“强场太赫兹科学、技术与应用”专题前言

1

作者 吴晓君 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第17期1-2,F0002,共3页

强场太赫兹电磁脉冲具有高峰值电场、强峰值磁场、超快时间分辨、独特频率优势、低光子能量等特性,是操控电子轨道、调控电子自旋、激励声子振动、诱导分子谐振、研究强场效应、研发高频器件、促进工程应用等宏微交替研究的强大的光电... 强场太赫兹电磁脉冲具有高峰值电场、强峰值磁场、超快时间分辨、独特频率优势、低光子能量等特性,是操控电子轨道、调控电子自旋、激励声子振动、诱导分子谐振、研究强场效应、研发高频器件、促进工程应用等宏微交替研究的强大的光电磁手段和工具,在量子信息、电子加速、生物医学、无线通信、隐身测量、电磁效应等领域中已展现出重要的应用价值,是世界科技大国竞相抢占的战略制高点。关于强场太赫兹的辐射源、材料、器件、系统及其与物质间的相互作用等方面的研究将极大推动太赫兹技术在物理、化学、材料、生物、天文等领域中的应用,促进学科深度融合,突破知识边界,改变人类世界。 展开更多

关键词 强场效应 电子轨道 太赫兹 电子自旋 电磁效应 高频器件 光子能量 电磁脉冲

原文传递

中频数字化与矢量网络分析仪在脉冲状态下的测量 被引量：4

2

作者 徐知 《国外电子测量技术》 2014年第12期15-20,共6页

1 前言 高频矢量网络分析仪是用于测量高频器件特性参数的测量仪表，由于某些被测器件在脉冲调制激励下的表现与在连续波激励下的表现不一致，或器件的功率容量不足，为了不损害器件而不能侄连续波激励下测量器件特性，

关键词 矢量网络分析仪 测量仪表 中频数字化 脉冲状态 高频器件 特性参数 脉冲调制 功率容量

下载PDF 职称材料

高频压电器件用Co_2O_3改性PbTiO_3基压电陶瓷 被引量：2

3

作者 欧阳明智 朱满康 +1 位作者 侯育冬 严辉 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第1期130-132,135,共4页

报道了一种适用于高频压电器件的Co2O3改性Pb(Mn1/3Sb1/3)O3-PbTi O3(PT-PMS)基陶瓷。采用轧膜成型工艺制备了PT-PMS压电陶瓷,研究了加入Co2O3对陶瓷的介电、压电和机电性能的影响。结果表明,加入适量Co2O3,提高了陶瓷烧结密度,改善了... 报道了一种适用于高频压电器件的Co2O3改性Pb(Mn1/3Sb1/3)O3-PbTi O3(PT-PMS)基陶瓷。采用轧膜成型工艺制备了PT-PMS压电陶瓷,研究了加入Co2O3对陶瓷的介电、压电和机电性能的影响。结果表明,加入适量Co2O3,提高了陶瓷烧结密度,改善了陶瓷压电性能;同时,Co2O3的硬性掺杂作用使陶瓷的机械品质因数Qm明显上升。当Co2O3的质量分数为0.65%时,陶瓷表现出良好的机电性能:εr=290,d33=78 pC/N,kp=0.133,kt=0.489,Qm=2 162,TC=325℃。此外,该陶瓷具有高的居里温度TC,能满足回流焊工艺要求。 展开更多

关键词 高频器件 钛酸铅基陶瓷 居里温度 Co2O3添加剂

下载PDF 职称材料

GaAs高频器件及MMIC应用与市场探讨 被引量：1

4

作者 孙再吉 《微电子技术》 2000年第1期13-18,共6页

主要阐述了GaAs系高频器件及其MMIC在民品中的应用实例 ,以及GaAsMMIC的民品市场探讨。

关键词 砷化镓 高频器件 集成电路 MMIC

下载PDF 职称材料

铝合金高频器件真空钎焊工艺 被引量：2

5

作者 闫晓明 《航天工艺》 1995年第1期26-28,共3页

总结了真空钎焊焊接末制导雷达铝合金高频器件的主要工艺过程和方法，选定了最佳工艺参数。采用真空钎焊工艺焊接的铝合金高频器件各项性能指标均达到设计要求，目前已用于多种型号上。

