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碘化亚铜微晶掺杂硼硅酸盐玻璃的制备及其电致二阶非线性光学效应 被引量:1
1
作者 陈红兵 朱从善 干福熹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期487-493,共7页
采用可分相的Na2-Al2O3-B2O3-SiO2系为基础玻璃,以CuO/SnO、NaI为原料;分别引入Cu+、I-,成功地制备出CuI微晶掺杂硼硅酸盐玻璃·通过X射线粉末衍射(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)分析观察到了玻璃中的晶相及其分布;由... 采用可分相的Na2-Al2O3-B2O3-SiO2系为基础玻璃,以CuO/SnO、NaI为原料;分别引入Cu+、I-,成功地制备出CuI微晶掺杂硼硅酸盐玻璃·通过X射线粉末衍射(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)分析观察到了玻璃中的晶相及其分布;由玻璃的室温透射光谱研究了玻璃的热处理条件与光吸收性的关系.首次报道了该半导体微晶掺杂玻璃中的电致二次谐波发生,并讨论了该效应的机理. 展开更多
关键词 掺杂 硼硅酸盐玻璃 非线性光学材料 碘化铜
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玻璃包覆Fe基非晶微丝制备及其微波电磁特性 被引量:2
2
作者 江建军 吴挺华 +1 位作者 邸永江 何华辉 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期57-59,共3页
采用Taylor-Ulitovsky方法制备了非晶态玻璃包覆Fe基微丝,合金芯直径为16μm,玻璃包覆层厚度为3μm.利用X射线衍射和扫描电镜对非晶态玻璃包覆Fe基微丝进行了组织和结构分析,并采用微波网络矢量分析仪测量了试样的微波电磁参数,计... 采用Taylor-Ulitovsky方法制备了非晶态玻璃包覆Fe基微丝,合金芯直径为16μm,玻璃包覆层厚度为3μm.利用X射线衍射和扫描电镜对非晶态玻璃包覆Fe基微丝进行了组织和结构分析,并采用微波网络矢量分析仪测量了试样的微波电磁参数,计算了样品在2~18GHz的反射率曲线,结果显示在高频时玻璃包覆Fe基非晶微丝阻抗匹配性好,吸收率高. 展开更多
关键词 玻璃包裹 非晶微丝 复磁导率 吸收率
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CdSSe掺杂玻璃中的光致暗变效应研究
3
作者 靳春明 秦伟平 +5 位作者 赵家龙 周方策 窦恺 刘俊业 黄世华 虞家琪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期184-187,共4页
本文用DFWM和荧光光谱方法研究了光致暗变效应对CdSSe掺杂玻璃光学性质的影响,解释了经过强光照射的样品,DFWM反射率,荧光强度和透射率降低的原因.
关键词 Cdsse 玻璃 光致暗变效应
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掺铁与铜的硫系玻璃的电学性质与能带结构 被引量:1
4
作者 梁振华 程继健 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期145-150,共6页
用高温熔融法在 Sb_(12)Ge_(28)Se_(60)玻璃中掺入 Fe 和 Cu。对 Cu_x(Sb_(12)Ge_(28)(Se_(60))_(100-x)系统玻璃,当 Cu 含量为5 at%时,电导率提高3.4个数量级,电导活化能下降0.23eV。分析表明,Cu 引入后与母体玻璃中的阴离子形成了正... 用高温熔融法在 Sb_(12)Ge_(28)Se_(60)玻璃中掺入 Fe 和 Cu。对 Cu_x(Sb_(12)Ge_(28)(Se_(60))_(100-x)系统玻璃,当 Cu 含量为5 at%时,电导率提高3.4个数量级,电导活化能下降0.23eV。分析表明,Cu 引入后与母体玻璃中的阴离子形成了正常结构键合的共价键,各元素的价键均得到满足,电导活化能的下降是由于禁带宽度降低导致(E_f-E_v)值下降所致。对 Fe_x(Sb_(12)Ge_(28)Se_(60))_(100-x)系统玻璃,DSC 与 SEM 的测定表明,Fe 引入后玻璃产生了分相。当 Fe 含量为2 at%时,电导率增加了6.3个数量级,电导活化能则下降0.61eV,光声子谱的分析表明,E_(opt)仅下降了0.04eV。根据这些数据和 ESR 的测定结果得出了该系统玻璃的能带结构模型,导致电导率激增的原因是由于 Fe^(2+)(d^(?))施主缺陷态的形成。 展开更多
