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高功率亚纳秒GaAs光电导开关的研究 被引量:21
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作者 施卫 赵卫 +1 位作者 张显斌 李恩玲 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期867-872,共6页
报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果 .其中 8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达 2 8kV ,分别用ns和ps激光脉冲触发开关的结果表明 ,开关输出电磁脉冲无晃动 ,电流脉冲上升时间小于 2 0 0ps ,... 报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果 .其中 8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达 2 8kV ,分别用ns和ps激光脉冲触发开关的结果表明 ,开关输出电磁脉冲无晃动 ,电流脉冲上升时间小于 2 0 0ps ,脉宽达亚ns,3mm电极间隙的GaAs开关的峰值电流达 5 6 0A ,电磁脉冲重复率 10 8Hz.给出不同电极间隙的GaAs开关工作于线性和lock on状态下的实验结果 ,测试了GaAs开关工作于lock on状态下的光能。 展开更多
关键词 半导体光电导开关 lock-on效应高功率超快电脉冲 GAAS 砷化镓
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超快大功率SiC光导开关的研究 被引量:12
2
作者 严成锋 施尔畏 +2 位作者 陈之战 李祥彪 肖兵 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期425-428,共4页
选用钒掺杂浓度为0.2at%的高质量6H-SiC晶体,电阻率为7.0×10^8Ω·cm,研制出超快大功率SiC光导开关.在脉冲宽度为20ns的光源激发下,分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性.结果表明:1mm电极间... 选用钒掺杂浓度为0.2at%的高质量6H-SiC晶体,电阻率为7.0×10^8Ω·cm,研制出超快大功率SiC光导开关.在脉冲宽度为20ns的光源激发下,分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性.结果表明:1mm电极间隙的SiC开关器件的性能优越,耐偏压高,光导电脉冲的上升时间快(6.8ns),脉宽〈20ns,稳定性好.负载为40Ω的电阻上输出线性电脉冲电压随开关的偏置电压和光强增大而增大,在2.5kV的偏置电压下,最大瞬时电流约为57.5A,瞬时功率高达132kW. 展开更多
关键词 碳化硅 钒掺杂 半绝缘 光导开关
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一种新型的光控光导半导体开关解析模型 被引量:4
3
作者 龚仁喜 张义门 +2 位作者 石顺祥 张玉明 孙艳玲 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期101-105,共5页
建立了一个新型的光控光导半导体开关 (简称光导开关 )解析模型 ,该模型通过拉氏变换求解了连续性方程 ,考虑了载流子的表面复合和体复合效应、载流子输运过程中的载流子载流子散射效应和漂移速度的负微分效应、光作用过程的丹倍效应和... 建立了一个新型的光控光导半导体开关 (简称光导开关 )解析模型 ,该模型通过拉氏变换求解了连续性方程 ,考虑了载流子的表面复合和体复合效应、载流子输运过程中的载流子载流子散射效应和漂移速度的负微分效应、光作用过程的丹倍效应和光的反射、光强随深度的衰减效应。计算了光导开关的几个重要参数并获得了开关电流和输出电压等的波形。计算表明光强与光电导的关系在所谓的“线性模式”下并非是严格线性的。最后将计算结果与实验结果进行了比较 ,两者相符较好。 展开更多
关键词 拉氏变换 光导开关 解析模型 半导体
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高增益砷化镓光导开关中的特征量分析 被引量:11
