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用双面研磨机代替平面磨床的减薄工艺

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摘要单晶硅是制造半导体硅器件的重要原始材料.单晶硅有两种缺陷:生长缺陷(即原生缺陷)和二次缺陷(即诱生缺陷).如果仅有完美的晶体而没有完美的加工技术,也达不到预想的目的.在器件生产工艺中往往会引进二次缺陷(如氧化层错、外延层错及位错等),直接影响半导体器件的质量和电性能.

作者伍烈城

机构地区上海无线电十七厂

出处《半导体技术》 CAS 1985年第2期29-31,共3页 Semiconductor Technology

关键词平面磨床硅片双面研磨减薄厚度公差尺寸公差

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1985年第2期

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