金属──氧化硅──硅（MOS）器件物理研究

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摘要金属──氧化硅──硅（ＭＯＳ）器件物理研究郑耀宗（香港城市理工学院）早在２０年代初期，场效应晶体管的概念已经发展。然而，由于当时的工艺条件尚未成熟，以及对带电载流子表面传输的物理尚未清楚，场效应管一直未被广泛应用。直到６０年初期，在众多科学家共同努力...

作者郑耀宗

机构地区香港城市理工学院

出处《中国科技奖励》 1994年第2期15-15,共1页 China Awards for Science and Technology

关键词氧化硅器件物理介质膜生长机理超大规模集成电路生长工艺场效应晶体管生长技术快速热氮化实验数据

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9陈蒲生,杨光有.雪崩热电子注入对快速热氮化的SiO_xN_y膜陷阱的影响[J].Journal of Semiconductors,1991,12(7):405-411. 被引量：4
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中国科技奖励

1994年第2期

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