摘要
通过计算几种主要散射机制对GaAs迁移率和电导率的影响,给出了GaAs迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律;考虑常温、低偏置电场下费米能级对载流子浓度的约束,给出了光激励下GaAs中的饱和载流子浓度;结合微带实验测试电路方程、饱和载流子浓度计算结果、半导体迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律,以及半导体材料对激励光强的朗伯吸收规律,给出了微带测试电路条件下的饱和光能和饱和电压等参数,在实验误差范围内,理论计算结果与实验测试结果较好吻合.
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第13期1516-1522,共7页
Chinese Science Bulletin
基金
国家重点实验室基金(编号:YAK200501)
电磁脉冲技术研究(编号:RY0405)资助项目