关键词 铝合金 高频器件 真空钎焊 钎焊

原文传递

高频模拟开关设计 被引量：1

6

作者 张家斌 《微电子学》 CAS CSCD 1993年第5期11-15,共5页

通过带通视频模拟开关设计,对高频模拟开关的高频隔离度、插入损耗和开关速度等三个主要指标进行了分析;阐述了高频模拟开关的设计思路和方法。

关键词 T型 开关网络 模拟开关 高频器件

下载PDF 职称材料

半导体器件

7

《电子科技文摘》 2001年第4期28-30,共3页

Y2000-62523 01057162000年 IEEE 国际微电子测试结构会议录=2000IEEE international conference on microelectronic teststructures[会,英]/IEEE Electron Devices Society.—IEEE.2000.—251P.(PC)本次会议由 IEEE 电子器件学会主办,... Y2000-62523 01057162000年 IEEE 国际微电子测试结构会议录=2000IEEE international conference on microelectronic teststructures[会,英]/IEEE Electron Devices Society.—IEEE.2000.—251P.(PC)本次会议由 IEEE 电子器件学会主办,于2000年3月13～16日在加州蒙特里召开。该会议录共收录44篇论文。内容涵盖临界尺寸方法,器件特征。 展开更多

关键词 半导体器件模拟 情报通信 电子器件 测试结构 研究报告 固体电子学 学会 化合物半导体 会议录 高频器件

原文传递

半导体器件

8

《电子科技文摘》 2000年第1期23-25,共3页

Y99-61556-1715 0000264毫米波频率 GaInP 雪崩渡越时间器件的表征=Char-acterization of GaInP avalanche transit time device in mil-limeter-wave frequencies[会,英]/Meng,C.C.& Liao,G.R.//1998 IEEE MTT-s International Mic... Y99-61556-1715 0000264毫米波频率 GaInP 雪崩渡越时间器件的表征=Char-acterization of GaInP avalanche transit time device in mil-limeter-wave frequencies[会,英]/Meng,C.C.& Liao,G.R.//1998 IEEE MTT-s International MicrowaveSymposmm(Digest),Vol.3.—1715～1718(AZ) 展开更多

关键词 情报通信 电子器件 研究报告 绝缘体上硅 晶闸管 高频器件 功率损耗 半导体器件 单电子晶体管 化合物半导体

原文传递

太赫兹InP DHBT器件研究

9

作者 陈卓 何庆国 +1 位作者 崔雍 周国 《微波学报》 CSCD 北大核心 2022年第2期76-79,85,共5页

InP DHBT器件具有优异的高频特性、良好的散热、击穿和噪声性能,是实现超高频、低噪声功率放大电路设计的最具性能优势的器件之一。文中简要介绍和分析了影响高频器件电性能参数的主要因素,优化了材料结构和版图设计,最终采用三台面湿... InP DHBT器件具有优异的高频特性、良好的散热、击穿和噪声性能,是实现超高频、低噪声功率放大电路设计的最具性能优势的器件之一。文中简要介绍和分析了影响高频器件电性能参数的主要因素,优化了材料结构和版图设计,最终采用三台面湿法化学腐蚀工艺、自终止工艺、自对准光刻工艺和空气桥工艺等加工工艺研制得到发射极线宽0.7μm的InP DHBT器件,并配套集成了平行板电容和金属薄膜电阻,片内器件一致性良好。不断缩小器件基区台面面积,器件电性能最终实现:最大直流增益β为30,10μA下的集电极-发射极击穿电压BV_(CEO)为3.2 V,截止频率f(fr)为358 GHz,最大振荡频率f(fmax)为407 GHz。测试结果表明,该器件可应用于220 GHz放大器、100 GHz以下压控振荡器等数模混合集成电路。 展开更多

