对纳米硅薄膜高电导机制的探讨 被引量：13

1

作者 何宇亮 韦亚一 +3 位作者 余明斌 郑国珍 刘明 张蔷 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期193-201,共9页

使用超高真空PECVD薄膜沉积系统制备的纳米桂薄膜（nc－Si：H）具有高电导特性。为了探讨其导电机制，先使用K．Yoshida早期提出的两相无序结构有效电导模型分别对晶粒电导和界面电导进行了理论计算。指出，nc－Si：H股中高电导主要来... 使用超高真空PECVD薄膜沉积系统制备的纳米桂薄膜（nc－Si：H）具有高电导特性。为了探讨其导电机制，先使用K．Yoshida早期提出的两相无序结构有效电导模型分别对晶粒电导和界面电导进行了理论计算。指出，nc－Si：H股中高电导主要来自于细微晶粒的传导，界面可视之为非导体。另一方面，实验证实nc－Si：H股的电导率随平均品粒尺寸减少而增大，具有明显的小尺寸效应。文中首次提出，nc－Si：H膜的微晶粒具有异质结量子点（HQD）特性，并按此模型对nc－Si：H膜的电导率实验曲线进行了讨论。理论与实验结果符合得很好．又得出，硅薄膜结构在其晶态体积百分比Xc=0．30和0．70处呈现出两个明显的相变点。 展开更多

关键词 纳米硅 导电机制 半导体薄膜技术

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氮气氛围下热处理的Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3薄膜的低温介电性能研究 被引量：1

2

作者 朱夏 李亚巍 +1 位作者 沈育德 褚君浩 《南通大学学报（自然科学版）》 CAS 2013年第2期72-77,共6页

采用溶胶凝胶法在LiNaO3(LNO)衬底上制备Na0.5Bi0.5TiO3(NBT)薄膜.部分NBT薄膜在氮气氛围下进行了热处理,记为NBT-N2.在100～400 K的温度范围内,测量了NBT-N2的介电性能.NBT-N2薄膜的介电频谱中出现了损耗峰,存在弛豫现象.利用Arrheniu... 采用溶胶凝胶法在LiNaO3(LNO)衬底上制备Na0.5Bi0.5TiO3(NBT)薄膜.部分NBT薄膜在氮气氛围下进行了热处理,记为NBT-N2.在100～400 K的温度范围内,测量了NBT-N2的介电性能.NBT-N2薄膜的介电频谱中出现了损耗峰,存在弛豫现象.利用Arrhenius公式拟合弛豫所对应的激活能,发现在NBT-N2薄膜中存在2个热激活过程:一个对应氧空位电离引入的极化子的跳跃跃迁;另一个对应导电电子与偏离氧八面体中心的Ti离子之间的耦合.此外,采用复阻抗谱分析了NBT-N2薄膜中的介电弛豫过程,在测试温度范围内,随着温度的升高,该弛豫过程逐渐趋向于理想的德拜模型. 展开更多

关键词 氮气氛围 热处理 Na0 5Bi0 5TiO3薄膜 低温介电性能

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化学溶液分解法制备LaNiO_3薄膜的研究 被引量：7

3

作者 李亚巍 孟祥建 +4 位作者 于剑 王根水 孙璟兰 褚君浩 张伟风 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期269-272,共4页

采用化学溶液分解法直接在单晶Si(10 0 )衬底上制备了LaNiO3 薄膜 ,研究了不同热处理气氛 (空气和氧气 )对薄膜的结晶性、晶粒尺寸、电阻率以及其上面生长的锆钛酸铅 (PZT)薄膜的影响 .结果发现二种气氛得到的LaNiO3 薄膜的电阻率相差较... 采用化学溶液分解法直接在单晶Si(10 0 )衬底上制备了LaNiO3 薄膜 ,研究了不同热处理气氛 (空气和氧气 )对薄膜的结晶性、晶粒尺寸、电阻率以及其上面生长的锆钛酸铅 (PZT)薄膜的影响 .结果发现二种气氛得到的LaNiO3 薄膜的电阻率相差较大 ,其中在氧气中制备的薄膜电阻率仅为在空气中得到的 1/ 2 .对LaNiO3 薄膜的导电机制进行了讨论 . 展开更多

