单片机在绞车信号处理中的应用 被引量：2

1

作者 赵电波 张德安 +1 位作者 佘明军 董启云 《录井工程》 2007年第3期62-65,68,共5页

井深测量是综合录井最为重要的参数之一,在录井仪井深测量系统研制过程中,绞车传感器信号处理是否合理,将直接影响井深测量的精度。针对此问题,在分析绞车信号特征基础上,系统地阐述了利用单片机实现绞车信号鉴相与计数的基本原理和方法... 井深测量是综合录井最为重要的参数之一,在录井仪井深测量系统研制过程中,绞车传感器信号处理是否合理,将直接影响井深测量的精度。针对此问题,在分析绞车信号特征基础上,系统地阐述了利用单片机实现绞车信号鉴相与计数的基本原理和方法(中断函数法),强调鉴相与计数必须满足3个条件——信号类型、信号电平以及确定信号波形边沿是上升沿还是下降沿,才可实现绞车转动方向的判断和井深计算,同时提供了利用中断函数进行鉴相与计数的程序流程图和C语言代码。关于绞车信号处理的论述,无论是对于从事井深测量系统的研制人员还是对录井操作人员,都具有指导意义。 展开更多

关键词 绞车 传感器信号 单片机 鉴相 计数 沿脉冲 中断函数

下载PDF 职称材料

快沿脉冲下传输线集总参数电路模型的验证与分析 被引量：11

2

作者 杨清熙 王庆国 +2 位作者 周星 赵敏 王琳 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期327-332,共6页

为得到快沿电磁脉冲对传输线的耦合规律,建立了无损和有损传输线的集总参数电路仿真模型,并利用其他方法和试验结果对其进行了验证。以一端接频变负载的无损三导体传输线为代表,建立了其无损集总参数电路模型,并利用状态变量法验证了模... 为得到快沿电磁脉冲对传输线的耦合规律,建立了无损和有损传输线的集总参数电路仿真模型,并利用其他方法和试验结果对其进行了验证。以一端接频变负载的无损三导体传输线为代表,建立了其无损集总参数电路模型,并利用状态变量法验证了模型的正确性。仿真发现:迭代线段长度越短,仿真结果越接近实际值,仿真时间越长;在迭代线段长度相同的情况下,传输线越长,仿真时间越长,2者基本成线性关系。以端接电阻、电容和瞬态抑制二极管的低损4芯电缆为代表,建立了其有损集总参数电路模型,并利用试验验证了模型的正确性。同时发现:负载上的响应与芯线排布、负载类型等有关。研究结果说明采用集总参数电路模型可以分析传输线对快沿电磁脉冲的串扰耦合问题,同时便于解决频变和非线性负载的响应,对多芯互联系统的电磁脉冲防护设计具有指导意义。 展开更多

关键词 快速电磁脉冲 集总参数模型 有损传输线 快沿脉冲 非线性负载 频变负载 耦合机理

下载PDF 职称材料

基于雪崩晶体管产生快沿脉冲的电路参数分析 被引量：9

3

作者 杨清熙 王庆国 +1 位作者 周星 赵敏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第1期59-63,共5页

利用雪崩晶体管组成Marx电路可以产生快沿双指数脉冲,为了找出电路参数对脉冲波形的影响。建立了放电回路等效电路,利用Pspice软件对电路参数影响脉冲波形问题进行了仿真分析,利用设计的三级Marx电路进行了试验验证。通过理论计算、仿... 利用雪崩晶体管组成Marx电路可以产生快沿双指数脉冲,为了找出电路参数对脉冲波形的影响。建立了放电回路等效电路,利用Pspice软件对电路参数影响脉冲波形问题进行了仿真分析,利用设计的三级Marx电路进行了试验验证。通过理论计算、仿真以及试验研究表明充电电压、充电电容、负载电阻主要影响脉冲峰值和脉宽,在一定限度内,充电电压、充电电容越大,峰值电压越高,脉宽越宽,负载电阻变大,脉宽变宽。这为脉冲源设计中元器件的选取以及脉冲波形调节措施研究提供了依据。 展开更多

