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衬底温度对直接光CVD SiO_2薄膜特性的影响 被引量:1
1
作者 刘玉荣 杜开瑛 李观启 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期825-829,共5页
采用以低压氙 (Xe)气激发真空紫外光作光源 ,以 Si H4和 O2 作反应气体的直接光 CVD技术淀积 Si O2 薄膜 .通过椭圆偏振法、红外光谱法、C- V特性法对不同衬底温度下淀积的 Si O2 薄膜的特性进行研究 .结果表明 :衬底温度在 40~ 2 0 0... 采用以低压氙 (Xe)气激发真空紫外光作光源 ,以 Si H4和 O2 作反应气体的直接光 CVD技术淀积 Si O2 薄膜 .通过椭圆偏振法、红外光谱法、C- V特性法对不同衬底温度下淀积的 Si O2 薄膜的特性进行研究 .结果表明 :衬底温度在 40~ 2 0 0℃范围内 ,薄膜的折射率在 1.40~ 1.46之间 ,在沉积膜的红外光谱中未出现与 Si— H、Si— OH相对应的红外吸收峰 .Si O2 薄膜中固定氧化物电荷密度受衬底温度影响较大 ,其最小值可达 1.73× 10 1 0 cm- 2 . 展开更多
关键词 衬底温度 薄膜特性 氧化硅 气相沉积
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纳米GaAs-SiO_2镶嵌复合薄膜的发光特性 被引量:3
2
作者 石旺舟 梁厚蕴 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期276-277,共2页
采用射频磁控共溅射法制备了纳米GaAs -SiO2 镶嵌复合薄膜。通过X射线衍射、透射电镜观察和X射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积过程中基片温度间的关系。测量了薄膜的光致发光特性。结果表明 ,薄膜由晶态的GaAs及非晶SiO2... 采用射频磁控共溅射法制备了纳米GaAs -SiO2 镶嵌复合薄膜。通过X射线衍射、透射电镜观察和X射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积过程中基片温度间的关系。测量了薄膜的光致发光特性。结果表明 ,薄膜由晶态的GaAs及非晶SiO2 两相组成 ,GaAs在沉积过程中未明显氧化 ,且以纳米颗粒形式均匀地弥散 ;GaAs的平均粒径依赖于沉积时的基片温度。通过控制基片温度 ,成功地获得了GaAs的平均粒径分别为 3~ 10nm的GaAs -SiO2 镶嵌复合薄膜。测得发光谱线由多峰叠加组成 ,其峰位随平均粒径变小而蓝移 ;当平均粒径为 10nm时 ,发光谱线位于可见光波段 ,峰位分别为 5 12、5 3 0、5 5 0、5 78nm。采用量子限域理论讨论了光发射波长与颗粒直径间的关系。 展开更多
关键词 纳米GaAs-sio2薄膜 镶嵌复合 发光特性
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SiO_2气凝胶薄膜的性能、应用与制备方法 被引量:2
3
作者 王娟 张长瑞 冯坚 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第1期32-35,共4页
SiO_2气凝胶薄膜是一种纳米轻质材料,具有高孔隙率、低密度、低热导率、低声传播速度、低介电常数、高比表面积、透明等优异性能,在热学、光学、声学、微电子、航空航天、化学化工等领域具有广阔的应用前景。介绍了SiO_2气凝胶薄膜的性... SiO_2气凝胶薄膜是一种纳米轻质材料,具有高孔隙率、低密度、低热导率、低声传播速度、低介电常数、高比表面积、透明等优异性能,在热学、光学、声学、微电子、航空航天、化学化工等领域具有广阔的应用前景。介绍了SiO_2气凝胶薄膜的性能与应用,并对其制备方法进行了综述和评价。 展开更多
关键词 sio2气凝胶薄膜 二氧化硅 纳米材料 孔隙率 热导率 介电常数 制备工艺
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分布式电子回旋共振等离子体制备高质量二氧化硅薄膜 被引量:2
4
作者 江南 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第3期161-169,共9页