4
作者 刘鸿 阮成礼 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期394-397,共4页
分析了高增益本征砷化镓光导开关(PCSS)中的几个重要参量,研究了光导开关的物理机制,发展了以畴电子崩(DEA)为基础的流注理论。提出了畴电子崩的3个必要条件:初始载流子密度n_(LD)≥3×10^(15)cm^(-3),耗尽层的空穴密度和积累层的... 分析了高增益本征砷化镓光导开关(PCSS)中的几个重要参量,研究了光导开关的物理机制,发展了以畴电子崩(DEA)为基础的流注理论。提出了畴电子崩的3个必要条件:初始载流子密度n_(LD)≥3×10^(15)cm^(-3),耗尽层的空穴密度和积累层的电子密度至少其中之一能够超过畴电子崩的阈值n_(cs),非平衡载流子密度区域沿电场方向的特征长度ΔZ必须大于畴电子崩转变为局域流注时的生长畴宽度b。揭示了流注的光致电离效应产生的局域平均载流子密度的上限大约为10^(17)cm^(-3)·ps^(-1),能够为后代生长畴提供的初始载流子密度为3×10^(15)≤n(t=0)<10^(17)cm^(-3);流注的传播速度范围大约为2.97×10~8≤v_(pro)≤6.21×10~9cm/s。理论分析结果与实验观察一致。 展开更多
关键词 光电子学 参量值范围 仿真比较 光导开关
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正对电极结构型碳化硅光导开关的制备与性能研究 被引量:7
5
作者 常少辉 刘学超 +3 位作者 黄维 周天宇 杨建华 施尔畏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1058-1062,共5页
采用钒掺杂半绝缘6H-SiC衬底,以Ni/Au为接触电极制备了一系列正对电极结构型光导开关,对SiC光导开关进行了不同外加电压、激发光强、激发光波长条件下的测试,着重研究了SiC光导开关的光电吸收效应和光电响应性能.实验结果表明,532 nm的... 采用钒掺杂半绝缘6H-SiC衬底,以Ni/Au为接触电极制备了一系列正对电极结构型光导开关,对SiC光导开关进行了不同外加电压、激发光强、激发光波长条件下的测试,着重研究了SiC光导开关的光电吸收效应和光电响应性能.实验结果表明,532 nm的激光激发的脉冲信号宽度远小于1064 nm的激光激发的脉冲信号宽度,半绝缘6H-SiC衬底对532 nm激光的吸收系数在0.601~0.692 mm–1之间;采用532 nm的激光激发光导开关,获得了纳秒量级的响应信号;流经开关的瞬态电流随着外加电压和激发光能量的增加而增大,随着衬底厚度的增加而减小. 展开更多
关键词 光导开关 钒掺杂6H-SiC 正对电极结构
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基于光导开关的光电集成一体化装配技术研究
6
作者 周义 张晨璐 +2 位作者 罗燕 王博巍 孙树丹 《科技创新与应用》 2024年第25期76-79,共4页
随着微电子技术的发展,光导开关是一种新型的快速电子器件,在高功率脉冲、超快光电控制等领域有广泛的应用。作为一种复杂的光电混合器件,在高电压高功率应用场景下,需要同时满足微波输出、光学对位、耐高压等要求。在一体化装配过程中... 随着微电子技术的发展,光导开关是一种新型的快速电子器件,在高功率脉冲、超快光电控制等领域有广泛的应用。作为一种复杂的光电混合器件,在高电压高功率应用场景下,需要同时满足微波输出、光学对位、耐高压等要求。在一体化装配过程中,碳化硅光导开关存在碳化硅晶片易碎、输入激光易损耗等问题,因此,该文从光波导装配设计、一体化装配设计和一体化装焊仿真3个方面进行研究,通过柔性装配实现耐高压光导开关封装。 展开更多
关键词 光导开关 光波导 一体化装配 装焊仿真 超快光电控制
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射流微通道耦合高效散热器传热实验研究 被引量:1
7
作者 潘瑶 刘欣 巩萌萌 《太赫兹科学与电子信息学报》 2023年第11期1397-1402,共6页
