摘要
以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸收光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧（a-SiOx:H）薄膜的微结构及键构型.研究表明,在0.525≤x≤1.58的氧含量范围内,a-SiOx:H薄膜成分和结构不是均一的,依赖于局域键构型氧化程度的不同,大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分,即Si,SiO（:H）,SiO（:H）,SiO2（:H）和SiO2.其中的Si相以非氢化的非晶硅（a-Si）颗粒形式存在,随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在.提出一种多壳层模型来描述a-SiOx:H薄膜的结构,认为a-SiOx:H薄膜中a-Si颗粒依次为Si2O（:H）,SiO（:H）,Si2O3（:H）和SiO2壳层所包围.随薄膜氧含量x的增加,各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变.
出处
《中国科学（A辑）》
CSCD
北大核心
2002年第6期531-537,共7页
Science in China(Series A)
基金
国家自然科学基金(批准号:69976028
29890217)
基础研究国家重点发展计划(批准号:2000028201)资助项目