介绍了一种采用DECR等离子体在低温下制备高质量SiO2薄膜的PECVD工艺。讨论了DECRPECVD工艺中气相O/Si原子比以及沉积速率对SiO2薄膜性能的影响。采用包括高能离子分析、椭偏仪、化学刻蚀以及红外吸收谱等物理和化学方法,对所镀SiO2... 介绍了一种采用DECR等离子体在低温下制备高质量SiO2薄膜的PECVD工艺。讨论了DECRPECVD工艺中气相O/Si原子比以及沉积速率对SiO2薄膜性能的影响。采用包括高能离子分析、椭偏仪、化学刻蚀以及红外吸收谱等物理和化学方法,对所镀SiO2薄膜的各种理化特性进行了分析和研究。在此基础上,还采用准静态I-U和高、低频C-U技术对优化工艺后的SiO2薄膜进行了电学性能测试,并在最后给出了采用DECRSiO2的薄膜晶体管的特性曲线。 展开更多
关键词 薄膜 分布式 电子回旋共振 二氧化硅
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nc-Si/SiO_2多层薄膜的三阶非线性光学性质
5
作者 郭震宁 郭亨群 +4 位作者 何江流 王加贤 张文珍 成步文 李世忱 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 2000年第4期359-361,共3页
用简并四波混频技术研究了 nc- Si/Si O2 多层薄膜的三阶非线性光学性质 ,观察到了位相共轭信号 ,测得实验用样品在光波波长为 5 89nm处的三阶非线性极化率χ( 3) 为 4.1× 10 - 7esu,并对该材料的光学非线性产生机理作了探讨。
关键词 nc-Si/sio2薄膜 简并四波混频 光学非线性
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掺Al的Ge-SiO_2薄膜的结构和光致发光性质 被引量:1
6
作者 成珏飞 吴雪梅 诸葛兰剑 《信息记录材料》 2004年第1期54-57,共4页
采用射频磁控溅射复合靶技术制备了掺Al的Ge SiO2 薄膜。薄膜在N2 保护下进行了不同温度的退火处理。采用FTIR ,XRD ,XPS分析了样品的结构。样品的PL谱结果表明退火温度、沉积温度以及样品中的Al含量对Al Ge SiO2 薄膜的光致发光的峰位... 采用射频磁控溅射复合靶技术制备了掺Al的Ge SiO2 薄膜。薄膜在N2 保护下进行了不同温度的退火处理。采用FTIR ,XRD ,XPS分析了样品的结构。样品的PL谱结果表明退火温度、沉积温度以及样品中的Al含量对Al Ge SiO2 薄膜的光致发光的峰位和峰强有一定的影响。 展开更多
关键词 光致发光 射频磁控溅射复合靶 锗-二氧化硅薄膜
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直接热氮化SiO_2薄膜的电特性
7
作者 齐鸣 罗晋生 《微电子学》 CAS CSCD 1989年第1期14-18,共5页
对热生长SiO_2膜,在NH_3气氛中高温退火所形成的热氮化SiO_2薄膜是一种有希望用于VLSI工艺的介质膜。本文采用多种方法,较为全面地分析了不同氮化条件下这种薄膜的界面特性、介电性能、电子陷阱参数、掩蔽杂质扩散能力等电学特性;并用... 对热生长SiO_2膜,在NH_3气氛中高温退火所形成的热氮化SiO_2薄膜是一种有希望用于VLSI工艺的介质膜。本文采用多种方法,较为全面地分析了不同氮化条件下这种薄膜的界面特性、介电性能、电子陷阱参数、掩蔽杂质扩散能力等电学特性;并用其做为绝缘栅制成MOSFET。讨论了热氮化对阈电压和表面电子迁移率的影响。 展开更多
关键词 sio2薄膜 氮化 高温退火 电特性
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纳米锗颗粒镶嵌复合薄膜的显微结构研究 被引量:2
8
作者 岳兰平 秦勇 何怡贞 《电子显微学报》 CAS CSCD 1995年第6期426-429,共4页
用离子束溅射技术成功地制备了Ge-SiO_2纳米颗粒镶嵌复合薄膜。采用透射电子显微镜研究了不同热处理条件下获得的薄膜样品的显微组织结构,并用X射线光电子能谱技术分析了薄膜样品的成分。研究结果表明,镶嵌纳米锗颗粒为fc... 用离子束溅射技术成功地制备了Ge-SiO_2纳米颗粒镶嵌复合薄膜。采用透射电子显微镜研究了不同热处理条件下获得的薄膜样品的显微组织结构,并用X射线光电子能谱技术分析了薄膜样品的成分。研究结果表明,镶嵌纳米锗颗粒为fcc结构,其点阵参数随着锗颗粒度的不同而有一个变化范围:a=0.401~0.556nm。 展开更多
关键词 纳米颗粒镶嵌膜 显微结构 透射电镜 二氧化碳
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非晶态SiO_2掺杂Fe^(2+)薄膜气敏特性的研究 被引量:3
9
作者 陈康 王忠诚 耿殿丽 《传感器技术》 CSCD 1996年第1期5-10,共6页