针对光导开关高重复频率运行时产生丝电流加热,使光导开关温度迅速超过材料最高允许使用温度,造成开关失效或损伤的难题,本文结合微通道散热技术和射流冷却技术的优点,设计了射流微通道耦合高效散热器。通过实验测试,对不同运行工况下... 针对光导开关高重复频率运行时产生丝电流加热,使光导开关温度迅速超过材料最高允许使用温度,造成开关失效或损伤的难题,本文结合微通道散热技术和射流冷却技术的优点,设计了射流微通道耦合高效散热器。通过实验测试,对不同运行工况下射流微通道耦合高效散热器的传热特性进行了研究,并与美国进口的蜂窝型微通道散热器进行散热性能对比。实验结果表明:体积流量为3 L/min的情况下,射流微通道耦合高效散热器的换热系数超过35000 W/(K·m^(2)),散热量高达1000 W,相比蜂窝型微通道散热器散热量提升了45%。在测试流量下,随着体积流量的增加,射流微通道耦合高效散热器的平均换热系数接近线性增加,而蜂窝型微通道散热器的平均换热系数在大流量下却增加缓慢。此外,采用射流微通道耦合高效散热器冷却的热源面温度均匀性明显优于采用蜂窝型微通道散热器冷却的热源面温度均匀性,采用射流微通道耦合高效散热器的热源面温度波动能降低58%,更有利于降低光导开关热应力。 展开更多
关键词 射流阵列 微通道 实验研究 光导开关
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光电开关锁定机理的理论分析 被引量:2
8
作者 赵会娟 牛憨笨 《光子学报》 EI CAS CSCD 1997年第1期61-70,共10页
光电开关锁定(lock-on)现象自1990年报道以来已受到广泛关注,许多学者研究其机理并已开展研究将其应用到高压脉冲发生系统中,但目前所有的研究尚处于起步阶段.本文就光电开关锁定机理作了较全面的理论分析,认为光电开关的锁定是... 光电开关锁定(lock-on)现象自1990年报道以来已受到广泛关注,许多学者研究其机理并已开展研究将其应用到高压脉冲发生系统中,但目前所有的研究尚处于起步阶段.本文就光电开关锁定机理作了较全面的理论分析,认为光电开关的锁定是光与电联合作用的结果,耿氏效应引起场强动态增强,光脉冲产生的光电子引起本征碰撞电离,从而比较完整地解释了光电开关处于锁定状态时的增益现象. 展开更多
关键词 光电开关 锁定 半导体开关
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介质壁加速器用固态脉冲形成线设计与实验 被引量:4
9
作者 谌怡 刘毅 +10 位作者 陈莹 王卫 夏连胜 张篁 潘海峰 吕璐 张文斌 朱隽 石金水 章林文 邓建军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期275-279,共5页
设计和研制了一种CaO-TiO2-Al2O3复合陶瓷平板固态脉冲形成线,以期用于介质壁加速器。该脉冲形成线的几何参数为:陶瓷介质长度300mm,宽度15mm,厚度1mm;银电极长度280mm,宽度2mm。电性能参数为:相对介电常数约23.5,特征阻抗约26Ω,电长度... 设计和研制了一种CaO-TiO2-Al2O3复合陶瓷平板固态脉冲形成线,以期用于介质壁加速器。该脉冲形成线的几何参数为:陶瓷介质长度300mm,宽度15mm,厚度1mm;银电极长度280mm,宽度2mm。电性能参数为:相对介电常数约23.5,特征阻抗约26Ω,电长度约4.5ns,直流耐压场强大于20kV/mm,在μs量级上升时间的脉冲电压下绝缘强度大于25kV/mm。该固态脉冲形成线设计兼顾了光导开关的使用要求、高梯度绝缘子的设计指标、带电粒子束的输运及加速器的结构设计要求。结合GaAs光导开关,开展了固态Blumlein脉冲形成线实验研究工作,在脉冲充电电压约25kV的条件下,固态Blumlein脉冲形成线实现脉冲电压输出约23kV。 展开更多
关键词 介质壁加速器 固态脉冲形成线 复合陶瓷 Blumlein脉冲形成线 光导开关
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介质壁加速器关键技术 被引量:3
10
作者 章林文 夏连胜 +3 位作者 谌怡 王卫 刘毅 张篁 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1769-1775,共7页
