碳化硅晶体生长的压力模糊PID控制研究被引量：1

Research on pressure fuzzy PID control of silicon carbide crystal growth

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摘要针对碳化硅单晶生长过程中压力控制范围大,控制精度高的需求,改变了常规的PID控制,将模糊PID算法应用到碳化硅单晶生长的压力控制系统中,根据系统压力的测量值和目标值实时的修正控压仪表的PID3个控制参数,并由控压仪表的输出调节真空室和真空泵之间的蝶阀开启比例,保证碳化硅晶体生长中全程压力范围内的压力的精确控制,有助于提高碳化硅单晶的晶体质量。

作者于凯王利杰刘金鑫 YU Kai;WANG Lijie;LIU Jinxin

机构地区中国电子科技集团公司第四十六研究所研究与发展部

出处《自动化应用》 2021年第2期1-3,6,共4页 Automation Application

关键词碳化硅单晶生长模糊PID 压力控制晶体质量

分类号 TP23 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]

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