研制成功一种以SiO2作为主体,掺杂Fe2+离子薄膜制备的气敏元件,对CO气体有良好的气敏特性。它的线性范围为1.2×10-4~8.92×10-3mol·dm-3,检测下限为5×10-5mol·d... 研制成功一种以SiO2作为主体,掺杂Fe2+离子薄膜制备的气敏元件,对CO气体有良好的气敏特性。它的线性范围为1.2×10-4~8.92×10-3mol·dm-3,检测下限为5×10-5mol·dm-33,响应速度≤5s.本工作以非晶态半导体的Mott-Davis能带模型结合表面吸附理论,初步探讨了该材料的气敏机理,确立了元件阻值R与吸附浓度C的关系方程,以此解释元件的气敏特性.该方程对非晶态SiO2掺杂薄膜是普遍适用的。 展开更多
关键词 气敏元件 非晶态 掺杂 二氧化硅
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彩色镀膜玻璃的溅射法制备及其环境稳定性研究 被引量:1
10
作者 刘旭 赵青南 +4 位作者 罗乐平 丛芳玲 顾宝宝 董玉红 赵杰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1391-1396,共6页
经过膜系设计,以TiO_2和SiO_2为介质膜,采用磁控溅射镀膜工艺,制备了不同颜色的镀膜玻璃,计算了不同颜色玻璃的色坐标。用XPS表征了TiO_2薄膜中Ti元素价态以及化学计量比;用紫外-可见光谱仪测试了复合膜选择性反射的特性;通过将镀膜玻... 经过膜系设计,以TiO_2和SiO_2为介质膜,采用磁控溅射镀膜工艺,制备了不同颜色的镀膜玻璃,计算了不同颜色玻璃的色坐标。用XPS表征了TiO_2薄膜中Ti元素价态以及化学计量比;用紫外-可见光谱仪测试了复合膜选择性反射的特性;通过将镀膜玻璃浸泡于酸、碱中测试了其环境稳定性。测试结果表明,复合膜具有较强的抗碱能力,但其抗酸腐蚀能力较弱,随着腐蚀时间的延长,反射谱线向短波方向漂移且峰值降低;同时,也分析了腐蚀机理和谱线漂移的原因。 展开更多
关键词 彩色镀膜玻璃 磁控溅射 TiO_2sio_2薄膜 环境稳定性
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Calculation of Optical Parameters and Investigation of Luminescence Spectra of Dy^(3+) Doped Boroaluminasilicate Glasses 被引量:1
11
作者 陆春华 张焱 +2 位作者 倪亚茹 谭伟民 许仲梓 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第S1期334-337,共4页
Sm3+∶SiO_2 thin film with high concentration of Sm3+ was prepared by sol-gel method using tetraethoxysilane(TEOS) as precursor and using the appropriate system of hydrolyzing-condensing and organic additives, and con... Sm3+∶SiO_2 thin film with high concentration of Sm3+ was prepared by sol-gel method using tetraethoxysilane(TEOS) as precursor and using the appropriate system of hydrolyzing-condensing and organic additives, and controlling the velocity of promoting temperature during the heat treatment. Research was done on the luminescence spectra of the gel with different concentrations of Sm3+ by fluorescence spectra analysis. The results showed that, the emission intensity of Sm3+ became stronger with increasing the doping concentration when the concentration was below 10% in the gel; the optimum excitation wavelength of Sm3+ in the gel was 473 nm, the emission peak position were at 561, 594, 643, 703 nm, which was caused from, respectively, 4G5/2-6H5/2, 4G5/2-6H7/2, 4G5/2-6H9/2, 4G5/2-6H11/2 transition of Sm3+; and the emission intensity of the gel with organic additive DMF was elevated evidently. 展开更多
