ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究 被引量：12

1

作者 陈兢 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期476-478,共3页

对影响电感耦合等离子(ICP)刻蚀侧壁形貌的工艺参数进行了分析,通过改变刻蚀/钝化周期、平板电极功率、钝化气体C4F8流量以及重叠周期等工艺参数,对侧壁的形貌进行调整.通过实验,得到了控制侧壁形貌正负的优化方案,并极大地减小了Bowin... 对影响电感耦合等离子(ICP)刻蚀侧壁形貌的工艺参数进行了分析,通过改变刻蚀/钝化周期、平板电极功率、钝化气体C4F8流量以及重叠周期等工艺参数,对侧壁的形貌进行调整.通过实验,得到了控制侧壁形貌正负的优化方案,并极大地减小了Bowing效应;提出一种消除Notching效应的新方法,并用于深槽隔离工艺,取得了很好的效果. 展开更多

关键词 微机电系统 电感耦合等离子(icp)刻蚀 深反应离子刻蚀(DRIE) 侧壁形貌 Notching效应 Bowing效应

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基于高深宽比Si干法刻蚀参数优化 被引量：11

2

作者 陈少军 李以贵 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第12期750-754,共5页

为满足体硅MEMS制造工艺进一步发展的需要,对电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺参数进行了深入分析,着重分析了平板功率对Si干法刻蚀的影响。通过对Si干法刻蚀的主要工艺参数进行正交试验,得出了一组较为理想的刻蚀工艺参数:刻蚀气体SF6和... 为满足体硅MEMS制造工艺进一步发展的需要,对电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺参数进行了深入分析,着重分析了平板功率对Si干法刻蚀的影响。通过对Si干法刻蚀的主要工艺参数进行正交试验,得出了一组较为理想的刻蚀工艺参数:刻蚀气体SF6和保护气体C4F8的流量均为13cm3·min-1,在一个周期内通入刻蚀气体SF6的时间为4s,通入钝化气体C4F8的时间为3s;线圈功率为400W,平板功率为110W。利用这组优化的工艺参数进行Si的干法刻蚀,所得到的微结构的深宽比将大于20∶1,同时侧壁垂直度能够很好地控制在90°±1°。 展开更多

关键词 微机电系统 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 平板功率 正交试验 深宽比

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MEMS硅半球陀螺球面电极成形工艺 被引量：9

3

作者 庄须叶 喻磊 +3 位作者 王新龙 李平华 吕东锋 郭群英 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2746-2752,共7页

由于球面电极是曲面结构,电极各处的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀深度不一致,在加工过程中常发生球面电极还未刻蚀到位而谐振器已被破坏的现象,故本文提出了新的球面电极成形工艺。基于ICP刻蚀固有的lag效应,采用刻蚀窗口宽度由60μm渐变... 由于球面电极是曲面结构,电极各处的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀深度不一致,在加工过程中常发生球面电极还未刻蚀到位而谐振器已被破坏的现象,故本文提出了新的球面电极成形工艺。基于ICP刻蚀固有的lag效应,采用刻蚀窗口宽度由60μm渐变至10μm的V形刻蚀掩模调制电极各处的刻蚀速度,在电极各处获得了基本一致的归一化刻蚀速度(2.3μm/min)。利用台阶结构拟合球面电极的3D曲面结构,并保证通刻阶段的硅厚度基本一致为150μm来消除球面电极加工时最薄处已经刻穿阻挡层并破坏谐振器而最厚处还没有刻蚀到位的现象。结合台阶状的二氧化硅掩模对球面电极各点处的硅ICP刻蚀当量进行了调整,使其基本相等,通过一次ICP刻蚀即完成了对硅球面电极的加工。利用提出的方法成功制备出了具有功能性输出的微机电系统(MEMS)半球陀螺的硅球面电极,其最大半径可达500μm。 展开更多

关键词 微机电系统 半球陀螺 球面电极 电感耦合等离子体(icp)刻蚀

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碳化硅ICP刻蚀的掩膜材料 被引量：6

4

作者 孙亚楠 石云波 +2 位作者 王华 任建军 杨阳 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第7期499-504,共6页

