大规模集成电路总剂量效应测试方法初探 被引量：22

1

作者 贺朝会 耿斌 +6 位作者 何宝平 姚育娟 李永宏 彭宏论 林东生 周辉 陈雨生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期194-199,共6页

提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法。在监测器件和电路功能参数的同时 ,监测器件功耗电流的变化情况 ,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理。给出了大规模集成电路 :静态随机存取存储器 (SRAM)、电擦... 提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法。在监测器件和电路功能参数的同时 ,监测器件功耗电流的变化情况 ,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理。给出了大规模集成电路 :静态随机存取存储器 (SRAM)、电擦除电编程只读存储器 (EEPROM)、闪速存储器 (FLASHROM)和微处理器 (CPU)的6 0 Coγ总剂量效应实验的结果 . 展开更多

关键词 大规模集成电路 半导体器件 总剂量效应 监测器件 电路功能参数 功耗电流 静态随机存取存储器 电擦除电编程只读存储器 闪速存储器 微处理器

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低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应 被引量：13

2

作者 张廷庆 刘传洋 +6 位作者 刘家璐 王剑屏 黄智 徐娜军 何宝平 彭宏论 姚育娟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期2434-2438,共5页

对金属 氧化物 半导体 (MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究 .对不同剂量率、不同温度辐照后MOS器件的阈值电压漂移进行了比较 .结果表明 ,低剂量率辐照下 ,感生界面态要受到辐照时间的长短以及... 对金属 氧化物 半导体 (MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究 .对不同剂量率、不同温度辐照后MOS器件的阈值电压漂移进行了比较 .结果表明 ,低剂量率辐照下 ,感生界面态要受到辐照时间的长短以及生成的氢离子数目的影响 ,辐照时间越长 ,生成的氢离子越多 ,感生界面态密度越大 ;温度对界面态的影响与界面态建立的时间有关 ,低温辐照时 。 展开更多

关键词 辐照效应 阈值电压漂移 低剂量率 低温 界面态 金属氧化物-半导体器件 MOS器件

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金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应 被引量：12

3

作者 王剑屏 徐娜军 +7 位作者 张廷庆 汤华莲 刘家璐 刘传洋 姚育娟 彭宏论 何宝平 张正选 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期1331-1334,共4页

研究了金属 氧化物 半导体 (MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应 .采用加固的CC40 0 7进行辐照实验 ,在不同温度、不同偏压 ,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比较 ,发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快... 研究了金属 氧化物 半导体 (MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应 .采用加固的CC40 0 7进行辐照实验 ,在不同温度、不同偏压 ,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比较 ,发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢 .高温下辐照的器件 ,界面态建立的时间缩短 .根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨 . 展开更多

关键词 金属-氧化物-半导体场效应 Γ辐照 温度效应

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环境温度、电离辐射剂量率对NMOSFET器件特性参数的影响 被引量：11

4

作者 何宝平 姚育娟 +1 位作者 彭宏论 张正选 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期779-783,共5页

研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对 CC40 0 7NMOS器件阈值电压的影响 .研究发现 ,低温 (- 30℃ )辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温 (2 5℃ )多 ,界面态电荷比室温要少 ;受不同 γ剂量率辐射时 ,阈值电压的漂移程度... 研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对 CC40 0 7NMOS器件阈值电压的影响 .研究发现 ,低温 (- 30℃ )辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温 (2 5℃ )多 ,界面态电荷比室温要少 ;受不同 γ剂量率辐射时 ,阈值电压的漂移程度不一样 ,在总剂量相同情况下 ,辐射剂量率高时 ,阈值电压的漂移量也大 ;辐照后 ,NMOS器件 10 0℃退火速度要大于 2 5℃退火速度 ,+5 V栅偏压退火情况要大于浮空偏置情况 . 展开更多

关键词 NMOSFET 场效应晶体管 环境温度 电离辐射剂量率

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浮栅ROM器件γ辐射效应实验研究 被引量：10

5

作者 贺朝会 耿斌 +2 位作者 陈晓华 王燕萍 彭宏论 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期344-347,共4页

