摘要
作为N型半导体材料,三氧化钼是最受瞩目的过渡金属氧化钼之一,并在电子产品中得到广泛应用。该文通过离子交换和超声波辅助制备出热力学亚稳态h-Mo O3纳米棒,并通过对产物煅烧,使其转变为热力学稳态微米带。同时对样品进行XRD和SEM分析,发现在500℃下对样品煅烧2h,样品的晶体结构发生变化,由热力学亚稳态的h-Mo O3转变为热力学稳态的α-Mo O3,同时产物形貌随之改变,六棱柱分割为层状结构用于装配,最终形成表面光滑的微米带。在煅烧过程中,温度对物相的转变及产物的结构的变化起到了决定性的作用。
出处
《科技资讯》
2015年第11期104-104,共1页
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