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MOS器件^(90)Sr-^(90)Y源电离辐射效应研究 被引量：1

Ionizing Radiation Effects on MOS Devices Irradiated by^(90)Sr^(90) Y Source
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摘要 介绍了利用90Sr-90Y源辐照装置对MOSFET进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验,着重研究了MOSFET的辐照敏感参数随辐照剂量的变化规律,并对实验结果进行了分析讨论。 Ionizing radiation effects on MOSFET′s are investigated by using a 90 Sr 90 Y irradiation source setup at low dose rate.Parameters of the MOSFET sensitive to the total dose radiation are studied in detail.Finally,the experimental results are analyzed and discussed.
作者 罗尹虹 张正选 吴国荣 彭宏论
机构地区 西北核技术研究所
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期31-34,共4页 Microelectronics
关键词 电离辐射效应 MOSFET 辐射源 Ionizing radiation effect MOSFET Radiation hardening Total dose irradiation ^(90)Sr^(90)Y source
分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献4

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  • 3袁仁峰，国外核试验技术，1990年，13卷，1期，29页 被引量：1
  • 4罗尹虹，星载辐射环境下 MOSFET的总剂量辐射效应 [ 被引量：1

共引文献2

同被引文献9

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引证文献1

微电子学
2000年 第1期

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