期刊文献+

硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学模拟 被引量:6

Molecular Dynamics Simulation on Vacancy-interstitial Annihilation in Silicon
下载PDF
导出
摘要 本文采用分子动力学方法模拟了硅晶体中空位与间隙原子的结合过程.利用Stillinger-Waber三体经验势函数表征原子间的相互作用,采用Verlet积分算法,在VC++环境下使用C++语言编程,进行计算机模拟.结果表明,空位和间隙原子倾向于通过<111>方向结合,并且在运动过程中存在着势垒,势垒值为0.5~1.2eV. Molecular dynamics simulation is performed to study the vacancy-interstitial annihilation in crystalline silicon. We choose the Stillinger-Weber(SW) potential, which is commonly used for silicon, to describe the interaction between atoms. The simulation is calculated by Verlet algorithm and programmed through C++ in the environment of VC ++ . The result shows that 〈 111 〉 is the preferred combination direction and there exists an energy barrier in the motion, the value of which is between 0.5eV and 1.2eV.
出处 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期298-300,共3页 Journal of Materials Science and Engineering
关键词 分子动力学模拟 点缺陷 扩散 molecular dynamic simulation vacancy and interstitial diffusion
  • 相关文献

参考文献9

  • 1Dimitris Maroudas,Robert A Brown.Calculation of thermody-namic and transport properties of intrinsic point defects in silicon[J].Phys.Rev.B,1993,47(23):15562~15577. 被引量:1
  • 2王坚,王绍青.硅团簇熔化行为的紧束缚分子动力学研究[J].物理学报,2003,52(11):2854-2858. 被引量:7
  • 3Meijie Tang,L Colombo,Jing Zhu,T Diazde la rubia.Intrinsic point ddects in crystalline silicon:Tight-binding molecular dynamics studies of self-diffusion interstitial-vacancy reeombin-ation and formation volumes[J].Phys.Rev.B,1997,55(21):14279~14289. 被引量:1
  • 4吴兴惠,项金钟编著..现代材料计算与设计教程[M].北京:电子工业出版社,2002:350.
  • 5Mary T,Zawadaki,Weiwei Luo,Paulette Claney.Tight-binding molecular dynamics study of vacancy-interstitial annihilation in silicon[J].Phys.Rev.B,2001,63(20):205205~205218. 被引量:1
  • 6乔永红,王绍青.硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学研究[J].物理学报,2005,54(10):4827-4835. 被引量:8
  • 7Frank H stininger,Thomas Weber.Computer simulation of local order in condensed phases of silicon[J].Phys.Rev.B,1985,31(8):5262~5271. 被引量:1
  • 8陈舜膦.计算材料科学[M].第一版北京:化学工业出版社,2005,100~105. 被引量:1
  • 9Frenkel & smit[荷兰].分子模拟-从算法到应用[M].第一版.北京:化学工业出版社,2002,57~96. 被引量:1

二级参考文献22

共引文献13

同被引文献118

引证文献6

二级引证文献19

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部