质子放射用于放射肿瘤治疗有良好效果,需要用到质子加速器。介质壁加速器(DWA)是一种基于固态脉冲形成线、光导开关和绝缘介质壁等关键技术为一体的新概念直线加速器,可用于质子肿瘤治疗。为此,介绍了研发新型医疗加速器的必要和介质壁... 质子放射用于放射肿瘤治疗有良好效果,需要用到质子加速器。介质壁加速器(DWA)是一种基于固态脉冲形成线、光导开关和绝缘介质壁等关键技术为一体的新概念直线加速器,可用于质子肿瘤治疗。为此,介绍了研发新型医疗加速器的必要和介质壁加速器用于肿瘤治疗的优势:质子用于肿瘤治疗时,有明确的射程,可以使辐射剂量主要沉淀在肿瘤区域,提高治疗效果,降低对非肿瘤区正常组织的伤害;介质壁加速器加速梯度最高可达100 MV/m,可以有效实现加速器的小型化、紧凑化,降低建造以及运行维护成本。此外,重点介绍了中国工程物理研究院流体物理研究所在介质壁加速器关键技术研究所取得的进展,包括固态脉冲形成线技术,高梯度绝缘介质壁技术,光导开关及其触发技术,以及一种300 k V的脉冲功率源等。 展开更多
关键词 介质壁加速器 质子 肿瘤治疗 固态脉冲形成线 高梯度绝缘子 光导开关
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光导开关非线性导通时的载流子累加效应 被引量:2
11
作者 孙艳玲 刘小龙 +1 位作者 刘欢 石顺祥 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期281-284,共4页
利用半导体激光器作为触发源,对砷化镓光导开关进行了实验研究,重点研究了载流子累加效应对开关输出特性的影响。实验结果表明,光导开关的导通机制与内部载流子数的多少直接相关,当开关中的载流子数积累到雪崩碰撞电离条件,开关就会发... 利用半导体激光器作为触发源,对砷化镓光导开关进行了实验研究,重点研究了载流子累加效应对开关输出特性的影响。实验结果表明,光导开关的导通机制与内部载流子数的多少直接相关,当开关中的载流子数积累到雪崩碰撞电离条件,开关就会发生非线性导通。采用低能量光脉冲序列触发光导开关,获得了高功率输出,降低了开关非线性导通时的触发光能和偏置电压,对于光导开关的应用具有重要意义。 展开更多
关键词 光导开关 砷化镓 非线性工作模式 载流子累加效应 半导体激光器
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纳秒级脉宽砷化镓激光器阵列 被引量:1
12
作者 谭吉春 杜少军 刘少波 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 1996年第4期530-534,共5页
报导砷化镓激光器阵列的实验结果。该阵列光束的脉宽约0.7~5ns,近场光斑面积约100mm×6mm;已被用于触发高功率电磁脉冲发生器中的半导体光导开关阵列。报导一种提高光脉冲重复率的方法—双脉冲序列法,用该方法使... 报导砷化镓激光器阵列的实验结果。该阵列光束的脉宽约0.7~5ns,近场光斑面积约100mm×6mm;已被用于触发高功率电磁脉冲发生器中的半导体光导开关阵列。报导一种提高光脉冲重复率的方法—双脉冲序列法,用该方法使激光脉冲等效重复率达约100MHz;介绍一种使激光器阵列输出光斑中光能均匀分布的多光束叠加方案。 展开更多
关键词 激光器阵列 纳秒脉冲技术 半导体激光
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光电导开关面临的问题及发展趋势 被引量:1
13
作者 李寅鑫 苏伟 《信息与电子工程》 2009年第1期56-60,65,共6页
光电导开关具有传统高功率脉冲器件不具备的优良性能,在产生高功率脉冲领域有很大发展潜力。使用光导开关能直接从直流电源产生电磁脉冲。根据各种应用对光导开关性能指标的不同要求,将其归纳为大功率脉冲应用与超短电磁脉冲应用两类。... 光电导开关具有传统高功率脉冲器件不具备的优良性能,在产生高功率脉冲领域有很大发展潜力。使用光导开关能直接从直流电源产生电磁脉冲。根据各种应用对光导开关性能指标的不同要求,将其归纳为大功率脉冲应用与超短电磁脉冲应用两类。阐述了光电导开关在理论、实用化方面遇到的问题以及目前学术界、业界对其解决的方法。对各种解决方法做出评价并展望光导开关未来发展趋势。 展开更多
关键词 光电导开关 锁定现象 综述 使用寿命 碳化硅
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光导开关在超宽带雷达中的应用
14
作者 谢玲玲 龚仁喜 刘思力 《广西大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2006年第B06期210-213,共4页
超宽带雷达以其高距离分辨率、强抗干扰性、反隐身等优良特性受到各国日益广泛的关注.本文简要介绍了超宽带雷达的特点,阐述了光导开关在超宽带雷达中的应用以及国内外研究现状,并探讨了其应用前景.