SiC材料由于具有非常强的化学稳定性与机械硬度,不能用酸或碱性溶液对其进行腐蚀,在MEMS制备工艺中,通常采用干法刻蚀来制备SiC结构。针对干法刻蚀中遇到的问题,比较了光刻胶、Al和Ni等多种掩膜材料对SiC刻蚀的影响以及SiC与掩膜材料的... SiC材料由于具有非常强的化学稳定性与机械硬度,不能用酸或碱性溶液对其进行腐蚀,在MEMS制备工艺中,通常采用干法刻蚀来制备SiC结构。针对干法刻蚀中遇到的问题,比较了光刻胶、Al和Ni等多种掩膜材料对SiC刻蚀的影响以及SiC与掩膜材料的选择比。实验证明,光刻胶作为掩膜,与SiC的选择比约为1.67,并且得到的台阶垂直度较差。Al与SiC的选择比约为7,但是致密性差,并且有微掩膜效应。金属Ni与SiC的选择比约为20,并且得到的台阶比较垂直且刻蚀形貌良好。最后,使用Ni作为掩膜材料对SiC压阻式加速度传感器的背腔和压敏电阻进行了电感耦合等离子体(ICP)刻蚀。 展开更多

关键词 碳化硅(SiC) 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 掩膜图形化 选择比 刻蚀形貌

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基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜

5

作者 曾祥余 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期624-628,共5页

使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表... 使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表明,适度地增大激励功率和偏置功率可以提高刻蚀速率;合适的刻蚀时间可以在得到低粗糙度表面的同时不会过度损伤光刻胶掩膜。通过优化工艺参数,在激励功率为600 W、偏置功率为150 W、刻蚀时间为17 min下,可得到30 nm/min的Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率,刻蚀表面的垂直度高、粗糙度低,同时光刻胶掩膜形貌完好。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 Ga_(2)O_(3)薄膜 刻蚀速率 光刻胶掩膜 低粗糙度表面

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用于GaN基HEMT栅极金属TiN的ICP刻蚀工艺

6

作者 高阳 周燕萍 +3 位作者 王鹤鸣 左超 上村隆一郎 杨秉君 《微纳电子技术》 CAS 2024年第3期136-143,共8页

GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在射频(RF)通信及新能源汽车领域有着巨大的应用潜力。TiN材料因其良好的热稳定性、化学稳定性及工艺兼容性,可用作GaN基HEMT的栅极材料。采用ULVAC公司生产的NE-550型电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对Ti... GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在射频(RF)通信及新能源汽车领域有着巨大的应用潜力。TiN材料因其良好的热稳定性、化学稳定性及工艺兼容性,可用作GaN基HEMT的栅极材料。采用ULVAC公司生产的NE-550型电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对TiN材料进行了干法刻蚀工艺的研究。采用光刻胶作为刻蚀掩膜,Cl_(2)和BCl_(3)混合气体作为工艺气体,通过调整工艺参数,研究了ICP源功率、射频(RF)偏压功率、腔体压力、气体体积流量以及载台温度对TiN刻蚀速率和侧壁角度的影响。最后通过优化工艺参数,得到了TiN刻蚀速率为333 nm/min,底部平整且侧壁角度为81°的栅极结构。 展开更多

关键词 氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 TIN Cl2和BCl3混合气体 栅极结构 新能源汽车

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ICP硅深刻蚀槽壁垂直度的研究 被引量：4

7

作者 刘方方 展明浩 +2 位作者 许高斌 黄斌 管朋 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第3期185-190,共6页

电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是体硅深加工的一项关键技术。介绍了ICP刻蚀技术的相关概念与方法,在对Si(100)进行大量深刻蚀实验的基础上,深入分析刻蚀∕钝化周期、极板功率、SF6/C4F8气体流量和腔室压力等主要工艺参数对刻蚀侧壁垂... 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是体硅深加工的一项关键技术。介绍了ICP刻蚀技术的相关概念与方法,在对Si(100)进行大量深刻蚀实验的基础上,深入分析刻蚀∕钝化周期、极板功率、SF6/C4F8气体流量和腔室压力等主要工艺参数对刻蚀侧壁垂直度的影响。通过对ICP刻蚀的刻蚀∕钝化周期和极板功率参数进行正交实验,给出了通用槽宽分别为2,5和10μm时的优化工艺参数,成功实现了三个垂直度达(90±0.02)°、高深宽比≥10、侧壁光滑的深槽结构。将优化后的工艺参数用于某陀螺仪的刻蚀实验,获得了理想的刻蚀形貌。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 工艺参数 正交实验 过程优化 刻蚀垂直度