关键词 化学溶液分解法 镍酸镧薄膜 锆钛酸铅 电阻率 CSD 退火气氛 光电材料

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高T_c超导4×4元面阵研制

4

作者 刘心田 李标 +3 位作者 石保安 刘兴海 陈惠秀 诸君浩 《红外与激光工程》 EI CSCD 1998年第4期42-46,共5页

选用高Ｔｃ超导薄膜ＹＢａ３Ｃｕ３Ｏ７－８，引用微加工技术，制出了４×４元面阵红外探测器，超导膜用湿法工艺光刻成折线结构，总线长约２０００μｍ，可提高敏感元工作电阻率。对于４×４元列阵，１６个敏感元公用电极的安... 选用高Ｔｃ超导薄膜ＹＢａ３Ｃｕ３Ｏ７－８，引用微加工技术，制出了４×４元面阵红外探测器，超导膜用湿法工艺光刻成折线结构，总线长约２０００μｍ，可提高敏感元工作电阻率。对于４×４元列阵，１６个敏感元公用电极的安排是关键。在设计中，１６个敏感元是同时读取信号，其探测率Ｄ在１．２×１０８～７．２×１０８ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１之间，工作温度为８８Ｋ。 展开更多

关键词 红外探测器 高Tc超导器件 焦平面列阵

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HgCdTe离子注入掺杂及损伤特性 被引量：3

5

作者 刘心田 包昌珍 +2 位作者 褚君浩 周茂树 李韶先 《红外技术》 EI CSCD 北大核心 1998年第6期22-24,共3页

运用红外反射谱，背散射谱和二次离子质谱等方法研究ＨｇＣｄＴｅ注入Ｂ、Ｐ、Ｉｎ和Ａｓ等元素的掺杂与损伤特性。

关键词 碲镉汞 离子注入 表面损伤 红外探测器

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低温背景限红外探测器 被引量：2

6

作者 刘心田 徐国森 +4 位作者 黄志明 张爱军 刘兴海 褚君浩 王东 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期232-234,242,共4页

根据简并理论分析了光导型红外探测器的噪声机制和背景辐射对探测器的探测率Ｄ＊的影响，从而提出了全新低温背景限探测率红外探测器结构，其Ｄ＊值有较大地提高。

关键词 红外探测器 背景辐射 探测率

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高温区Hg_（1－x）Cd_xTe光导器件的温度－电阻关系 被引量：2

7

作者 桂永胜 蔡毅 +3 位作者 郑国珍 褚君浩 郭少令 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期297-302,共6页

在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度、迁移率、电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合．利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值。

关键词 HGCDTE 电阻-温度关系 光导探测器 红外探测

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亚微米结构高Tc超导探测器研制

8

作者 刘心田 陆惠秀 +5 位作者 刘兴海 李标 褚君浩 胡一贯 洪义麟 傅绍军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期381-385,共5页

应用同步辐射技术对ＹＢＣＯ超导薄膜进行光刻，获得０．８μｍ间隔的折线结构，研制成亚微米结构高Ｔｃ超导薄膜红外探测器，敏感元接收红外辐射能量提高约４２％．器件的最好探测率Ｄ＊达到１．８×１０１０ｃｍＨ１／２ＺＷ－１... 应用同步辐射技术对ＹＢＣＯ超导薄膜进行光刻，获得０．８μｍ间隔的折线结构，研制成亚微米结构高Ｔｃ超导薄膜红外探测器，敏感元接收红外辐射能量提高约４２％．器件的最好探测率Ｄ＊达到１．８×１０１０ｃｍＨ１／２ＺＷ－１，工作温度约９０Ｋ． 展开更多

关键词 红外探测器 超导器件 YBCO 高TC 亚微米

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气氛掺氮直拉硅单晶中氮关施主的光热电离光谱研究 被引量：1

9

作者 张溪文 阙端麟 +1 位作者 石晓红 沈学础 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期337-343,共7页

以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800℃，900℃以上退火将被不可逆消除．指出NRD可能有N－O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式，各有不... 以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800℃，900℃以上退火将被不可逆消除．指出NRD可能有N－O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式，各有不同的热处理行为． 展开更多

关键词 气氛掺氮 硅单晶 氮关施主 施主 光热电离光谱

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2×8元列阵高温超导探测器研制 被引量：1

10

作者 刘心田 石保安 +1 位作者 陆惠秀 刘兴海 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期358-361,共4页