关键词 半导体 硫系 玻璃 掺铁 电导率
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S枪磁控溅射淀积非晶硅光电导薄膜的制备工艺及特性研究 被引量:1
5
作者 朱振才 顾培夫 唐晋发 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1992年第5期53-58,共6页
本文介绍用直流磁控S枪在H_2/Ar混合气体中反应溅射单晶硅靶淀积a-Si:H光电导薄膜的制备工艺。研究了用这种技术制备的a-Si:H薄膜的光学特性(透射率光谱、光学常数和光学带隙等)、晶相结构(用电子衍射图谱)、红外吸收光谱和光电导性能... 本文介绍用直流磁控S枪在H_2/Ar混合气体中反应溅射单晶硅靶淀积a-Si:H光电导薄膜的制备工艺。研究了用这种技术制备的a-Si:H薄膜的光学特性(透射率光谱、光学常数和光学带隙等)、晶相结构(用电子衍射图谱)、红外吸收光谱和光电导性能。并讨论了制备工艺条件与薄膜微结构和性能的关系。 展开更多
关键词 磁控溅射 光电导 薄膜 非晶硅 制备
全文增补中
亚皮秒激光作用下掺半导体玻璃的饱和吸收
6
作者 梁培辉 赵庆春 张伟清 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第5期368-369,共2页
测量了在脉冲宽度为750fs、波长为616nm强光作用下掺半导体玻璃RG645 Schott滤光片的饱和吸收特性,同时观察到在高功率密度下光束经玻璃后产生明显的自聚焦现象。
关键词 饱和吸收 滤光片 激光 玻璃半导体
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玻璃半导体经激光照射后变软,而后重新变硬
7
作者 杨英慧(摘译) 《现代材料动态》 2005年第8期11-11,共1页
美国俄亥俄州立大学正在开发一种特殊玻璃,在非常小的激光能量照射下玻璃变软,而后在激光关闭后重新变硬。激光功率越大,玻璃就更软。实际表明,仅6mw的功率就可使玻璃软至其正常水平的一半。
关键词 玻璃半导体 激光照射 美国俄亥俄州立大学 激光功率 激光能量
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场助GaAs-玻璃键合工艺的研究
8
作者 吕世骥 黄庆安 童勤义 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第9期570-574,T001,共6页
本文较详细地研究了场助GaAs-玻璃键合工艺,在键合前将GaAs和玻璃用H_2等离子体处理.AES结果表明,CaAs表面的本征氧化层被还原,从而使GaAs-玻璃容易键合上,比较了单点接触电极和双平行板电极对键合界面的影响,从SEM断面的图象看出,用单... 本文较详细地研究了场助GaAs-玻璃键合工艺,在键合前将GaAs和玻璃用H_2等离子体处理.AES结果表明,CaAs表面的本征氧化层被还原,从而使GaAs-玻璃容易键合上,比较了单点接触电极和双平行板电极对键合界面的影响,从SEM断面的图象看出,用单点接触电极得到的键合界面较好.直拉法的结果表明,键合强度大于GaAs体单晶的强度. 展开更多
关键词 GAAS 玻璃 键合工艺 氢等离子体
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制备可见光致发光硅量子阱的激光晶化技术
9
作者 黄信凡 陈坤基 徐骏 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期126-130,共5页
我们利用Ar+激光辐照a-Si:H/a-SiNx:H多量子阱结构材料,使a-Si:H阱层晶化。在该样品中成功地观察到室温可见光致发光现象,研究了阱层厚度和激光辐照功率对光致发光峰峰位及半高宽的影响。
关键词 非晶硅 量子阱 晶化 激光辐照
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玻璃中的半导体量子点
10
作者 吴畅书 李永升 +1 位作者 刘炳灿 田强 《物理实验》 北大核心 2002年第2期3-7,14,共6页
介绍了玻璃中的半导体量子点 .对玻璃中半导体量子点的生长过程、量子点的电子态 ,量子尺寸效应、库仑阻塞效应及介电效应 ,做了比较全面的介绍 .