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ICP刻蚀工艺在SiC器件上的应用 被引量：3

8

作者 周燕萍 朱帅帅 +2 位作者 李茂林 左超 杨秉君 《传感器与微系统》 CSCD 2020年第11期152-154,157,共4页

Si C作为第三代半导体材料的代表性材料,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性,使其在电力电子器件领域得到广泛关注。通过采用电感耦合等离子体(ICP)设备对4H-SiC材料进行刻蚀工艺研究。该刻蚀实验采用... Si C作为第三代半导体材料的代表性材料,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性,使其在电力电子器件领域得到广泛关注。通过采用电感耦合等离子体(ICP)设备对4H-SiC材料进行刻蚀工艺研究。该刻蚀实验采用Si O2膜作为刻蚀掩模,SFx/O2作为刻蚀工艺气体,通过一系列工艺参数调整及刻蚀结果分析,得出了ICP源功率、RF偏压功率、氧气流量和腔体压强对Si C材料刻蚀速率、刻蚀选择比以及刻蚀形貌的影响,并得到最优工艺参数。对刻蚀样片进行后处理工艺,获得了底部圆滑、侧壁垂直的沟槽结构,该沟槽结构对4H-SiC功率UMOSFET性能优化起到关键性作用。 展开更多

关键词 碳化硅功率器件 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 沟槽结构 沟槽型功率场效应管

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氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的影响 被引量：2

9

作者 李鹏飞 魏淑华 +4 位作者 康玄武 张静 吴昊 孙跃 郑英奎 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期134-138,168,共6页

采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,研究了氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触电阻的影响。利用能量色散X射线光谱仪、光致发光谱和原子力显微镜以及电学测试设备对处理前后样品进行表征分析。结果表明,在最佳的氧等离子体处... 采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,研究了氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触电阻的影响。利用能量色散X射线光谱仪、光致发光谱和原子力显微镜以及电学测试设备对处理前后样品进行表征分析。结果表明,在最佳的氧等离子体处理条件(ICP功率250 W,射频功率60 W,压强0.8 Pa,氧气流量30 cm^(3)/min,时间5 min)下,欧姆接触电阻为0.41Ω·mm,比参照样品接触电阻降低了约69%。分析认为经过氧等离子体处理后,在近表面处产生了一定数量的N空位缺陷,这些N空位表现为浅能级施主掺杂,有利于欧姆接触的形成。通过采用氧等离子体表面处理工艺制备的AlGaN/GaN HEMT,在+2 V的栅极偏压下获得了0.77 A/mm的最大漏极饱和电流。 展开更多

关键词 AlGaN/GaN HEMT 欧姆接触 氧等离子体 N空位 电感耦合等离子体(icp)刻蚀

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Cl2/H2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用 被引量：2

10

作者 江山 董雷 +2 位作者 张瑞康 罗勇 谢世钟 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期583-586,共4页

采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法。结合优化的InP材料金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外... 采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法。结合优化的InP材料金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长工艺,制作出1.55μm分布反馈(DFB)激光器,端面镀膜前其阈值电流和斜率效率分别为15mA和0.3mW/mA,边模抑制比大于45dB。寿命加速老化实验结果显示,该器件40℃的中值寿命超过2×106h,表明了本文ICP光栅刻蚀工艺的可靠性。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 金属氧化物化学气相沉积(MOCVD) 分布反馈(DFB)激光器 可靠性

原文传递

退火处理降低AlGaN/GaN台面隔离电流 被引量：2

11

作者 赵志波 杨兵 +5 位作者 康玄武 张静 吴昊 孙跃 郑英奎 魏珂 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第4期293-297,311,共6页

针对电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀后,AlGaN/GaN台面区域存在隔离电流高的问题,研究了不同退火氛围、时间、温度对台面隔离电流的影响。利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)及电学测量仪器对样品进行表征和测试。测试结果表明... 针对电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀后,AlGaN/GaN台面区域存在隔离电流高的问题,研究了不同退火氛围、时间、温度对台面隔离电流的影响。利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)及电学测量仪器对样品进行表征和测试。测试结果表明,在氧气和氮气氛围退火处理均能降低样品的隔离电流,且经退火处理后样品的隔离电流均处于10-9 A/mm数量级,但在氧气氛围中退火处理会使样品的欧姆接触电阻增大。在氮气氛围下的最佳退火处理条件为400℃、120 s。在该条件下样品经过退火处理后,在200 V直流偏压下测得样品的台面隔离电流仅为4.03×10^-9 A/mm,与未经退火处理的样品相比降低了4个数量级,而且在高温测试中样品的隔离电流仍然能够保持较低的数值。 展开更多