给出了浮栅 ROM器件的γ辐照效应实验结果。器件出现错误有个累积剂量阈值 ,当累积剂量小于某一值时 ,无数据错误。当累积剂量达到一定值时 ,开始出现数据错误。随着累积剂量的增加 ,错误数增加 ,动态监测和静态加电的器件都出现数据错... 给出了浮栅 ROM器件的γ辐照效应实验结果。器件出现错误有个累积剂量阈值 ,当累积剂量小于某一值时 ,无数据错误。当累积剂量达到一定值时 ,开始出现数据错误。随着累积剂量的增加 ,错误数增加 ,动态监测和静态加电的器件都出现数据错误 ,且不能用编程器重新写入数据。然而不加电的器件在更高的累积剂量辐照下未出现错误 ,而且可以用编程器重新写入数据。 展开更多

关键词 浮栅ROM器件 γ辐射效应 实验研究 总剂量效应 钴60 γ源 只读存储器

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双极晶体管不同脉宽γ剂量率效应研究 被引量：8

6

作者 王桂珍 姜景和 +3 位作者 彭宏论 常东梅 郭红霞 杨海帆 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期247-249,253,共4页

介绍了晶体管在脉冲γ辐射源辐照下光电流的产生机理、测量方法，以及二次光电流与晶体管结构、γ剂量率和γ波形宽度的关系。在现有的实验条件下（四种γ脉冲辐射源，宽度分别为：～２ｎｓ，～２０ｎｓ，～６０ｎｓ，～１００ｎｓ，剂... 介绍了晶体管在脉冲γ辐射源辐照下光电流的产生机理、测量方法，以及二次光电流与晶体管结构、γ剂量率和γ波形宽度的关系。在现有的实验条件下（四种γ脉冲辐射源，宽度分别为：～２ｎｓ，～２０ｎｓ，～６０ｎｓ，～１００ｎｓ，剂量率为１０５～１０６Ｇｙ／ｓ），对三种晶体管进行了辐照，对其等效关系进行了分析，得到了二次光电流与总剂量基本成线性关系的结论。 展开更多

关键词 脉冲γ源 双极晶体管 辐射效应 γ剂量率效应

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低剂量率下MOS器件的辐照效应 被引量：6

7

作者 刘传洋 张廷庆 +7 位作者 刘家璐 王剑屏 黄智 徐娜军 何宝平 彭宏论 姚育娟 王宝成 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期29-33,共5页

对 MOS器件在低剂量率 γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究。对不同偏置及退火条件下 MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比。结果表明 ,偏置在 MOS器件栅氧化层内产生电场 ,增强了辐照产生电子 -空穴对的分离 ,同时 ,影响了正电... 对 MOS器件在低剂量率 γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究。对不同偏置及退火条件下 MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比。结果表明 ,偏置在 MOS器件栅氧化层内产生电场 ,增强了辐照产生电子 -空穴对的分离 ,同时 ,影响了正电荷 (包括空穴和氢离子 )的运动状态 ;此外 ,偏置对退火同样有促进作用。 展开更多

关键词 MOS器件 辐照效应 阈值电压漂移 低剂量率

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DPF脉冲X射线能谱测量 被引量：4

8

作者 郭红霞 龚建成 +7 位作者 何宝平 林东生 王文生 彭宏论 常冬梅 杨海帆 王永强 罗尹虹 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期22-26,共5页

采用滤光法对ＤＰＦ脉冲Ｘ射线源装置的Ｘ射线能谱进行了测量，取得了较好的结果，为辐射效应环境测量提供了一种手段。

关键词 DPF 滤光法 X射线能谱 热释光剂量片 辐照效应

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MOS器件^(90)Sr-^(90)Y源电离辐射效应研究 被引量：1

9

作者 罗尹虹 张正选 +1 位作者 吴国荣 彭宏论 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期31-34,共4页

