Si-SiGe/SiHBT真流特性的解析模型与模拟

Analytical Models and Simulation of DC Characteristics of Si/SiGe/Si HBTs

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摘要在考虑了重掺杂效应、异质结势垒效应、各物理量随温度变化以及背注入空穴电流、ＢＥ结空间电荷区复合电流、中性基区复合电流对基极电流贡献后，对Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的常温和低温直流特性进行了解析模拟．给出了Ｔ＝７７Ｋ和３００Ｋ时的Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴＧｕｍｍｅｌ图和电流增益β与集电极电流密度Ｊｃ的关系．研究了基区少子寿命对的影响．模拟显示，Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ在小电流和中等电流下有良好的常温和低温直流特性，在大电流下，由于异质结势垒效应的存在，电流增益β严重退化．

作者张万荣罗晋生李志国穆甫臣程尧海陈建新沈光地

机构地区北京工业大学电子工程学系

出处《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1998年第2期32-38,共7页 Journal of Beijing University of Technology

基金国家教委博士点基金北京市科技新星计划基金

关键词异质结晶体管直流特性解析模型解析模拟

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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参考文献6

1张万荣,曾峥,罗晋生.Si／SiGe／Si双异质结晶体管异质结势垒效应（HBE）研究[J].电子学报,1996,24(11):43-47. 被引量：12
2张万荣，Cryogenices，1996年，36卷，11期，915页被引量：1
3Liu J J，Jpn J Appl Phys，1994年，33卷，7B期，L990页被引量：1
4Yuan J S，Solid State Electron，1992年，35卷，7期，921页被引量：1
5Kay L E，J Appl Phys，1991年，70卷，3期，1483页被引量：1
6Cottrell P，IEEE Trans Electron Device Lett，1990年，11卷，10期，431页被引量：1

二级参考文献1

1宋南辛，晶体管原理，1980年被引量：1

共引文献11

1赵安邦,谭开洲,吴国增,李荣强,张静,钟怡,刘道广.一种具有高电流增益的平面集成SiGe HBT[J].微电子学,2006,36(5):576-579.
2李蕊.势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响[J].重庆工学院学报,2007,21(15):133-135.
3赵安邦.一种高电流增益的SiGe HBT的研制[J].中国集成电路,2008,17(6):55-60.
4米保良,吴国增.一款微波双极晶体管的设计和实现[J].半导体技术,2008,33(9):780-783. 被引量：1
5李蕊.减弱SiGe HBT势垒效应[J].重庆工学院学报（自然科学版）,2008,22(10):104-106.
6张万荣,李志国,郭伟玲,孙英华,穆甫臣,程尧海,沈光地,罗晋生.Si/SiGe/SiHBT的优化设计[J].半导体技术,1998,23(4):13-18. 被引量：3
7张万荣,罗晋生,李志国,孙英华,穆甫臣,程尧海,陈建新,沈光地.Si/SiGe/Si HBT频率特性的解析模型与模拟[J].固体电子学研究与进展,1998,18(3):291-301. 被引量：2
8米保良,吴国增.SiGe HBT器件的研究设计[J].半导体技术,2010,35(1):58-62. 被引量：1
9张万荣,李志国,王立新,汪东,崔福现,孙英华,程尧海,陈建新,沈光地,罗晋生.Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性[J].电子学报,2001,29(8):1132-1134. 被引量：4
10杨沛锋,李开成,何林,刘道广,张静,李竞春,谢孟贤,杨谟华.Si/SiGe异质结双极晶体管的研制(英文)[J].功能材料与器件学报,2002,8(2):123-127.

1张万荣,罗晋生,李志国,孙英华,穆甫臣,程尧海,陈建新,沈光地.Si/SiGe/Si HBT频率特性的解析模型与模拟[J].固体电子学研究与进展,1998,18(3):291-301. 被引量：2
2何野,曹国祥,王元明.半导体微传感器的模型与模拟[J].固体电子学研究与进展,1990,10(4):341-346.
3弓小武,高玉民,罗晋生.IGBT和VDMOS解析模型和模拟[J].电力电子技术,1996,30(3):94-96. 被引量：4
4李锦秀.解析模拟与数字系统测试[J].现代电视技术,2009(6):134-137.
5孙向阳,高玉民,罗晋生.IGBT闩锁现象的解析模拟[J].微电子学与计算机,1995,12(6):52-56. 被引量：1
6郭宝增.Windows环境下双极晶体管模拟程序设计[J].半导体技术,1997,13(5):17-21.
7刘芳,刘思久,张礼勇.低压电力线载波通信的信道模型与模拟系统[J].哈尔滨理工大学学报,2006,11(4):67-70. 被引量：12
8胡辉勇,张鹤鸣,贾新章,戴显英,宣荣喜.Study on Si-SiGe Three-Dimensional CMOS Integrated Circuits[J].Journal of Semiconductors,2007,28(5):681-685. 被引量：2
9郭宝增.Si-SiGe-Si异质结双极晶体管的数字模拟[J].固体电子学研究与进展,1992,12(4):300-305. 被引量：1
10严北平,孙晓玮,罗晋生.异质结双极晶体管基区复合电流的解析模型[J].半导体情报,1998,35(5):55-59. 被引量：1

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