期刊文献+

化学气相沉积法合成高结晶度的三元系Cd_(1-x)Zn_xS纳米线(英文) 被引量:3

Synthesis of Highly-Crystallized Ternary Cd_(1-x)Zn_xS Nanowires by Chemical Vapor Deposition
下载PDF
导出
摘要 以硫化锌、硫化镉和活性碳粉作为反应物,利用化学气相沉积方法成功合成了单晶Cd1-xZnxS纳米线.为了解产物的结构、形貌、组分、微结构以及声子振动模式,对样品进行了扫描电镜、透射电镜、X射线衍射、能谱分析以及拉曼光谱分析.分析显示合成的纳米线为六方铅锌矿结构,生长方向沿着[210]方向,长度均为10μm,直径在80-100nm之间,x的值约为0.2.拉曼光谱分析显示产物的拉曼峰位与纯CdS相比发生了蓝移. Single crystal Cd1-xZnxS nanowires were directly synthesized by a simple chemical vapor deposition process using ZnS,CdS,and C powders as starting materials. Scanning electron microscopy (SEM),transmission electron microscopy (TEM),X-ray diffraction (XRD),energy dispersive X-ray spectrum (EDXS),and Raman spectrum were used to characterize the morphology,microstructure,composition and phonon modes of the products. It was found that single crystal ternary Cd1-xZnxS nanowires with a composition x of about 0.2 are highly crystallized in a wurtzite structure and grow along the [210] direction with diameters in the range of 80-100 nm and lengths of up to tens of micrometers. Raman spectrum of nanowires showed small blue shifts compared to that of CdS.
出处 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第4期724-728,共5页 Acta Physico-Chimica Sinica
基金 新疆大学博士启动基金(BS060110) 国家自然科学基金(50862008,50702073) 国家高技术研究发展计划(2006AA03A107) 国家重点基础研究发展计划(2007CB936300)资助项目
关键词 Cd1-xZnxS 纳米线 化学气相沉积 Cd1-xZnxS Nanowires Chemical vapour deposition
  • 相关文献

参考文献44

  • 1Li, L. S.; Alivisatos, A. P. Adv. Mater., 2003, 15:408. 被引量:1
  • 2Wang, J.; Gudiksen, M.; Duan, X.; Cui, Y.; Lieber, C. Science, 2001, 293:1455. 被引量:1
  • 3Fang, Y. P.; Xu, A. W.; You, L. P.; Song, R. Q.; Yu, J. C.; Zhang, H. X.; Li, Q.; Liu, H. Q. Adv. Funct. Mater., 2003, 13:955. 被引量:1
  • 4Gudiksen, M. S.; Lauhon, L. J.; Wang, J. F.; Smith, D. C.; Lieber, C. M. Nature, 2002, 415:617. 被引量:1
  • 5Zapien, J. A.; Jiang, Y.; Meng, X. M.; Chen, W.; Au, F. C. K.; Lifshitz, Y.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett., 2004, 84:1189. 被引量:1
  • 6Johnson, J. C.; Yan, H.; Yang, P.; Saykally, R. J. J. Phys. Chem. B, 2003, 107:8816. 被引量:1
  • 7Yan, H. Q.; Johnson, J. C.; Law, M.; He, R. R.; Knusten, K.; Mckinney, J. R.; Pham, J.; Saykally, R.; Yang, P. D. Adv. Mater., 2003, 15:1907. 被引量:1
  • 8Johnson, J. C.; Knusten, K. P.; Yan, H. Q.; Law, M.; Zhang, Y. F.; Yang, P. D.; Saykally, R. J. Nano Lett., 2004, 4:197. 被引量:1
  • 9Jiang, Y.; Meng, X. M.; Liu, J.; Xie, Z. Y.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Adv. Mater., 2003, 15:323. 被引量:1
  • 10Ma, C.; Moore, D.; Li, J.; Wang, Z. L. Adv. Mater., 2003, 15:228. 被引量:1

二级参考文献20

  • 1黄运华,张跃,贺建,戴英,顾有松,纪箴,展晓元,周成.氧化锌纳米带的低温无催化热蒸发制备及其表征[J].物理化学学报,2005,21(3):239-243. 被引量:12
  • 2Velumani, S.; Ascencio, J. A. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process., 2003, 72:236. 被引量:1
  • 3Park, W.; King, J. S.; Neff, C. W.; Liddell, C.; Summers, C. Phys. Status Solidi B, 2002, 229:949. 被引量:1
  • 4Monroy, E.; Omnes, F.; Calle. F. Semicond. Sci. Technol., 2003, 18:R33. 被引量:1
  • 5Bhargava, R. N.; Gallagher, D.; Hong, X.; Nurminkko, D. Phys. Rev. Lett., 1994, 72:416. 被引量:1
  • 6Jiang,Y.; Meng, X. M.; Liu, J.; Xie, Z. Y.; Lee, C. S.; Lee, S. T.Adv. Mater., 2003, 15:323. 被引量:1
  • 7Jiang, Y.; Meng, X. M.; Liu, J.; Hong, Z. R.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Adv. Mater., 2003, 15:1195. 被引量:1
  • 8Zhang, X. H.; Zhang, Y.; Song, Y. P.; Wang, Z.; Yu, D. P. Physica E, 2005, 28:1. 被引量:1
  • 9Zhu, Y. C.; Bando, Y. S.; Xue, D. F.; Golberg, D. J. Am. Chem. Soc., 2003, 125:16196. 被引量:1
  • 10Gong, J. F.; Yang, S. G.; Huang, H. B.; Duan, J. H.; Liu, H. W.; Zhao, X. N.; Zhang, R.; Du, Y. W. Small, 2006, 2:732. 被引量:1

共引文献9

同被引文献54

引证文献3

二级引证文献5

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部