关键词 磷化铟双异质结双极型晶体管 制造工艺 高频器件 空气桥

下载PDF 职称材料

毫米波高频器件高效加工方法 被引量：1

10

作者 于文花 肖爱群 +1 位作者 王志鹏 杨金华 《焊接》 北大核心 2016年第7期61-65,71,共5页

由于某毫米波高频器件原有的结构和加工方法无法全面保证部件的尺寸、形位公差,对其电气性能产生了不利影响,延缓了电气调试进度。通过对原加工方法的分析,提出了毫米波某高频器件一种高效加工的工艺方法——整体焊接方法。通过对毫米... 由于某毫米波高频器件原有的结构和加工方法无法全面保证部件的尺寸、形位公差,对其电气性能产生了不利影响,延缓了电气调试进度。通过对原加工方法的分析,提出了毫米波某高频器件一种高效加工的工艺方法——整体焊接方法。通过对毫米波高频器件零件结构和加工方法的改进,使内腔尺寸、形位公差得到很好的保证,为后续电气调试提供了便利,并且经试验一次加工合格率达到100%。 展开更多

关键词 真空钎焊 高频器件 毫米波 工艺研究

下载PDF 职称材料

高频器件驻波系数测量方法研究 被引量：1

11

作者 王永全 《黑龙江科技信息》 2009年第16期35-35,216,共2页

驻波系数是高频器件的一个重要性能参数,以下研究了一种驻波系数的测量方法和原理,利用扫频仪在长馈线上形成波的动态参数来得到高频器件的驻波系数,同时分析了系统的测量误差。

关键词 驻波系数 长馈线 扫频仪 高频器件 测量误差

下载PDF 职称材料

高频器件的测试与封装初探(一)

12

作者 张伟水 王瑞 《中国集成电路》 2002年第8期86-88,共3页

信息时代的到来对高频器件的测试与封装提出了更高的要求。一方面新的高频器件和电路不断推出;另一方面测试的频率不断提升,封装的体积和密度日趋变小。在此。

关键词 高频器件 封装 测试要求 贴片机 微波探针 探针台 载片台 测试环境 和电路 光电器件

下载PDF 职称材料

新型高频VDMOS功率器件的研究

13

作者 秦祖新 刘三清 应建华 《微电子学》 CAS CSCD 1991年第5期36-39,共4页

作者采用一种新方法设计了可在高压下工作的高频VDMOS器件,该器件具有二级场板终端结构。通过在工艺上利用多晶硅选择氧化形成漏表面厚氧化层,不仅可以有效地减小C_(gd),而且可以减小C_(gs)。该方法简化了器件制作工艺并实现了自对准扩散。

关键词 功率器件 VDMOS 高频器件 工艺

下载PDF 职称材料

LiNbO_3基片上准纵模声表面漏波的研究

14

作者 李永川 章德 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1997年第3期357-361,共5页

对高声速材料，高声速的声波模式研究已成为实现高频ＳＡＷ器件的重要方向之一．众所周知，一般的纵声波的速度是ＳＡＷ声速的两倍．因此对准纵模表面漏波的研究就引起了人们的注意．本文以ＬｉＮｂＯ３样品为例进行了一些搜索，发现在... 对高声速材料，高声速的声波模式研究已成为实现高频ＳＡＷ器件的重要方向之一．众所周知，一般的纵声波的速度是ＳＡＷ声速的两倍．因此对准纵模表面漏波的研究就引起了人们的注意．本文以ＬｉＮｂＯ３样品为例进行了一些搜索，发现在欧勒角为α＝０°，β，γ＝９０°的某些范围内，它的声速可高达７０００ｍ／ｓ，机电耦合系数可在０．１４％左右，自由化表面和金属化表面的衰减都非常小，并在实验上得到了证实． 展开更多