选用高Tc超导薄膜YBa2Cu3O7－8，引用半导体集成工艺，制出2×8元列阵红外探测器，其探测率D均达到108～109cm·Hz·W－1，工作温度为89K。

关键词 红外探测器 超导体 高温超导探测器

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ArF准分子激光立方氮化硼薄膜的制备 被引量：1

11

作者 辛火平 陈逸清 +3 位作者 石晓红 许华平 林成鲁 邹世昌 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期637-640,共4页

采用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积方法（ＰＬＤ），以六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）作靶在Ｓｉ（１００）衬底上制备氮化硼薄膜。ＸＲＤ及ＦＴＩＲ透射谱测量表明生成的氮化硼薄膜是含有少量六方氮化硼结构的立方氮化硼（Ｃ－ＢＮ）．ＡＥＳ测量... 采用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积方法（ＰＬＤ），以六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）作靶在Ｓｉ（１００）衬底上制备氮化硼薄膜。ＸＲＤ及ＦＴＩＲ透射谱测量表明生成的氮化硼薄膜是含有少量六方氮化硼结构的立方氮化硼（Ｃ－ＢＮ）．ＡＥＳ测量表明不同条件下生成的薄膜中Ｎ与Ｂ的相对含量是不同的，最大比例近乎为１：１，薄膜的维氏显微硬度ＨＶ最大值为１５８０ｋｇ／ｍｍ２。 展开更多

关键词 氮化硼薄膜 脉冲激光 ArF准分子 半导体材料

原文传递

用回熔再生长LPE工艺制备高效AlGaAs／GaAs太阳电池 被引量：1

12

作者 李标 向贤碧 +1 位作者 许颖 费雪英 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期103-109,共7页

报道了采用欠饱和溶液的回熔—再生长液相外延（ＬＰＥ）方法制备高效ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结构太阳电池的工艺。研究表明，与传统的过冷生长技术相比，回熔工艺对衬底质量的要求不严格，且能形成有利于光生少子被收集的... 报道了采用欠饱和溶液的回熔—再生长液相外延（ＬＰＥ）方法制备高效ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结构太阳电池的工艺。研究表明，与传统的过冷生长技术相比，回熔工艺对衬底质量的要求不严格，且能形成有利于光生少子被收集的带隙结构。在工艺优化的情况下，获得大阳电池的全面积转换效率在ＡＭ０，１ｓｕｎ的测试条件下为１８．７８％（０．７２ｃｍ２），在ＡＭ１．５，１ｓｕｎ下为２３．１７％。 展开更多

关键词 液相外延 太阳能电池 转换效率 砷化镓

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以LaNiO_3作为底电极的Pb(Zr_(0.3),Ti_(0.7))O_3铁电薄膜的性能研究

13

作者 李亚巍 张伟风 +3 位作者 孟祥建 孙璟兰 王根水 褚君浩 《河南大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第1期23-26,共4页

采用溶胶—凝胶法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜,采用相同方法在LaNiO3/Si(100)上制备了Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3薄膜,对LaNiO3薄膜和Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3薄膜的结晶性,表面形貌和电性能进行了研究.

关键词 溶胶-凝胶法 铁电薄膜 LANIO3 PZT

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氧杂质及热处理过程对Ge-Sb-Te薄膜的光学性质和晶体结构的影响

14

作者 顾四朋 侯立松 +1 位作者 刘波 陈静 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1111-1115,共5页

研究了氧掺杂Ge Sb Te磁控溅射相变薄膜在 4 0 0～ 80 0nm区域的光学常数 (n ,k) ,发现不同氧成分薄膜的光学性质有较大差别 ,经过热处理后薄膜的光学性质也发生了较大变化。由热处理前后薄膜的X射线衍射 (XRD)发现 ,经过退火处理后薄... 研究了氧掺杂Ge Sb Te磁控溅射相变薄膜在 4 0 0～ 80 0nm区域的光学常数 (n ,k) ,发现不同氧成分薄膜的光学性质有较大差别 ,经过热处理后薄膜的光学性质也发生了较大变化。由热处理前后薄膜的X射线衍射 (XRD)发现 ,经过退火处理后薄膜发生了从非晶态到晶态的相变。 展开更多

关键词 薄膜物理学 Ge-Sb-Te薄膜 氧杂质 光学常数 X射线衍射

原文传递

LaNiO_3溅射薄膜的光学和电学特性的研究

15

作者 赵强 赖珍荃 +2 位作者 黄志明 陈静 褚君浩 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第1期71-74,共4页

