摘要
5新型GaN基紫外探测器近年来,利用Ga N异质结场效应晶体管的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特征而兴起的Ga N基HEMT探测器,其所具有的灵敏度高、响应速度快、适于极端环境等优点,为实现高性能光电探测器提供了新思路[107]。此外,光电器件中的表面等离激元和表面声波(surface acoustic wave,SAW)等[108]与光子间耦合振荡导致的局部势场增强和散射效应,有效增加了探测器的光谱响应,逐渐成为探索具有高响应度、高探测率GaN光电探测器的研究热点方向。
作者
朱彦旭
李锜轩
谭张杨
李建伟
魏昭
王猜
Zhu Yanxu;Li Qixuan;Tan Zhangyang;Li Jianwei;Wei Zhao;Wang Cai(Key Laboratory of Opto-Electronics Technology,Ministry of Education,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China)
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第6期417-425,439,共10页
Semiconductor Technology
基金
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803)。