关键词 高频器件 准纵向漏表面波 铌酸锂 声表面波器件

下载PDF 职称材料

使用S—10系统测试高频率器件方法

15

作者 周红 《微电子测试》 1990年第4期21-28,共8页

关键词 数字型 LSI测试系统 高频器件

下载PDF 职称材料

14.5～15GHz 11W内匹配功率器件

16

作者 康建磊 杨克武 +1 位作者 吴洪江 吴阿慧 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期190-193,共4页

介绍了一种采用GaAs PHEMT管芯设计的超高频内匹配功率器件。为了在更高的频率获得较高的输出功率,采用0.25μm栅长的PHEMT工艺,制作了总栅宽19.2 mm的大功率管芯。采用频带较宽的微带渐变传输线和T型网络共同组成栅极和漏极的匹配电路... 介绍了一种采用GaAs PHEMT管芯设计的超高频内匹配功率器件。为了在更高的频率获得较高的输出功率,采用0.25μm栅长的PHEMT工艺,制作了总栅宽19.2 mm的大功率管芯。采用频带较宽的微带渐变传输线和T型网络共同组成栅极和漏极的匹配电路,并对封装管壳进行优化,有效提高了器件的微波特性。在带内频率14.5～15 GHz、漏源电压Vds为8 V时,器件输出功率大于40.4 dBm(11 W),线性功率增益为7 dB,功率附加效率大于23%。 展开更多

关键词 GAAS PHEMT 内匹配 高频器件 输入阻抗 输出阻抗

下载PDF 职称材料

4家国家制造业创新p心获批组建A股这些公司已抢先入局

17

作者 郗盼 《投资有道》 2021年第12期44-45,共2页

近日,工业和信息化部批复组建国家5G中高频器件创新中心、国家玻璃新材料创新中心、国家高端智能化家用电器创新中心、国家智能语音创新中心等4家国家制造业创新中心。梳理发现,近20家上市公司已经涉及其中。

关键词 制造业创新 材料创新 工业和信息化部 高频器件 智能语音 上市公司 家用电器 组建

原文传递

高频器件建模软件

18

作者 杜红彦 高学邦 王小旭 《半导体情报》 2000年第1期51-54,共4页

介绍了一种自行开发的高频器件建模软件的功能、特点及使用方法。

关键词 高频器件 建模软件 应用程序

下载PDF 职称材料

高频电感器和变压器几种设计方法的损耗比较

19

作者 吴东法 《电子变压器技术》 2000年第3期5-8,4,共5页

本文以薄小型、低损耗、５００ｋＨｚ器件为例，对广泛应用于高频电感器和变压器的三种设计方法作了精确比较。并与精确的有限单元模型法得到的结果比较发现，用标准方法能得到的铜耗和铁损值出乎意料的精确。

关键词 高频器件 电感器 变压器 损耗 设计

原文传递

长寿命抗干扰测试针在SOT363半导体高频器件测量中的应用

20

作者 唐明津 陈伟 陈新 《电子与封装》 2017年第7期8-10,20,共4页

在半导体器件生产企业中,使用测试针接触器件的引脚进行电参数测量,必须考虑两个问题。一个问题是降低测试针与器件引脚间的接触电阻。在自动化生产线中,企业要想得到高精度的测量值,必须经常替换已磨损的测试针,才能获得更高的成品率... 在半导体器件生产企业中,使用测试针接触器件的引脚进行电参数测量,必须考虑两个问题。一个问题是降低测试针与器件引脚间的接触电阻。在自动化生产线中,企业要想得到高精度的测量值,必须经常替换已磨损的测试针,才能获得更高的成品率。另一个问题是降低外部信噪对半导体高频器件(工作频率>2 GHz)HFE参数测量的影响。外部信噪会使高频器件的HFE参数不稳定,造成成品率的降低。通过SOT363测试针设计实例,介绍了新型长寿命抗干扰测试针的设计方法。 展开更多

关键词 长寿命抗干扰测试针 高频器件 成品率

下载PDF 职称材料