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Ti/Al/Ni/Au与n型GaN的欧姆接触研究 被引量:5

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摘要 通过电流-电压(I—V)特性和传输线方法(TLM)测量研究在n型CaN上淀积Ti/Al/Ni/Au电极形成欧姆接触的机制。Ni/Au作为Ti/Al的覆盖层起了阻止Ti,Al,Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在400℃到900℃范围内,Ti/Al/Ni/Au与n型GaN的接触电阻随温度升高先略有上升,到500℃以后单调下降。而表面形貌却在合金温度高于600℃以后随温度升高逐步变差。通过两步合金法得到了n—GaN上Ti/Al/Ni/Au形成的接触电阻低达9.65×10^-7Ωcm^2。最后还对两步合金法形成n—GaN欧姆接触的机制进行了讨论。
出处 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2004年第2期36-39,共4页 Chinese High Technology Letters
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参考文献23

  • 1[1]Nakamura S, Mukai T, Senoh M. Jpn J Appl Phys, 1995, 34: L687 被引量:1
  • 2[2]Nakamura S, Senoh M, Naghama S,et al. Jpn J Appl Phys, 1996, 35: 74 被引量:1
  • 3[3]Nakamura S, Senoh M, Nagahama S,et al. Jpn J Appl Phys,1997, 36:L1568 被引量:1
  • 4[4]Smith L L, Davis R F, Kim M J,et al. J Mater Res, 1996, 11:2257 被引量:1
  • 5[5]Ping A T, Khan M A, Adersida I. J Electron Mater, 1996, 25: 819 被引量:1
  • 6[6]Luther B P, Mohney S E, Jackson T N,et al. Appl Phys Lett, 1997, 70: 57 被引量:1
  • 7[7]Lide D R. CRC handbook of chemistry and physics. 77th edn. New York: CRC Press, 1996 被引量:1
  • 8[8]Wu Y F, Jiang W N, Keller B P,et al. Solid-state Electron, 1997, 41:165 被引量:1
  • 9[9]Smith L L, Bremser M D, Carlson E P,et al. Mater Res Soc Symp Proc, 1996, 395:861 被引量:1
  • 10[10]Kaminska E, Piotrowska A, Gaziewicz M,et al. Mater Res Soc Symp Proc, 1997,449:1055 被引量:1

同被引文献40

引证文献5

二级引证文献10

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