摘要
利用化学干法刻蚀各向同性的特点,本文主要研究化学干法刻蚀中不同的O2/CF4比例对Mo、SiNx和光刻胶刻蚀速率的影响。最后,选用合适的O2/CF4比例在TFT-LCD阵列基板上进行刻孔实验。
By using isotropic characteristics of CDE, the article mainly studies the influence of different O2/CF4 ratio on etching rate of Mo, SiNx and photo resist . Finally, experimentation of etching hole was maken on TFT substrates by selecting suitable O2/CF4 ratio.
出处
《现代显示》
2006年第12期61-63,共3页
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