关键词 光导开关 超宽带雷达 特性
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外延层厚度对垂直结构6H-SiC光导开关特性影响的研究(英文)
15
作者 周郁明 姜浩楠 《电子器件》 CAS 北大核心 2013年第5期589-593,共5页
设计了新颖的具有垂直结构的6H-SiC光导开关。首先采用离子注入工艺在半绝缘6H-SiC衬底两侧生成一层p+离子注入层,然后利用外延工艺在其中的一侧生长一层n+外延层,并将此侧定义为开关的阴极。利用二维半导体器件仿真软件,研究了n+外延... 设计了新颖的具有垂直结构的6H-SiC光导开关。首先采用离子注入工艺在半绝缘6H-SiC衬底两侧生成一层p+离子注入层,然后利用外延工艺在其中的一侧生长一层n+外延层,并将此侧定义为开关的阴极。利用二维半导体器件仿真软件,研究了n+外延层厚度对6H-SiC光导开关特性的影响。结果表明,增加外延层厚度可以提高开关的击穿电压;而开关的导通电流,首先随着n+外延层厚度的增加而减小,在n+外延层厚度为5μm达到最小值,随后随着厚度的增加,导通电流增加。 展开更多
关键词 半绝缘 SiC 光导开关 击穿电压
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激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响
16
作者 张永平 陈之战 +3 位作者 石旺舟 章林文 刘毅 谌怡 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期233-237,共5页
采用钒掺杂半绝缘4H-SiC衬底,利用磁控溅射在硅衬底上制备了Ni/Au金属电极,并封装加工成同面型横向电极结构SiC光导开关,研究了不同激光触发能量对光导开关光电响应及导通电阻的影响。用波长532nm的激光作为触发源,当激光触发能量从26.... 采用钒掺杂半绝缘4H-SiC衬底,利用磁控溅射在硅衬底上制备了Ni/Au金属电极,并封装加工成同面型横向电极结构SiC光导开关,研究了不同激光触发能量对光导开关光电响应及导通电阻的影响。用波长532nm的激光作为触发源,当激光触发能量从26.7mJ增加到43.9mJ时,光导开关的导通电阻从295Ω降低到197Ω。利用复合理论推导出激光触发时导带中载流子浓度随时间的变化规律,并利用MATLAB模拟计算了不同触发能量下开关的导通电阻,得到了与实验较一致的结果。在此基础上,提出了降低开关导通电阻的两种途径。 展开更多
关键词 光导开关 钒掺杂4H-SiC 横向电极结构 导通电阻
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驱动X光二极管的级联Blumlein型脉冲网络过电压脉冲分析
17
作者 马勋 邓建军 +4 位作者 姜苹 刘宏伟 袁建强 王凌云 李洪涛 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期178-181,共4页
为了提高装置容许的运行电压以提高辐射剂量产额,开展了放电过程中影响脉冲形成网络过电压幅值因素的研究。在引入开关导通不同步性和导通电阻条件下,建立了适用于任意电阻性负载的级联Blumlein型脉冲形成网络电压波过程理论模型,基于... 为了提高装置容许的运行电压以提高辐射剂量产额,开展了放电过程中影响脉冲形成网络过电压幅值因素的研究。在引入开关导通不同步性和导通电阻条件下,建立了适用于任意电阻性负载的级联Blumlein型脉冲形成网络电压波过程理论模型,基于波过程模型进一步分析了影响脉冲形成网络过电压幅值的因素。研究表明开关不同步是产生过电压的主要因素,过电压峰值出现在开关闭合后的3倍形成网络电长度时刻。随着网络级联级数的增加,二极管阻抗与源阻抗匹配情况下最大过电压可达到-2倍充电电压,而二极管阻抗下降使得过电压幅值得以加强,阻抗过早崩溃可使过电压幅值接近充电电压的-3倍。 展开更多