介绍了利用90Sr-90Y源辐照装置对MOSFET进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验,着重研究了MOSFET的辐照敏感参数随辐照剂量的变化规律,并对实验结果进行了分析讨论。

关键词 电离辐射效应 MOSFET 辐射源

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^(90)Sr-^(90)Yβ源辐射场中轫致辐射剂量分量的理论计算和实验测量 被引量：2

10

作者 吴国荣 郭红霞 +3 位作者 周辉 张正选 杨海帆 彭宏论 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2001年第1期65-68,共4页

对90 Sr 90 Y源半导体辐照效应在线测量系统中所用辐射源与周围物质相互作用所产生的轫致辐射剂量进行了理论计算和实验测量。采用聚乙烯薄膜作吸收材料 ,实现了 β与X射线辐射剂量的分离。给出了测量的吸收剂量中X射线辐射剂量的贡献 。

关键词 吸收剂量 β辐射源 剂量测量 辐射场 轫致辐射剂量分量

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热释光剂量计能量响应特性研究 被引量：3

11

作者 常冬梅 彭宏论 +4 位作者 林东生 龚建成 韩福斌 杨善潮 关颖 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期190-192,共3页

使用蒙特卡罗方法,计算出不同封装材料与剂量片组合成的剂量计对100keV以上γ射线的能量响应规律,从中选择出能量响应较平的一种组合。在几种能量下进行剂量计能量响应实验。在0.1～1.25MeV的能量范围内,其能量响应因子变化小于10%。

关键词 热释光剂量计 能量响应 实验 Γ射线 能量范围 变化 因子 蒙特卡罗方法

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商用三端稳压器的中子辐射效应 被引量：3

12

作者 白小燕 彭宏论 +6 位作者 林东生 陈伟 李瑞宾 王桂珍 杨善潮 李斌 郭晓强 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1269-1274,共6页

实验研究了两种型号(CJ79L05011和CJ7905011)的商用三端稳压器在不同负载情况下中子辐射效应,得到了输出电压随中子注量的变化曲线。借助三端稳压器的简化模型,分析认为中子辐射下晶体管放大倍数的减少是造成三端稳压器输出电压变化的... 实验研究了两种型号(CJ79L05011和CJ7905011)的商用三端稳压器在不同负载情况下中子辐射效应,得到了输出电压随中子注量的变化曲线。借助三端稳压器的简化模型,分析认为中子辐射下晶体管放大倍数的减少是造成三端稳压器输出电压变化的关键因素,并理论推导了输出电压和晶体管放大倍数的关系,利用PSPICE软件进行了模拟仿真,结果表明理论曲线和实验现象是基本一致的。 展开更多

关键词 三端稳压器 中子辐射 晶体管 放大倍数

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MOS器件加固技术的理论研究 被引量：1

13

作者 罗尹虹 张正选 +4 位作者 姜景和 姚育娟 何宝平 王桂珍 彭宏论 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2002年第3期276-279,共4页

对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET进行二维数值模拟 ,探讨了掺杂浓度、辐照偏压以及鸟嘴形状 3个关键参数对于器件抗总剂量辐射加固性能的影响。分析得出 ,增加鸟嘴和场氧区下的掺杂浓度、降低辐照栅电压、减小鸟嘴斜率均将有助于降低寄... 对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET进行二维数值模拟 ,探讨了掺杂浓度、辐照偏压以及鸟嘴形状 3个关键参数对于器件抗总剂量辐射加固性能的影响。分析得出 ,增加鸟嘴和场氧区下的掺杂浓度、降低辐照栅电压、减小鸟嘴斜率均将有助于降低寄生泄漏电流 ,提高抗辐射能力。 展开更多

