摘要
本部分共收录论文7篇。其论文题目有:利用氧注入的亚5纳米多厚度栅氧化技术,2GHz 系统级芯片用的多种栅氧化层厚度,具有较高膜强度和较平滑SiO<sub>2</sub>/Si 界面的高可靠 SiO<sub>2</sub>的氧原子团过程,氮化工程对亚10nm 隧道介质的微观应力感生漏电流特性的影响,ULSI 加工用触须器件的可靠性,利用原位快速热处理制备的超薄高质量 Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>栅介质等。
出处
《电子科技文摘》
2000年第1期7-7,共1页
Sci.& Tech.Abstract
