半导体物理

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摘要 2001987BiCMOS 结构中阱特性的研究[刊]/鲍荣生//微电子学.—1999,29（5）.—331～335（AC）2001988重掺杂 P 型 Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub> 层中少数载流子浓度的低温特性[刊]/张万荣//微电子学.—1999,29（5）.

出处《电子科技文摘》 2000年第2期23-23,共1页 Sci.& Tech.Abstract

关键词半导体物理微电子学载流子浓度低温特性重掺杂发光学万荣增刊异质结构少数

分类号 TN [电子电信]

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