关键词 MOS器件 加固技术 抗辐射加固 掺杂浓度 辐照偏压 鸟嘴形状 抗辐射能力 晶体管

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CMOS器件的x光总剂量效应 被引量：1

14

作者 姚育娟 龚建成 +5 位作者 何宝平 彭宏论 杨海帆 周辉 张正选 郭红霞 《半导体情报》 2000年第5期58-61,共4页

主要介绍了塑料封装和柯伐盖封装的 CMOS器件 ,在不同情况的 x射线辐照下 ,其辐照敏感参数阈值电压随总剂量的变化关系。将 x射线辐照的结果与 60 Co辐照的结果比较得出 ,x射线辐照对器件损伤严重。同时 ,探讨了柯伐盖封装器件的剂量增... 主要介绍了塑料封装和柯伐盖封装的 CMOS器件 ,在不同情况的 x射线辐照下 ,其辐照敏感参数阈值电压随总剂量的变化关系。将 x射线辐照的结果与 60 Co辐照的结果比较得出 ,x射线辐照对器件损伤严重。同时 ,探讨了柯伐盖封装器件的剂量增强效应。 展开更多

关键词 X射线 总剂量 CMOS器件 塑料封装

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重离子单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究 被引量：2

15

作者 贺朝会 耿斌 +4 位作者 王燕萍 彭宏论 杨海亮 陈晓华 李国政 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期228-230,256,共4页

应用 2 52 Cf源和60 Coγ源进行单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究 ,实验结果表明 ,静态加电和不加电状态下 ,γ累积剂量对单粒子翻转截面的影响不大 ,无明显的规律。动态测量状态下 ,在存储单元中写入相同数据时 ,器件的单粒子翻... 应用 2 52 Cf源和60 Coγ源进行单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究 ,实验结果表明 ,静态加电和不加电状态下 ,γ累积剂量对单粒子翻转截面的影响不大 ,无明显的规律。动态测量状态下 ,在存储单元中写入相同数据时 ,器件的单粒子翻转截面随累积剂量的增加而增大。在实验中把存储单元中的数据相反 ,会使器件的单粒子翻转截面恢复到未经 60 Coγ源辐照时的水平 ,甚至更低 。 展开更多

关键词 重离子 γ源 单粒子翻转截面 Γ辐照 半导体器件 钴60 镧252 单粒子效应 γ累积剂量

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湮灭辐射法煤炭灰分旁路测量的实现 被引量：1

16

作者 郭红霞 周辉 +7 位作者 林东生 常永福 彭宏论 杨海帆 常冬梅 姜景和 方文沐 管维新 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期371-374,共4页

本文所述湮灭辐射法煤炭灰分旁路测量装置采用７．４ＧＢｑ６０Ｃｏγ射线反散射方案，通过６０Ｃｏγ射线照射煤样，测出电子对引起的正电子湮灭辐射峰和康普顿反散射峰的强度来确定灰分。这种方法测量精度高（绝对不确定度小于２％）... 本文所述湮灭辐射法煤炭灰分旁路测量装置采用７．４ＧＢｑ６０Ｃｏγ射线反散射方案，通过６０Ｃｏγ射线照射煤样，测出电子对引起的正电子湮灭辐射峰和康普顿反散射峰的强度来确定灰分。这种方法测量精度高（绝对不确定度小于２％），时间短（小于５ｍｉｎ一组数据），可用于国内煤种复杂煤质以次充好的入口检测，也可用于火力电厂煤种类繁多，煤灰分成分变化较大的上炉监测，以便调整进煤量，节约能源，减少污染。 展开更多

关键词 煤灰分 湮灭辐射法 康普顿反散射 旁路测量

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NMOS晶体管的退火特性研究 被引量：1

17

作者 姚育娟 张正选 +2 位作者 彭宏论 何宝平 姜景和 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期481-486,共6页