关键词 Sm^(3+)∶sio_2 thin film sol-gel method luminescence properties rare earths
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溶胶-凝胶法制备SiO_(2)减反射薄膜及其耐久性
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作者 王军 胡瑾瑜 +3 位作者 向军淮 李由 张淑娟 胡敏 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期243-249,共7页
目的增加太阳光在太阳能电池玻璃盖板的透过率,以期提高太阳能电池的转换效率。方法以正硅酸乙酯为原料、乙醇为溶剂、氨水为催化剂,采用碱催化溶胶-凝胶浸渍提拉法,在玻璃表面制备了SiO_(2)减反射薄膜,研究了溶胶中正硅酸乙酯与乙醇物... 目的增加太阳光在太阳能电池玻璃盖板的透过率,以期提高太阳能电池的转换效率。方法以正硅酸乙酯为原料、乙醇为溶剂、氨水为催化剂,采用碱催化溶胶-凝胶浸渍提拉法,在玻璃表面制备了SiO_(2)减反射薄膜,研究了溶胶中正硅酸乙酯与乙醇物质的量比和提拉镀膜速度对SiO_(2)薄膜光学性质的影响,分析了减反射薄膜的耐久性。结果碱性溶胶制备的SiO_(2)为非晶相,采用浸渍提拉法在玻璃表面制备的薄膜结构疏松,且存在微裂纹。采用正硅酸乙酯与乙醇物质的量比为1∶20、提拉速度为500μm/s及正硅酸乙酯与乙醇物质的量比为1∶30、提拉速度为1000μm/s制备的SiO_(2)薄膜,折射率分别为1.35和1.33,厚度分别为101.11、102.63nm,最大透过率分别高于未镀膜玻璃6.57%和6.94%,在400~1100nm波长范围内的平均透过率分别高于未镀膜玻璃5.01%和5.34%,表明该薄膜具有优异的减反射性能。玻璃表面制备SiO_(2)薄膜后,水接触角约为5°,具有超亲水性。将未镀膜玻璃及镀膜样品在实验室放置5个月后,采用正硅酸乙酯与乙醇物质的量比为1∶20、提拉速度为500μm/s及正硅酸乙酯与乙醇物质的量比为1∶30、提拉速度为1000μm/s的制备SiO_(2)薄膜的最大透过率分别高于未镀膜玻璃7.50%和6.71%,在400~1100 nm波长范围内的平均透过率分别高于未镀膜玻璃5.94%和5.59%,表明SiO_(2)薄膜的减反射性能具有较好的耐久性。结论采用碱催化溶胶-凝胶法在玻璃上制备的SiO_(2)减反射薄膜具有超亲水性及优异的减反射耐久性,在太阳能电池玻璃盖板上具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 sio_(2)薄膜 减反射 润湿性 耐久性
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多种方法制备SiO_(2)薄膜及其性能研究
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作者 何亮 王祥宇 +5 位作者 田浩生 杨海林 乐景胜 杨帆 梁佳伟 刘利芹 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第S01期38-41,共4页
二氧化硅(SiO_(2))薄膜因出色的光学、介电、抗刻蚀和优异力学性能等特点,在光学和微电子等多个领域中有着广泛的应用。制备SiO_(2)薄膜的工艺方法及工艺条件都会影响其性能,但目前对其系统性研究仍有欠缺。本工作探讨了磁控溅射和热氧... 二氧化硅(SiO_(2))薄膜因出色的光学、介电、抗刻蚀和优异力学性能等特点,在光学和微电子等多个领域中有着广泛的应用。制备SiO_(2)薄膜的工艺方法及工艺条件都会影响其性能,但目前对其系统性研究仍有欠缺。本工作探讨了磁控溅射和热氧化两种制备方法,以及各种工艺条件对SiO_(2)薄膜性能的影响。首先,研究了磁控溅射过程中溅射功率对沉积速率和膜层粗糙度的影响。结果表明随着溅射功率的增加,沉积速率和膜层粗糙度均增大。其次,创新地利用马弗炉在空气氛围下进行热氧化,并与标准氧化炉的干氧和湿氧氧化进行了比较。结果表明:氧化温度要大于800℃;在900~1100℃氧化速率线性增加;在1200℃时速率增加变缓,由于空气中氧气供应略不足。基于低价位的马弗炉设备成功制备出高质量的SiO_(2)薄膜。随后,对磁控溅射与不同氛围下热氧化制得的SiO_(2)薄膜进行了折射率和抗刻蚀性的表征与对比分析。结果表明热氧化制备的SiO_(2)薄膜具有更高的折射率和更好的抗刻蚀特性。本研究不仅丰富了SiO_(2)薄膜制备的理论基础,还为不同制备方法和不同工艺条件下制得的SiO_(2)薄膜的性能提供了参考,具有较好的理论价值和实践意义。 展开更多
