析了抛光液组分、pH值、离子强度、抛光工艺参数等对锗片抛光质量的影响,阐述了锗晶片的化学抛光机理,指出了目前锗抛光技术中存在的问题并对其未来发展方向进行了展望。
出处
《科技风》
2021年第3期189-190,共2页
基金
国家工信部2019年工业强基-超薄锗单晶实施方案(编号:TC190A4DA/34)项目资助。
