期刊文献+

选择性扩散方式对硅基选择性发射极太阳电池性能的影响

The Study of the Selective Emitter Solar Cell Performance Affected by Diffuse Methods
下载PDF
导出
摘要 研究了不同的选择性扩散方式对SE电池短路电流性能的影响。实验结果表明,采用预淀积PSG层的恒定表面杂质总量的扩散方式的SE电池可获得最佳的短路电流特性。通过对扩散工艺的研究发现,不论何种扩散方式,扩散时间的增加均会微弱降低电池短路电流特性;扩散温度的增加均会使电池的短路电流先增加后降低;在恒定表面浓度扩散过程中的氧化作用会导致电池性能的降低。 This paper studies SE solar cell performances affected by different diffuse methods. The experi- ments results show that the diffuse method with constant total dopant by pre-deposition PSG layer can obtain the best ISC performance. Increasing of diffuse time can slight decease the ISC by any diffuse methods. The ISC will enhance firstly, and then decrease with the increasing of the diffuse temperature. In the constant sur- face concentration diffusion process, the oxidation will lead to the battery performance reducing.
出处 《南通职业大学学报》 2013年第3期80-84,共5页 Journal of Nantong Vocational University
基金 国家自然基金青年科学基金(11204145) 江苏省高等学校大学生创新训练计划项目(2012JSSPITP1512) 南通大学自然科学基金项目(12Z036 11Z071)
关键词 杂质掺杂 太阳电池 选择性发射极 扩散方式 impurity doping solar cell selective emitter diffuse method
  • 相关文献

参考文献9

  • 1李志锋,郭宏亮,周雨薇,王强,章国安,张竹青.高温后退火对薄膜太阳能电池光电性能的影响[J].南通大学学报(自然科学版),2012,11(4):7-12. 被引量:1
  • 2王强,张竹青,沈明荣,花国然,张华,李志锋.基于Si_3N_4掩模的太阳电池选择性掺杂工艺研究[J].半导体光电,2013,34(2):259-263. 被引量:5
  • 3Da Ming Chen, Zong Cun Liang. A novel method to achieve se- lective emitter for silicon solar cell using low cost pattern-able a-Si thin films as the semi-transparent phosphorus diffusion bar- rier [J]. Applied Energy, 2012,92:315-321. 被引量:1
  • 4王强,孙树叶,张竹青,花国然.同型异质结埋栅太阳电池设计与仿真研究[J].太阳能学报,2013,34(7):1149-1152. 被引量:4
  • 5Sophie Ledru, Nadine Ruille. One-step screen-printed electrode modified in its bulk with HRP based on direct electron transfer for hydrogen peroxide detection in flow injection mode [J]. Biosensors and Bioelectronics, 2006, 21 ( 8 ) : 1591-1598. 被引量:1
  • 6海博..腐蚀法制备选择性发射极单晶硅太阳能电池的研究[D].北京交通大学,2011:
  • 7施敏,赵鹤鸣.半导体器件物理与工艺.苏州:苏州大学出版社.2004:442-447. 被引量:1
  • 8StephenA.Campbell,微电子制造科学原理与工程技术[M].北京:电子工业出版社,2005:38-40. 被引量:2
  • 9S M Sze. Physics of Semiconductor Devices [M].Central Book Company, 1985 : 112-114. 被引量:1

二级参考文献41

共引文献8

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部