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GaN基紫外光探测器研究进展 被引量：9

Research Progress in GaN-based Semiconductor UV Detectors
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摘要 　介绍了不同类型的GaN基半导体光电探测器的结构和性能,回顾了其发展历史,并且综述了GaN基紫外光电探测器的研究新进展。 The structures and performances of various types of GaN-based semiconductor UV detectors are introduced as well as the reviews on their development histories. The latest progress in research on GaN-based semiconductor UV detectors are described in detail.
作者 徐立国 谢雪松 吕长志 冯士维
机构地区 北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期411-416,共6页 Semiconductor Optoelectronics
关键词 GAN 紫外 探测器 光电二极管 GaN UV detector photodiode
分类号 TN36 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献25

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二级参考文献22

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共引文献5

同被引文献47

引证文献9

二级引证文献24

半导体光电
2004年 第6期

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