关键词 雪崩晶体管 快沿脉冲 参数分析 MARX电路 仿真 实验

下载PDF 职称材料

实时宽带示波器在快沿脉冲测量中的应用 被引量：7

4

作者 黄坤超 张靖悉 周烨 《电讯技术》 北大核心 2013年第11期1532-1536,共5页

脉冲信号的广泛应用使得对其测量准确度提出更高要求,而脉冲信号上升沿变窄的趋势则增加了测量难度。为了更精确地测量脉冲信号并保证测量结果准确可靠,分析了高性能实时宽带示波器在带宽、采样率、底噪、电缆去嵌和匹配校准快沿脉冲等... 脉冲信号的广泛应用使得对其测量准确度提出更高要求,而脉冲信号上升沿变窄的趋势则增加了测量难度。为了更精确地测量脉冲信号并保证测量结果准确可靠,分析了高性能实时宽带示波器在带宽、采样率、底噪、电缆去嵌和匹配校准快沿脉冲等方面的优点,讨论了其用于脉冲信号测量和校准所具有的无可比拟的精准性,说明了其作为脉冲信号测量和脉冲参数计量具有无可替代的作用。最后通过一个实例介绍了对10 ps以内快沿脉冲进行测量和校准的方法。 展开更多

关键词 脉冲信号测量 快沿脉冲 高性能实时宽带示波器 脉冲参数计量

下载PDF 职称材料

一种快沿脉冲信号发生器的设计 被引量：2

5

作者 徐碧辉 李廷凯 周加谊 《电子设计工程》 2016年第18期66-68,共3页

针对目前国内外许多快沿脉冲信号发生器体积庞大、价格昂贵、可靠性差等缺点,设计了一种快沿脉冲信号发生器。采用浮地思想,上位机通过PCI总线,设置脉冲的幅度、脉冲宽度等参数,并控制FPGA输出脉冲源的原始脉冲,原始通过光电耦合器、功... 针对目前国内外许多快沿脉冲信号发生器体积庞大、价格昂贵、可靠性差等缺点,设计了一种快沿脉冲信号发生器。采用浮地思想,上位机通过PCI总线,设置脉冲的幅度、脉冲宽度等参数,并控制FPGA输出脉冲源的原始脉冲,原始通过光电耦合器、功率管驱动芯片等硬件调理电路调理后,驱动功率MOSFET的栅极,让其迅速打开,形成所需的快沿脉冲信号。测试结果证明,该快沿脉冲发生器具有体积小、成本低、可靠性高等特点,并且可实现对脉冲信号的幅度、脉冲宽度的调节。 展开更多

关键词 光电隔离耦合 浮地 快沿脉冲 脉冲信号发生器

下载PDF 职称材料

一种用于高压探头校准的高压快沿脉冲信号产生方法 被引量：2

6

作者 詹国钟 潘洋 +1 位作者 施滨 戴丹 《计量学报》 CSCD 北大核心 2015年第4期428-431,共4页

针对现有快沿脉冲信号幅度不足，无法有效实现高压探头上升时间参数测量的难题，提出了一种高压快沿脉冲信号的产生方法。该方法基于单传输线型脉冲成形原理，使高压脉冲信号在传输线上进行传播，最后在匹配的大功率阻抗上产生一个具有... 针对现有快沿脉冲信号幅度不足，无法有效实现高压探头上升时间参数测量的难题，提出了一种高压快沿脉冲信号的产生方法。该方法基于单传输线型脉冲成形原理，使高压脉冲信号在传输线上进行传播，最后在匹配的大功率阻抗上产生一个具有明显顶部特征的矩形波。测试结果表明该矩形波幅度可达2kV，前沿的上升时间小于500ps。通过对两款高压探头上升时间参数进行测量，实验结果验证了该方法产生的高压快沿脉冲信号适用于高压探头上升时间参数的校准。 展开更多

关键词 计量学 高压探头 快沿脉冲 上升时间 校准

下载PDF 职称材料

基于可控硅整流器的静电放电防护器件延迟特性 被引量：1

7

作者 陈永光 刘进 +2 位作者 谭志良 张希军 李名杰 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2891-2896,共6页

