亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟
摘要
利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟，比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布，并讨论了器件的短沟效应。
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