摘要
介绍了材料位移损伤效应研究中的多尺度数值模拟方法,包括第一性原理、分子动力学和动力学蒙特卡罗方法,举例说明了3种方法的作用和模拟结果,指出了半导体材料位移损伤多尺度模拟研究中待研究的问题,为半导体材料的辐射效应研究提供参考。
The multi-scale numerical simulation methods,including the first principles,the molecular dynamics and the dynamics Monte Carlo,used to study the displacement damage in materials are introduced.The effects and the simulation results are illustrated for the three methods,and the problems to be solved in the multi-scale simulation of displacement damage in the semiconductor materials are pointed out.
作者
贺朝会
唐杜
李奎
HE Chao-hui;TANG Du;LI Kui(School of Nuclear Science and Technology,Xi’an Jiaotong University,Xi’an 710049,China)
出处
《现代应用物理》
2018年第2期60-64,共5页
Modern Applied Physics
基金
国家自然科学基金资助项目(11175138
11575138)