关键词 半导体量子点 玻璃 量子受限 尺寸效应 库仑阻塞 介电效应 生长过程 电子态
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K_2NbOF_5-MF_3系玻璃的结构及电性质
11
作者 蒋凯 李五聚 +1 位作者 杨林 袁启华 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第5期449-452,共4页
研制了K_2NbOF_5-MF_3(M=Al、Ga)新体系氟化物玻璃,测定了玻璃的特征温度、Raman光谱和电导率,玻璃中Nb ̄(5+)、Al ̄(3+)、Ga ̄(5+)分别以NbOF、AIF、GaF八面体形式存在,玻... 研制了K_2NbOF_5-MF_3(M=Al、Ga)新体系氟化物玻璃,测定了玻璃的特征温度、Raman光谱和电导率,玻璃中Nb ̄(5+)、Al ̄(3+)、Ga ̄(5+)分别以NbOF、AIF、GaF八面体形式存在,玻璃的电导率随AlF_3含量的增加而增加,AlF_3含量达到30mol%时,Al ̄(3+)除AIF八面体外,还有AlF四面体结构出现,同时电导率降低,F ̄-阴离子是主要的导电离子,75K_2NbOF_5·25AlF_3玻璃的电导率在196℃时,σ=1.02×10 ̄(-2)S·cm ̄(-1)。 展开更多
关键词 氟化物玻璃 快离子导体 玻璃结构 玻璃半导体
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混合玻璃电导机制探讨
12
作者 杨如玺 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1995年第2期49-53,共5页
从0.7B:O3-0.3[XNa2O-(1-X)Li2O]体系玻璃的电导率随摩尔分数X而变化,且在X=0.5附近出现极小值这一实验事实出发,在考虑到所用溶液模型的同时,着重指出了带电体离子间的相互作用,从中导出了总电... 从0.7B:O3-0.3[XNa2O-(1-X)Li2O]体系玻璃的电导率随摩尔分数X而变化,且在X=0.5附近出现极小值这一实验事实出发,在考虑到所用溶液模型的同时,着重指出了带电体离子间的相互作用,从中导出了总电导率的数学表达式,因而更加圆满地解释了这种混合玻璃电导率下降的特殊现象。 展开更多
关键词 混合玻璃 溶液模型 相互作用 玻璃半导体 电导率
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玻璃粉中硼、钾、钠的ICP-AES测定
13
作者 王春梅 张淑珍 吴琼 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第6期52-53,共2页
玻璃粉是一种重要的半导体材料。本文采用电感耦合等离子体发射光谱仪对玻璃粉中的硼、钾、钠的定量分析做了研究,研究了样品的溶解、氢氟酸对待测元素的影响,然后进行了内标元素的补偿,在此基础上做了回收实验,并测定了实际样品。
关键词 ICP-AES 玻璃粉 半导体材料
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玻璃掺杂固溶半导体(Zn_xCd_(1-x)S)荧光效应 被引量:3
14
作者 师文生 张良莹 姚熹 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期346-349,共4页
采用溶胶-凝胶工艺,以硫脲作为S的来源,在多孔SiO2玻璃中原位生长固溶半导体(ZnxCd1-xS)。利用XRD证实在多孔SiO2玻璃中微晶的存在,并根据衍射图估计微晶尺寸小于10nm。测量了材料的室温荧光光谱,分析... 采用溶胶-凝胶工艺,以硫脲作为S的来源,在多孔SiO2玻璃中原位生长固溶半导体(ZnxCd1-xS)。利用XRD证实在多孔SiO2玻璃中微晶的存在,并根据衍射图估计微晶尺寸小于10nm。测量了材料的室温荧光光谱,分析表明在多孔SiO2玻璃中微晶结构不是以ZnS·CdS形式存在,而是以ZnxCd1-xS形式的固溶半导体存在。 展开更多
关键词 固溶半导体 溶胶-凝胶 荧光效应 玻璃半导体
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EXAFS对As-Ge-Te三元体系玻璃体结构研究
15
作者 赵雅琴 蔡小海 +1 位作者 韩万书 陆坤权 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1995年第9期851-853,共3页
The change trends of the glass structure of the three component system AsGe-Te were studied by the method EXAFS, based on the phase diagram works of this system. That provides scientific basis for the preparation and ... The change trends of the glass structure of the three component system AsGe-Te were studied by the method EXAFS, based on the phase diagram works of this system. That provides scientific basis for the preparation and the application of the above-mentioned system. 展开更多