采用LaNiO3陶瓷靶和射频磁控溅射技术在350℃的K9玻璃衬底上制备出了具有较好(100)择优取向的LaNiO3薄膜。通过对不同厚度薄膜的光学、电学以及薄膜结构等物理特性的测试分析,发现薄膜厚度小于100nm时为非晶结构,厚度大于150nm后出现了... 采用LaNiO3陶瓷靶和射频磁控溅射技术在350℃的K9玻璃衬底上制备出了具有较好(100)择优取向的LaNiO3薄膜。通过对不同厚度薄膜的光学、电学以及薄膜结构等物理特性的测试分析,发现薄膜厚度小于100nm时为非晶结构,厚度大于150nm后出现了具有(100)择优取向的LaNiO3相。非晶结构的LaNiO3具有较高的面电阻和高的光学透射率,而晶化的LaNiO3薄膜具有类似于金属的导电能力和光学特性。薄膜的生长动力学和导电分析结果认为薄膜生长的初期会形成一个非晶过渡层。 展开更多

关键词 LaNiO3薄膜 射频溅射 光学特性 表面电阻

原文传递

GaAs表面Si-δ掺杂的调制光谱研究

16

作者 刘兴权 陆卫 +3 位作者 陈效双 乔怡敏 史国良 沈学础 《量子电子学报》 CAS CSCD 1997年第4期289-293,共5页

本文利用光调制光谱(PR）与分子束外延（MBE）结合的方法，原位测量GaAs（001）表面Si－δ掺杂结构样品，排除了FK振荡（FKOs）对St－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到Si－δ掺杂结构中价带连续态到导带半V-形势阱中子带的跃迁及带... 本文利用光调制光谱(PR）与分子束外延（MBE）结合的方法，原位测量GaAs（001）表面Si－δ掺杂结构样品，排除了FK振荡（FKOs）对St－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到Si－δ掺杂结构中价带连续态到导带半V-形势阱中子带的跃迁及带间跃迁相对于纯GaAs带间跃迁的红移。用简单的三角势模型，在理论上计算了该掺杂浓度下三角形势阱中电子子带的能级位置，波函数的分布及光吸收系数，与实验观察一致． 展开更多

关键词 分子束外延 调制光谱 砷化镓 掺杂

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超导探测器的发展走势

17

作者 刘心田 《世界产品与技术》 2000年第10期30-33,共4页

关键词 超导 红外探测器 TC 电子学

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离子注入HgCdTe红外反射谱

18

作者 刘心田 叶红娟 +1 位作者 刘兴海 诸君浩 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期183-185,共3页

运用反射色散方法分析离子注入ＨｇＣｄＴｅ的损伤特性，文中提出了注入区多层模型与实验测量符合。

关键词 碲镉汞 离子注入 表面物理 半导体材料

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量子点的湿法腐蚀制备及尺寸分布研究

19

作者 刘兴权 万明芳 +3 位作者 陈效双 张波 陆卫 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期401-404,共4页

介绍了用可见光光刻后用湿法腐蚀制备ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子点的方法，并用小光点光荧光的方法检测了所制备量子点的均匀性，从理论上给出量子点的尺寸分布，并结合多量子阱阱宽的涨落，分析了荧光峰的线型和展宽机制．

关键词 量子点 湿法腐蚀 荧光光谱 砷化镓 尺寸分布

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基于ANSYS悬臂式RFMEMS开关的力学模拟和疲劳分析 被引量：3

20

作者 李成诗 郭方敏 +4 位作者 赖宗声 葛羽屏 徐欣 朱自强 陆卫 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期22-26,共5页

用 ANSYS 软件对 RF　MEMS 接触悬臂开关模型进行力电耦合分析,比较了几种情况下的驱动电压,讨论了驱动电压与杨氏模量、悬梁的几何尺寸和电极面积的关系。在力电耦合分析的基础上对开关进行了疲劳特性分析,得出了开关的循环使用次数并... 用 ANSYS 软件对 RF　MEMS 接触悬臂开关模型进行力电耦合分析,比较了几种情况下的驱动电压,讨论了驱动电压与杨氏模量、悬梁的几何尺寸和电极面积的关系。在力电耦合分析的基础上对开关进行了疲劳特性分析,得出了开关的循环使用次数并与实验结果进行了比较,分析了数据差别比较大的原因,改进了测试开关寿命的方法。 展开更多

关键词 拟和 驱动电压 开关模型 几何尺寸 测试 电极 数据 ANSYS软件 寿命 接触

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