为提高静电放电(ESD)防护器件的开启速度,减小被保护电路的损伤概率,在0.18μm CMOS混合信号工艺下,研究了结构参数、脉冲幅值对基于可控硅整流器(SCR)的ESD防护器件开启时间的影响。在基区渡越时间的基础上,加上了结电容的影响因素,完... 为提高静电放电(ESD)防护器件的开启速度,减小被保护电路的损伤概率,在0.18μm CMOS混合信号工艺下,研究了结构参数、脉冲幅值对基于可控硅整流器(SCR)的ESD防护器件开启时间的影响。在基区渡越时间的基础上,加上了结电容的影响因素,完善了器件防护延迟模型,当注入脉冲电压值增大到700V时,模型最大误差<0.5ns,在分析快沿脉冲的防护时更符合实际情况。仿真结果表明:当阱间距取5.00μm,N+与P+间隔取0.50μm,SCR的开启时间可降为1ns。此外,在大幅值的脉冲注入下,由于结电容的充电速度加快,SCR的开启也更为迅速。实验结果验证了模型和仿真分析的准确性,在一定程度上增大阱间距的宽度,减小N+与P+的间隔可以缩短SCR的开启时间,为该类型防护器件的设计、参数优化提供了理论依据。 展开更多

关键词 可控硅整流器(SCR) 静电放电(ESD)防护器件 延迟特性 快沿脉冲 结构参数 结电容

下载PDF 职称材料

一种基于PA119放大器的大电流脉冲发生器设计

8

作者 徐碧辉 贾阳 +1 位作者 秦友伦 唐治海 《机电产品开发与创新》 2022年第4期46-47,75,共3页

针对目前国内外许多快沿脉冲信号发生器负载能力小、体积庞大等缺点,本文介绍了一种基于PA119CE放大器的的大电流快沿脉冲信号发生器。该信号发生器是通过一个嵌入式控制芯片,输出所需脉冲信号的基本参数特征,再通过数模转换器、放大器... 针对目前国内外许多快沿脉冲信号发生器负载能力小、体积庞大等缺点,本文介绍了一种基于PA119CE放大器的的大电流快沿脉冲信号发生器。该信号发生器是通过一个嵌入式控制芯片,输出所需脉冲信号的基本参数特征,再通过数模转换器、放大器、模拟开关调整,最后获得所需的脉冲信号。实物验证证明:该脉冲发生器可输出负载能力较强的脉冲信号,具有边沿时间陡,脉冲的幅度、宽度及周期可控,并且该脉冲发生器的可靠性较高。 展开更多

关键词 PA119CE 高负载能力 快沿脉冲

下载PDF 职称材料

快沿脉冲上升时间比对不确定度分析 被引量：1

9

作者 辛慧 金赛赛 《计量与测试技术》 2018年第3期104-106,共3页

本文首先介绍快沿脉冲上升时间的重要性,然后介绍能力比对的测量标准和测量方法,接下来进行不确定度分析,确定不确定度来源,详细介绍快沿脉冲上升时间的不确定度评定方法。

关键词 快沿脉冲上升时间 比对 不确定度

下载PDF 职称材料

上升下降沿脉冲功能在可编程控制中的运用

10

作者 邓德 王姬姬 《橡塑技术与装备》 CAS 2015年第8期50-52,共3页

结合轮胎成型机现场实际分析举例,针对脉冲信号在PLC中的运用作简要的分析,在设备改造中取得了较好的效果。

关键词 上升下降沿脉冲 可编程控制 设备改造 安全生产

下载PDF 职称材料

瞬态电压抑制器在快上升沿电磁脉冲作用下的瞬态响应 被引量：21

11

作者 张希军 杨洁 张庆海 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期2242-2247,共6页

为了研究瞬态电压抑制器(TVS)对快上升沿电磁脉冲的响应,基于传输线脉冲(TLP)测试理论,建立了由高频脉冲发生器、同轴电缆、专用测试夹具、30dB脉冲衰减器和高性能的数字存储示波器等组成的测试系统。参考时域传输(TDT)TLP测试方法,利... 为了研究瞬态电压抑制器(TVS)对快上升沿电磁脉冲的响应,基于传输线脉冲(TLP)测试理论,建立了由高频脉冲发生器、同轴电缆、专用测试夹具、30dB脉冲衰减器和高性能的数字存储示波器等组成的测试系统。参考时域传输(TDT)TLP测试方法,利用该测试系统,对典型双极TVS器件在快上升沿电磁脉冲作用下的电流特性和电压特性进行了研究,并对试验数据进行了拟合分析。结果表明,TVS器件的箝位电压、峰值电流等参数均随着测试电压的增大而增大,且与测试电压呈线性关系;而由箝位电压决定的箝位响应时间受测试电压的影响较小。经对比分析实验结果得出,对快沿电磁脉冲,采用固定响应时间下的箝位电压来衡量TVS器件的防护性能是较为合理的。 展开更多

