从Si到快速热氮化SiO2膜的雪崩热电子注入
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1陈蒲生,杨光有.雪崩热电子注入对快速热氮化的SiO_xN_y膜陷阱的影响[J].Journal of Semiconductors,1991,12(7):405-411. 被引量：4
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2黄美浅,李观启,刘百勇.快速热氮化改善n-MOSFET栅氧化层的加速击穿[J].华南理工大学学报（自然科学版）,1995,23(12):89-94. 被引量：3
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3商陆民,张家慰,简耀光.热氮化SiO_2膜的抗辐射特性[J].应用科学学报,1989,7(4):367-370.
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4陈蒲生,杨光有,刘百勇.快速热氮化SiO_2膜陷阱特性的研究[J].Journal of Semiconductors,1990,11(6):465-469. 被引量：11
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5陈蒲生,冯文修,黄世平,张荣耀.用于VLSI的新型介质膜界面陷阱的特征[J].华南理工大学学报（自然科学版）,1995,23(12):141-145.
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6郑耀宗.金属──氧化硅──硅（MOS）器件物理研究[J].中国科技奖励,1994,2(2):15-15.
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7王永顺,熊大菁,李志坚.快速热氮化超薄SiO_2膜特性的研究[J].Journal of Semiconductors,1990,11(8):627-634. 被引量：6
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8陈蒲生,张昊,冯文修,章晓文,刘小阳,曾绍鸿.PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱的物理模型[J].固体电子学研究与进展,2002,22(4):458-462. 被引量：1
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9刘小阳,陈蒲生,王川,黄世平.用俄歇能谱研究热氮化SiO_2膜中氮原子的扩散[J].华南理工大学学报（自然科学版）,1995,23(12):75-81.
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10陈蒲生.用于VLSI的SiO_xN_y薄膜的界面陷阱[J].固体电子学研究与进展,1992,12(4):336-341. 被引量：3
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