摘要
对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.利用高温快速退火工艺(RTA),将重掺锑硅片在N2,Ar,H2三种不同气氛下进行热处理,对退火前后FPDs的密度变化进行了研究,分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热稳定性.并从重掺杂原子锑与间隙氧之间的关系,分析了重掺锑硅片中FPDs在高温快速退火工艺下的消除机制,认为重掺锑硅单晶中大量的锑原子,影响了硅片中间隙氧的浓度分布,进而影响了原生微缺陷的形成及热行为.
Flow pattern defects（FPDs） in as-grown and rapid thermal annealed heavily Sb-doped silicon wafers was investigated. The experimental results show that the density of FPDs can be reduced after high temperature annealing, and H2 is the most effective annealing atmosphere. The mechanism of elimination of FPDs is also discussed from the relationship between heavily doping Sb and interstitial oxygen concentration. The heavily doping Sb influences not only the distribution of initial oxygen concentration in CZSi wafer, but also the formation and heat behavior of grown-in void defects.
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第10期4863-4866,共4页
Acta Physica Sinica
基金
国家自然科学基金(No.60076001
50032010)
天津市自然科学基金
河北省自然科学基金
河北省教育厅基金资助的课题.~~