关键词 ALGAN 台面区域 隔离电流 退火处理 电感耦合等离子体(icp)刻蚀

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InP微透镜的设计与制作 被引量：2

12

作者 李庆伟 尹顺政 +2 位作者 宋红伟 张世祖 蒋红旺 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第4期296-301,共6页

高速光电探测器采用芯片背面带微透镜的背入射结构,利用微透镜对光的汇聚提高芯片与光纤的耦合效率。软件模拟发现,光敏面直径为30μm的芯片采用背入射结构时,其等效光敏面直径大于50μm,并且透镜拱高为8～15μm时,能更好实现对光的汇... 高速光电探测器采用芯片背面带微透镜的背入射结构,利用微透镜对光的汇聚提高芯片与光纤的耦合效率。软件模拟发现,光敏面直径为30μm的芯片采用背入射结构时,其等效光敏面直径大于50μm,并且透镜拱高为8～15μm时,能更好实现对光的汇聚。对于InP微透镜的制作,首先要制作出透镜形状的光刻胶胶型,然后通过电感耦合等离子体（ICP）刻蚀将光刻胶图形转移到InP衬底上。光刻胶坚膜温度与坚膜时间对光刻胶形成透镜形状有很大影响。通过优化条件,150℃坚膜3 min的光刻胶呈规则透镜形状,并且表面光滑无褶皱。通过调节反应离子刻蚀（RIE）功率和ICP功率找到了合适的InP刻蚀速率,调节Cl2和BCl3的体积流量比改变了InP和光刻胶的刻蚀选择比,从而制作出不同拱高的微透镜。 展开更多

关键词 微透镜 高速光电探测器 磷化铟(InP) 胶型 电感耦合等离子体(icp)刻蚀

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p-GaN在不同掩膜和刻蚀气体中的ICP刻蚀 被引量：1

13

作者 钱茹 程新红 +4 位作者 郑理 沈玲燕 张栋梁 顾子悦 俞跃辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期449-455,共7页

p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入（GIT）型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性。对比研究了两种刻蚀气体（SF6/BCl3和Cl2/N2/O2）及不同的刻蚀掩膜层（SiO2,Si3N4和光刻胶）对AlGaN上p-GaN的选择性刻蚀结果,利用原... p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入（GIT）型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性。对比研究了两种刻蚀气体（SF6/BCl3和Cl2/N2/O2）及不同的刻蚀掩膜层（SiO2,Si3N4和光刻胶）对AlGaN上p-GaN的选择性刻蚀结果,利用原子力显微镜（AFM）对刻蚀沟槽的表面形貌进行表征,并通过I-V测试其电学性能。结果显示,以Cl2/N2/O2为刻蚀气体,且体积流量为18,10和2 cm^3/min时,p-GaN刻蚀速率稳定且与AlGaN的刻蚀选择比较高（约30）,并且可使p-GaN刻蚀自动停止在AlGaN界面处。此外,以Si3N4作为刻蚀掩膜,可以获得表面光滑、无微沟槽且侧壁垂直度较好的沟槽结构。采用上述刻蚀工艺制备的GIT结构器件的漏端关态电流相比肖特基栅降低约2个量级,阈值电压约为0.61 V,峰值跨导为36 m S/mm。 展开更多

关键词 GAN 选择性刻蚀 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 ALGAN/GAN HEMT 刻蚀形貌

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CMOS兼容的Si基GaN准垂直结构肖特基势垒二极管

14

作者 陈延博 杨兵 +4 位作者 康玄武 郑英奎 张静 吴昊 刘新宇 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期179-183,共5页

在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)。探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N_(2)氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能。通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法... 在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)。探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N_(2)氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能。通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀工艺,实现了低损伤的侧壁。同时采用TiN作为肖特基金属,实现了较低的开启电压。器件制备完成后对其进行分析表征。测试和分析结果表明,制备的无金工艺的准垂直GaN SBD实现了0.5 V的低开启电压,0.37 mΩ·cm^(2)的比导通电阻,理想因子为1.06,势垒高度为0.81 eV。器件的击穿电压为256 V,巴利加优值(BFOM)达到了177 MW/cm^(2)。研究表明,采用无金工艺制备GaN SBD具有技术上的可行性,该技术有望降低GaN SBD的制造成本。 展开更多