探讨了加固型CC4 0 0 7经60 Coγ射线辐照后NMOS晶体管的退火特性 ,研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置的变化关系。经相同总剂量辐照的器件 ,高温 10 0℃下的退火速度远大于室温 2 5℃下的退火速度。 2 5～ 2... 探讨了加固型CC4 0 0 7经60 Coγ射线辐照后NMOS晶体管的退火特性 ,研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置的变化关系。经相同总剂量辐照的器件 ,高温 10 0℃下的退火速度远大于室温 2 5℃下的退火速度。 2 5～ 2 50℃下的等时退火 ,其退火程度接近 168h的 10 0℃等温退火。对不同的退火情况 ,退火偏置的作用是相似的 ,+5V栅偏压退火速度大于0V栅偏压和浮空退火速度。对氧化物陷阱电荷的退火及界面态陷阱的产生机理进行了分析 ,并对加速实验方法进行了初步探讨。 展开更多

关键词 等温退火 等时退火 NMOS晶体管 电离辐照

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MOS器件的质子总剂量效应

18

作者 王桂珍 张正选 +3 位作者 姜景和 罗尹红 彭宏论 何宝平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1468-1473,共6页

介绍了几种加固和非加固 MOS电路的质子辐照总剂量效应实验 ,质子束的能量为 9、 7、 5、 2 Me V.实验结果表明 ,在相同的吸收剂量下 ,MOS器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比 .还给出了栅极偏压对器件质子辐射损伤的影响 ,结果认为 ... 介绍了几种加固和非加固 MOS电路的质子辐照总剂量效应实验 ,质子束的能量为 9、 7、 5、 2 Me V.实验结果表明 ,在相同的吸收剂量下 ,MOS器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比 .还给出了栅极偏压对器件质子辐射损伤的影响 ,结果认为 ,对于 NMOSFET,不论是加固器件 ,还是非加固器件 ,在 +5 V的栅压偏置下 ,器件的辐射损伤比 0 V栅压下的损伤严重 ,对于加固器件 ,辐射感生界面态的密度也较高 ;而加固型 PMOSFET,在 0 V的栅压下 ,辐射损伤比 - 5 V下严重 。 展开更多

关键词 总剂量效应 质子 MOS器件 半导体器件

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Burn-in对CMOS器件电离辐射效应的影响

19

作者 彭宏论 王永强 +1 位作者 姚育娟 张正选 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期135-137,共3页

MOS管或 IC在辐照以前 ,使其在较长时间内 (约 2 0 0 h)处于一定的高温 (1 2 0°C)下并加偏压。这一作用会改变器件对电离辐射的响应。器件会产生更大的 N管阈值电压漂移 ,IC会产生更大的漏电流 (一个量级以上 ) ,减小器件的时间参... MOS管或 IC在辐照以前 ,使其在较长时间内 (约 2 0 0 h)处于一定的高温 (1 2 0°C)下并加偏压。这一作用会改变器件对电离辐射的响应。器件会产生更大的 N管阈值电压漂移 ,IC会产生更大的漏电流 (一个量级以上 ) ,减小器件的时间参数退化。Burn- in效应具有很重要的辐射加固方面的意义 :1 )不考虑这个因素会过高估计器件的时间参数的衰退 ,从而淘汰掉一些可用的器件 ;2 )对 展开更多

关键词 Burn-in效应 CMOS器件 电离辐射效应 集成电路

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温度和剂量率对NMOS器件迁移率的影响

20

作者 何宝平 姚育娟 +2 位作者 彭宏论 张正选 姜景和 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期179-181,共3页

对加固型 CC40 0 7NMOS器件进行了低温 ( - 30°C)和室温 ( 2 5°C) γ射线辐射实验、不同剂量率下的γ辐射实验以及不同温度下的退火实验。根据实验结果 ,利用归一化迁移率与界面态电荷的机理模型 ,分析了辐射环境温度、辐射... 对加固型 CC40 0 7NMOS器件进行了低温 ( - 30°C)和室温 ( 2 5°C) γ射线辐射实验、不同剂量率下的γ辐射实验以及不同温度下的退火实验。根据实验结果 ,利用归一化迁移率与界面态电荷的机理模型 ,分析了辐射环境温度、辐射剂量率以及退火温度对 NMOS器件迁移率的影响。 展开更多

关键词 半导体器件 NMOS 迁移率 温度 剂量率

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