关键词 玻璃体结构 EXAFS
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氧化还原比对钠铁磷熔体电阻率的影响
16
作者 刘艺 陈福义 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第4期37-41,共5页
用电导率电池测量了钠铁磷熔体的电阻率 ,并分析了相应玻璃的穆斯堡尔谱 ,计算了铁离子的价态和氧化还原比 ,分析了温度、时间和氧化钠含量对熔体电阻率和玻璃氧化还原比的影响。发现在Na2 O含量低的熔体中 ,升温和降温过程的电阻率的... 用电导率电池测量了钠铁磷熔体的电阻率 ,并分析了相应玻璃的穆斯堡尔谱 ,计算了铁离子的价态和氧化还原比 ,分析了温度、时间和氧化钠含量对熔体电阻率和玻璃氧化还原比的影响。发现在Na2 O含量低的熔体中 ,升温和降温过程的电阻率的变化是不可逆的 ,随着Na2 O含量增加 ,不可逆性消失 ,熔体的电阻率随时间轻微下降。同时发现Na2 O含量低的铁磷熔体的导电机理是电子性的 ,并用氧化还原比解释了其电阻率 展开更多
关键词 钠铁磷熔体 电阻率 氧化还原比 电导率电池 温度 玻璃 非晶态半导体 穆斯堡尔谱
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玻璃纤维最新市场动态
17
作者 危良才 《印制电路信息》 2000年第6期7-8,共2页
1998年,我国玻璃纤维生产总量约16万吨左右,其中无碱玻璃纤维47%,中碱玻璃纤维占53%与1997年对比,下降了1万多吨,主要是质量低劣、规格不对路的中碱玻璃纤维制品。 1998年,我国玻璃纤维及其制品出口总量接近4万吨,与1997年对比,下降幅... 1998年,我国玻璃纤维生产总量约16万吨左右,其中无碱玻璃纤维47%,中碱玻璃纤维占53%与1997年对比,下降了1万多吨,主要是质量低劣、规格不对路的中碱玻璃纤维制品。 1998年,我国玻璃纤维及其制品出口总量接近4万吨,与1997年对比,下降幅度约为8~9%。但是,1998年,玻璃纤维及其制品进口总量却超过4万吨。 展开更多
关键词 玻璃纤维 市场 电子产业
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非晶Ge-S半导体薄膜的研制
18
作者 朱尧江 姜节俭 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第4期368-373,共6页
我们用高温熔融和空气中碎火的方法制取了非晶 Ge-S 块状材料,又以该材料为蒸发源材料,用热蒸发方法制备非晶 Ge-S 薄膜。对不同配方比的薄膜进行了光、电性能测试并分析和讨论了测试结果,得出了光学禁带宽度与硫含量的关系。
关键词 非晶态 半导体 薄膜 Ge-S
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激光化学气相淀积金刚石薄膜的气相反应过程研究
19
作者 胡孝勇 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 1997年第A10期84-84,共1页
1.研究内容在金刚石薄膜的化学气相淀积生长过程中,从材料气体的解离到膜的沉积,包括活性自由基的产生;自由基的反应,向基板的输送、吸附;在固体表面上的基板与自由基、光等的相互作用等基本过程。为了更好地理解薄膜的生长机理,进而控... 1.研究内容在金刚石薄膜的化学气相淀积生长过程中,从材料气体的解离到膜的沉积,包括活性自由基的产生;自由基的反应,向基板的输送、吸附;在固体表面上的基板与自由基、光等的相互作用等基本过程。为了更好地理解薄膜的生长机理,进而控制膜的制作,实现薄膜的高品质化、使其达到实用的要求,必须充分研究其这些基本过程。主要内容是利用激光化学气相法生长金刚石薄膜,并研究其气相反应过程等。对于前者主要是用不同的材料气体和不同波长的激光进行金刚石薄膜的生长。金刚石薄膜的沉积是将激光束聚焦后,照射到反应室中的气体上,使材料气体激发、解离。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 激光技术 气相反应
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半导体掺杂玻璃非线性热致折射系数的测量
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作者 丁尧耕 曹庄琪 +2 位作者 胡纯 杨傅子 陈英礼 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期313-316,共4页
利用长程表面等离子激元的非线性色散关系测出了半导体掺杂玻璃的非线性热致折射系数.该方法不但可测出非线性热致折射系数的大小和正负,而且还具有较高的精度.
关键词 半导体 掺杂 玻璃 热致折射率 测量
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