面向14纳米特征尺寸集成电路后段制程的化学机械抛光被引量：3

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摘要随着超大规模集成电路的发展，特征尺寸由目前的22nm逐渐减小至14nm。为了克服由此引发的的一系列问题，铜互连结构发生了巨大变化，包括使用钌替代钽／氮化钽作为阻挡层，使用超低介电常数电介质替代二氧化硅作为绝缘层。上述新型铜互连结构对后段制程的化学机械抛光技术提出了新的挑战，本文针对这些挑战开展了系统的研究。

作者江亮雒建斌

机构地区清华大学

出处《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期46-46,共1页 Journal of Mechanical Engineering

关键词超大规模集成电路化学机械抛光特征尺寸制程纳米超低介电常数互连结构二氧化硅

分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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4张漫路,赵景茂.缓蚀剂协同效应与协同机理的研究进展[J].中国腐蚀与防护学报,2016,36(1):1-10. 被引量：45
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1王玄石,高宝红,曲里京,檀柏梅,牛新环,刘玉岭.IC铜布线CMP过程中缓蚀剂应用的研究进展[J].半导体技术,2019,44(11):863-869. 被引量：7
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1李俊哲.300mm晶圆后段制程发展趋势探讨[J].电子产品世界,2003,10(05B):54-55.
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6铜阻挡层CMP解决方案[J].今日电子,2008(10):119-119.
7李兴.高速发展的化学机械抛光技术[J].半导体杂志,1999,24(3):31-34. 被引量：4
8张竞扬.7nm半导体的制程技术分析[J].集成电路应用,2017,34(2):47-50.
9台积电技术优势之一在于FoWLP封装[J].电子工业专用设备,2016,0(7):50-50.
10江瑞生.集成电路多层结构中的化学机械抛光技术[J].半导体技术,1998,23(1):6-9. 被引量：21

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