关键词 快上升沿电磁脉冲(FREMP) 瞬态电压抑制器(TVS) 传输线脉冲 瞬态响应 时域传输(TDT) 静电放电(ESD)

下载PDF 职称材料

快沿电磁脉冲模拟器内部垂直极化场分布仿真研究 被引量：16

12

作者 国海广 魏光辉 +1 位作者 范丽思 潘晓东 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期403-406,共4页

采用基于矩量法电磁仿真软件FEKO,对快沿电磁脉冲模拟器内部电场进行数值计算。分析仿真结果,得出了模拟器内部垂直极化电场的分布规律。仿真结果表明:从不同高度中心到边缘的场强变化趋势来看,最接近上传输线的位置为振荡,接近上下传... 采用基于矩量法电磁仿真软件FEKO,对快沿电磁脉冲模拟器内部电场进行数值计算。分析仿真结果,得出了模拟器内部垂直极化电场的分布规律。仿真结果表明:从不同高度中心到边缘的场强变化趋势来看,最接近上传输线的位置为振荡,接近上下传输线的位置是先增大后减小,其余区域为单调减小;模拟器内部垂直极化场的±10%均匀场区域为模拟器传输线空间处于高度的20%～85%,宽度的80%(自中心算起)区域,接近下传输线位置的高度的20%以下,宽度的30%以内(自中心算起)。 展开更多

关键词 快沿电磁脉冲 矩量法 传输线 有界波 模拟器

下载PDF 职称材料

快上升沿电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流过冲现象 被引量：13

13

作者 周怀安 杜正伟 龚克 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期783-787,共5页

为了研究瞬态电磁脉冲对PIN二极管的干扰,利用基于扩散漂移模型的基本半导体方程,采用半导体器件一维瞬态数值仿真的方法,对快上升沿阶跃电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流密度和电荷密度分布的变化进行了研究,分别观察了正反偏电压脉冲... 为了研究瞬态电磁脉冲对PIN二极管的干扰,利用基于扩散漂移模型的基本半导体方程,采用半导体器件一维瞬态数值仿真的方法,对快上升沿阶跃电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流密度和电荷密度分布的变化进行了研究,分别观察了正反偏电压脉冲作用下过冲电流的产生过程并进行了分析。分析表明,过冲电流是和PIN二极管在高频下的容性表现相关的,无论是在正电压还是负电压情况下,脉冲上升沿时间越短、初始正偏压越高,则过冲电流密度的峰值越高。 展开更多

关键词 快上升沿电磁脉冲 PIN二极管 干扰 过冲电流 器件数值仿真

下载PDF 职称材料

快上升前沿电磁脉冲与目标腔体的孔腔共振效应研究 被引量：8

14

作者 刘顺坤 傅君眉 +2 位作者 陈雨生 周辉 邱爱慈 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期495-498,共4页

利用时域有限差分方法（ Ｆ Ｄ Ｔ Ｄ Ｍ ｅｔｈｏｄ）研究了快上升前沿电磁脉冲（ Ｆ Ｒ Ｅ Ｍ Ｐ）对目标腔体的孔腔共振效应。研究表明：由于 Ｆ Ｒ Ｅ Ｍ Ｐ 的高频分量丰富，使得 Ｆ Ｒ Ｅ Ｍ Ｐ更容易通过目标腔体上的孔缝... 利用时域有限差分方法（ Ｆ Ｄ Ｔ Ｄ Ｍ ｅｔｈｏｄ）研究了快上升前沿电磁脉冲（ Ｆ Ｒ Ｅ Ｍ Ｐ）对目标腔体的孔腔共振效应。研究表明：由于 Ｆ Ｒ Ｅ Ｍ Ｐ 的高频分量丰富，使得 Ｆ Ｒ Ｅ Ｍ Ｐ更容易通过目标腔体上的孔缝，与目标腔体发生孔腔共振。由于孔缝的对外辐射，振荡幅度将逐渐减弱。 展开更多

