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硅单晶掺杂技术探讨被引量：1

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摘要一、什么是掺杂硅的本征电阻率很高,约为2.3×10~5欧姆·厘米,而大多数的半导体硅器件诸如硅可控整流器,二极管,晶体管,集成电路等都仅需用N型或P型,电阻率低于200欧姆·厘米的硅单晶。

作者曾世铭

机构地区冶金工业部有色金属研究院

出处《稀有金属》 EI CAS 1979年第3期46-53,共8页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词单晶炉电炉杂质浓度掺杂剂晶体杂质分布电阻率值母合金中间合金区熔法硅单晶掺杂技术

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

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稀有金属

1979年第3期

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