摘要
推荐单位:中国科学院物理研究所完成单位:中国科学院物理研究所合作单位:北京天科合达半导体股份有限公司成果简介碳化硅(SiC)晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料,在发光器件、电力电子器件、射频微波器件制备等领域具有广泛的应用。但其晶体生长极其困难,只有少数发达国家掌握SiC晶体生长和加工技术。SiC晶体国产化,对避免我国宽禁带半导体产业被“卡脖子”至关重要。
出处
《中国科学院院刊》
CSSCI
CSCD
北大核心
2021年第7期848-849,共2页
Bulletin of Chinese Academy of Sciences