关键词 时域有限差分法 快沿电磁脉冲 孔腔共振

下载PDF 职称材料

基于PIN二极管的快上升沿电磁脉冲防护模块设计与研究 被引量：12

15

作者 李亚南 谭志良 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期2066-2072,共7页

为了研究PIN二极管对快上升沿电磁脉冲的响应,基于PIN二极管时域等效电路模型,仿真研究了PIN二极管电路在快上升沿电磁脉冲作用下的瞬态电压特性。以集总参数巴特沃斯低通滤波器电路为原型,通过拟合二极管寄生参数值,结合键合金丝电感参... 为了研究PIN二极管对快上升沿电磁脉冲的响应,基于PIN二极管时域等效电路模型,仿真研究了PIN二极管电路在快上升沿电磁脉冲作用下的瞬态电压特性。以集总参数巴特沃斯低通滤波器电路为原型,通过拟合二极管寄生参数值,结合键合金丝电感参数,设计了一款基于PIN二极管的快上升沿电磁脉冲防护电路模块,并对防护电路模块的快上升沿电磁脉冲防护性能进行了测试。结果表明:在1～250 MHz短波、超短波频段内,防护模块的插损小于0. 38 d B;当输入方波脉冲为4 000 V时,限幅响应时间小于2 ns,输出电平小于30 V,满足快上升沿电磁脉冲的防护要求。 展开更多

关键词 快上升沿电磁脉冲 PIN二极管 尖峰泄漏 防护模块

下载PDF 职称材料

基于屏蔽暗箱窗口法材料快沿电磁脉冲屏蔽效能测试 被引量：8

16

作者 崔明 魏明 +1 位作者 陈翔 张龙 《微波学报》 CSCD 北大核心 2013年第3期83-88,共6页

为满足材料强电磁脉冲场屏蔽效能的测试需求,搭建了基于屏蔽暗箱窗口法的材料电磁脉冲屏蔽效能测试系统。首先采用连续波对某种金属织物材料进行了频域测试,通过测试空箱和加载材料内部场强大小,计算了该材料的频域屏蔽效能。然后采用... 为满足材料强电磁脉冲场屏蔽效能的测试需求,搭建了基于屏蔽暗箱窗口法的材料电磁脉冲屏蔽效能测试系统。首先采用连续波对某种金属织物材料进行了频域测试,通过测试空箱和加载材料内部场强大小,计算了该材料的频域屏蔽效能。然后采用快上升沿电磁脉冲源对该材料进行了时域测试,计算了强场作用下材料的峰值屏蔽效能。对测得的时域信号进行降噪处理和快速傅里叶变换(FFT),得到了该材料频域屏蔽效能曲线,与频域试验所测曲线进行了对比,结果基本一致。实验表明该测试系统能够可靠评价强电磁脉冲作用下材料的屏蔽效能。 展开更多

关键词 屏蔽暗箱 窗口法 快沿电磁脉冲 屏蔽效能 时域测试 傅里叶变换

下载PDF 职称材料

射频前端快上升沿电磁脉冲防护电路仿真分析

17

作者 刘振磊 刘卫东 +1 位作者 柳扬 方庆园 《安全与电磁兼容》 2024年第1期46-51,共6页

针对强电磁脉冲极易通过射频前端进入电子设备内部对敏感电子器件造成伤害的问题,设计了一款工作于C波段的射频前端快上升沿电磁脉冲防护电路。电路采用PIN二极管级联的方式构建四级防护电路,同时引入高通滤波器抑制工作频段以下信号,... 针对强电磁脉冲极易通过射频前端进入电子设备内部对敏感电子器件造成伤害的问题,设计了一款工作于C波段的射频前端快上升沿电磁脉冲防护电路。电路采用PIN二极管级联的方式构建四级防护电路,同时引入高通滤波器抑制工作频段以下信号,防止其对设备造成干扰。仿真结果表明,通过控制PIN二极管的偏置电压和电流,可实现对电磁脉冲的快速响应;经过逐级削减输入功率,可有效降低尖峰泄漏;在工作频段内,防护电路可将4 kV的快沿方波脉冲限制在2 V以下,其响应时间小于1 ns,插入损耗小于0.146 dB,驻波比小于1.413,回波损耗小于-15.329 dB,且可有效降低尖峰泄漏,对工作在C波段的卫星电视地面通信设备抵御强电磁脉冲的侵扰具有较好的效果。 展开更多