关键词 闪光X光机 光导开关 级联Blumlein型脉冲形成网络 过电压 同步
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大功率光导开关硅微通道散热器设计与测试
18
作者 赵越 谢卫平 +3 位作者 刘宏伟 刘金锋 李洪涛 袁建强 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期2817-2820,共4页
因焦耳加热导致光导开关芯片温度升高并形成局部热点,影响了光导开关功率容量、重复频率和寿命的提高,因此需对光导开关进行主动冷却。设计了一种矩形微槽硅微通道散热器,其由散热器本体和盖板两部分组成,散热器本体上设有分流槽、矩形... 因焦耳加热导致光导开关芯片温度升高并形成局部热点,影响了光导开关功率容量、重复频率和寿命的提高,因此需对光导开关进行主动冷却。设计了一种矩形微槽硅微通道散热器,其由散热器本体和盖板两部分组成,散热器本体上设有分流槽、矩形微槽阵列、汇流槽,盖板通过半导体刻蚀工艺形成通孔,两部分通过硅-硅键合工艺连接以形成闭合通道。以水为工质,实验测试了不同冷却工质流量、进口温度时微通道散热器的换热性能、温度均匀性和流体阻力,证明该微通道散热器在适中的冷却工质流量下具有较高的换热性能、较低的流体阻力和较好的温度均匀性,满足重复频率大功率光导开关的散热冷却需求。 展开更多
关键词 光导开关 矩形微槽 硅微通道散热器 表面传热系数 压力降
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PVC管扩口定长系统的改进
19
作者 乔晓伟 张家欢 《鲁东大学学报(自然科学版)》 2012年第2期116-118,共3页
介绍了一种新型的扩口定长系统,该系统利用光电开关、旋转编码器、计数器实现零件的定位,并利用计数器的原理将滚轮旋转信息转换为工作所要的计长仪信号,记录工程所需的长度.结果表明:该系统可以把误差由原来的几十毫米降低到±1毫... 介绍了一种新型的扩口定长系统,该系统利用光电开关、旋转编码器、计数器实现零件的定位,并利用计数器的原理将滚轮旋转信息转换为工作所要的计长仪信号,记录工程所需的长度.结果表明:该系统可以把误差由原来的几十毫米降低到±1毫米,有效地提高了成品的加工精度. 展开更多
关键词 PVC 定长系统 光电开关 旋转编码器 计数器
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大功率光电器件光波导键合技术研究
20
作者 张晨璐 罗燕 +3 位作者 魏紫东 王乐庭 谢雅 尚吉扬 《科技创新与应用》 2024年第29期72-76,共5页
光导开关是一种新型半导体光电子器件,在光通讯、雷达、微波等领域广泛应用,但在高工作电压的条件下会发生表面击穿等问题,因此需要对其进行封装提高侧面的耐压性能。该文选用光波导的方式对碳化硅晶片进行封装,通过玻璃浆料烧结键合、... 光导开关是一种新型半导体光电子器件,在光通讯、雷达、微波等领域广泛应用,但在高工作电压的条件下会发生表面击穿等问题,因此需要对其进行封装提高侧面的耐压性能。该文选用光波导的方式对碳化硅晶片进行封装,通过玻璃浆料烧结键合、真空热压键合和光波导胶键合3种方法对小面积的侧面异质键合进行研究。通过3种方法的工艺优化及键合质量性能测试,光波导胶键合方法对激光功率的损耗最小,实现器件耐压值提升至10 kV。 展开更多
关键词 光导开关 玻璃浆料烧结 真空热压 光波导胶 键合方法
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