关键词 Si基GaN 肖特基势垒二极管(SBD) 准垂直结构 无金工艺 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 TIN CMOS兼容工艺

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GaN电感耦合等离子体刻蚀的优化和损伤分析 被引量：1

15

作者 滕龙 于治国 +7 位作者 杨濛 张荣 谢自力 刘斌 陈鹏 韩平 郑有炓 施毅 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第3期181-186,共6页

通过分别改变电感耦合等离子体(ICP)刻蚀过程中的ICP功率和DC偏压,对ICP刻蚀GaN材料的工艺条件和损伤情况进行了系统的研究。刻蚀后表面的损伤和形貌通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、电子能谱(EDS)、荧光光谱(PL)等技术进... 通过分别改变电感耦合等离子体(ICP)刻蚀过程中的ICP功率和DC偏压,对ICP刻蚀GaN材料的工艺条件和损伤情况进行了系统的研究。刻蚀后表面的损伤和形貌通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、电子能谱(EDS)、荧光光谱(PL)等技术进行表征和分析。实验结果表明,刻蚀速率随ICP功率和DC偏压的增加而增加;刻蚀损伤与DC偏压成正比,而与ICP功率的关系较为复杂。实验中观测到刻蚀后GaN样品的荧光光谱带边发射峰和黄带发射峰的强度均有明显下降,这意味着刻蚀产生的缺陷中存在非辐射复合中心,并且该非辐射复合中心的密度与DC偏压成正比。为了兼顾高刻蚀速率和低刻蚀损伤,建议使用高ICP功率(>450 W)和低DC偏压(<300 V)进行ICP刻蚀。 展开更多

关键词 氮化镓(GaN) 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 损伤 功率 DC偏压

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类阳极氧化铝纳米结构LED的研究 被引量：1

16

作者 郑雪 江睿 +3 位作者 李谦 王伟哲 徐智谋 彭静 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期561-566,共6页

LED具有高效、节能和环保等优势,广泛应用于照明领域,提高LED的发光效率一直是该领域的研究难点与热点。为了降低GaN材料与空气界面的全反射现象,提高光提取效率,本研究探讨了类阳极氧化铝AAO(Anodic aluminum oxide)纳米结构LED器件的... LED具有高效、节能和环保等优势,广泛应用于照明领域,提高LED的发光效率一直是该领域的研究难点与热点。为了降低GaN材料与空气界面的全反射现象,提高光提取效率,本研究探讨了类阳极氧化铝AAO(Anodic aluminum oxide)纳米结构LED器件的制备和性能。通过电感耦合等离子体(Inductively coupled plasma, ICP)刻蚀工艺的调控,在p-GaN层表面制备了大面积有序孔洞纳米结构阵列,可获得孔径250~500nm,孔深50~150nm的准光子晶体结构,从而大幅提高了LED的发光强度,其中孔径400 nm、深度150 nm的纳米阵列LED相比于没有纳米阵列的LED发光强度提高达3.5倍。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 GAN LED 准光子晶体 阳极氧化铝(AAO)模板

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基于压力分布测试的电容式压力传感器

17

作者 何昱蓉 贾利成 +3 位作者 何常德 宋军华 宋金龙 张文栋 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第8期563-570,共8页

针对0-0.3 N压力的大小与分布测试,设计了一款电容式压力传感器。通过ANSYS仿真与Matlab数据分析,确定传感器单个敏感单元半径为80μm,腔高0.5μm,膜厚2.5μm。阵元内敏感单元呈行列排布。设计工艺加工流程与版图,并进行干法刻蚀、减薄... 针对0-0.3 N压力的大小与分布测试,设计了一款电容式压力传感器。通过ANSYS仿真与Matlab数据分析,确定传感器单个敏感单元半径为80μm,腔高0.5μm,膜厚2.5μm。阵元内敏感单元呈行列排布。设计工艺加工流程与版图,并进行干法刻蚀、减薄和键合等关键工艺加工。使用阻抗分析仪和压力计搭建测试平台,结果显示加工得到的压力传感器初始电容平均值为38.03 pF,阵列内电容一致性良好,灵敏度为9.5 pF/N,线性度良好,连接配套数据处理电路可实现压力分布测试。初步满足在小量程压力条件下测试要求,验证了该传感器结构的可靠性,为制备小量程压力传感器奠定基础。 展开更多

关键词 微电子机械系统(MEMS) 压力传感器 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 阳极键合 压力测试

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