关键词 尖峰泄漏 PIN二极管 射频前端 快上升沿电磁脉冲

下载PDF 职称材料

快沿电磁脉冲模拟器传输线宽高比对脉冲上升沿影响研究 被引量：4

18

作者 国海广 魏光辉 +1 位作者 范丽思 潘晓东 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1285-1287,1376,共4页

采用基于矩量法电磁仿真软件FEKO,对快沿电磁脉冲模拟器内部场波形进行数值计算,研究模拟器传输线的宽高比对电磁脉冲上升沿的的影响。对计算结果进行一元线性回归分析,并对回归方程进行显著性检验,结果表明:模拟器内部电磁脉冲场的上... 采用基于矩量法电磁仿真软件FEKO,对快沿电磁脉冲模拟器内部场波形进行数值计算,研究模拟器传输线的宽高比对电磁脉冲上升沿的的影响。对计算结果进行一元线性回归分析,并对回归方程进行显著性检验,结果表明:模拟器内部电磁脉冲场的上升沿与模拟器宽高比存在着密切的正相关关系,即内部脉冲场的上升时间随传输线宽高比的增大而延长。 展开更多

关键词 快沿电磁脉冲 有界波 矩量法 传输线

下载PDF 职称材料

基于阻抗失配的快沿方波脉冲防护研究 被引量：2

19

作者 孟兆祥 毕军建 +2 位作者 安明霞 郑鹏宇 宋培姣 《微波学报》 CSCD 北大核心 2018年第1期25-28,35,共5页

针对快沿方波电磁脉冲的防护问题,分析了不同半导体防护器件的阻抗变化对电磁脉冲的响应时间、端口传输功率的影响,得出了阻抗失配具有良好的方波电磁脉冲抑制作用和响应速度快的特性;为提高功率容量,采用了微带滤波器,通过1/4波长原理... 针对快沿方波电磁脉冲的防护问题,分析了不同半导体防护器件的阻抗变化对电磁脉冲的响应时间、端口传输功率的影响,得出了阻抗失配具有良好的方波电磁脉冲抑制作用和响应速度快的特性;为提高功率容量,采用了微带滤波器,通过1/4波长原理,仿真、设计、制作了1/4波长微带带通滤波器,频率范围3.2~6.2 GHz,插入损耗≤1.8 d B,阻抗为50Ω,在1 GHz处的带外抑制为30 d B;利用高频噪声发生器（INS-4040）产生的快沿方波脉冲对其进行测试,结果表明此微带带通滤波器对快沿方波脉冲具有很好的抑制作用,同时具有亚纳秒的响应时间。 展开更多

关键词 快沿方波脉冲 开关器件 传输线 阻抗匹配 电磁脉冲防护

下载PDF 职称材料

一种CMOS静态双沿顺序脉冲发生器的设计 被引量：1

20

作者 葛丽颖 黄世震 林伟 《现代电子技术》 2006年第8期22-23,29,共3页

提出一种基于CMOS技术的静态双沿顺序脉冲发生器结构。他是由以基于CMOS二选一选择器的电平型触发器构成的记忆单元和一个与门阵列组成的转译单元构成的。与门阵列的转译单元使顺序脉冲发生器在时钟上升沿和下降沿处均能输出移位脉冲,... 提出一种基于CMOS技术的静态双沿顺序脉冲发生器结构。他是由以基于CMOS二选一选择器的电平型触发器构成的记忆单元和一个与门阵列组成的转译单元构成的。与门阵列的转译单元使顺序脉冲发生器在时钟上升沿和下降沿处均能输出移位脉冲,从而形成双沿触发的功能。仿真验证其功能正确,且根据分析该结构不仅能够节省芯片面积,还可以大大减小芯片的功耗。 展开更多

关键词 CMOS 双沿顺序脉冲发生器 功耗 与门阵列

下载PDF 职称材料