摘要
引入了 RF与微波功率器件及放大器的几个新型仿真技术。这些技术可用来优化数字调制信号激励下电路的线性度、优化甲乙类偏置下电路的效率、同时优化电路性能和器件结温以及优化电路的 4个大信号 S参数和稳定性。几个应用例子说明了这些技术的重要性。
This paper introduces several novel CAD techniques for RF and microwave power devices and circuits.The technologies may be used to optimize the linearity,efficiency,large signal S parameters and both the electric performance and the device temperatures.The application examples demonstrate the techniques.
出处
《半导体情报》
2000年第1期22-26,共5页
Semiconductor Information
关键词
砷化镓
功率电路
优化软件
系统仿真
GaAs power circuits AM/AM AM/PM Harmonic tuning Thermoelectronic coupling Power dependent S-parameters