关键词 sio_(2)薄膜 磁控溅射 热氧化 折射率 抗刻蚀特性
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一种制备SiO_(2)膜的方法——氧等离子体处理聚硅烷涂层 被引量:2
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作者 谢茂浓 彭志坚 +1 位作者 唐琳 傅鹤鉴 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期873-878,共6页
作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层 ,成功地制备了SiO2 膜 由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数 ,随氧等离子体处理时间的不同在 10 65~ 10 88cm- 1范围变化 ;XPS谱给出Si2 p的结合能为 10 3.3~ 10 3.5eV ,硅氧原子比为 1∶1 99;激... 作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层 ,成功地制备了SiO2 膜 由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数 ,随氧等离子体处理时间的不同在 10 65~ 10 88cm- 1范围变化 ;XPS谱给出Si2 p的结合能为 10 3.3~ 10 3.5eV ,硅氧原子比为 1∶1 99;激光椭园偏振仪测得折射率在 1.30~ 1.55范围 ;MOS电容的高频C V特性曲线表明 ,平带电压为正 ,计算得氧化物电荷的电性为负 ,密度为 6.6× 10 10 ~ 8.8× 10 11cm- 2 ,其大小可以通过改变处理条件进行控制 ;BT实验表明 ,可动电荷密度为 ( 3~ 6)× 10 10 cm- 2 ,这种新型的SiO2 展开更多
关键词 聚硅烷 氧等离子体处理 sio_(2)薄膜 氧化物电荷
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基于128°YX-LiNbO_(3)压电材料的DMS滤波器设计
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作者 谭纪伟 王方 +3 位作者 周杨春 滕洪菠 王华东 王巍 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第6期847-850,共4页
设计了一种基于128°YX-LiNbO_(3)压电材料的双模耦合声表面波(DMS)滤波器。采用耦合模(COM)模型进行理论分析,得到DMS滤波器的二维器件模型,再采用COMSOL进行二维器件仿真分析,得到单级DMS滤波器。为了消除该DMS滤波器在其低端近... 设计了一种基于128°YX-LiNbO_(3)压电材料的双模耦合声表面波(DMS)滤波器。采用耦合模(COM)模型进行理论分析,得到DMS滤波器的二维器件模型,再采用COMSOL进行二维器件仿真分析,得到单级DMS滤波器。为了消除该DMS滤波器在其低端近阻带附近出现的肩峰,该文提出将DMS滤波器表面覆盖一层SiO_(2)薄膜,形成温度补偿结构,从而解决低端近阻带附近的肩峰。结果表明,设计的DMS滤波器的中心频率为891.0 MHz,最小插入损耗为-1.29 dB,1 dB带宽为34.0 MHz,相对带宽为3.8%,矩形系数为2.94,带外抑制约为-20 dB。 展开更多
关键词 双模耦合声表面波(DMS)滤波器 128°YX-LiNbO_(3) sio_(2)薄膜 肩峰
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Eu^(3+)在SiO_(2)气凝胶薄膜中的发光动力学过程
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作者 张步新 赵伟明 +4 位作者 朱文清 王克胜 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期637-638,641,共3页
利用溶胶-凝胶法制得了Eu3+掺杂SiO2气凝胶薄膜,通过原子力显微镜对样品的形貌结构进行了观测,测量了样品的激发-发射光谱和时间分辨光谱,研究了Eu3+的发光动力学过程,所得结论与实验值的拟合结果相一致。
关键词 稀土发光中心 sio_(2) 气凝胶薄膜 动力学方程
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