摘要
采用恒温磁力搅拌的方法,在KOH溶液中湿法刻蚀Si。在掩模层为SiO2时,研究了刻蚀速率随KOH浓度与温度的变化关系。结果表明:在110℃、30%的KOH溶液下,刻蚀Si(100)可以得到4.0μm/min的刻蚀速率,Si(100):SiO2的刻蚀速率比为550:1,Si(100):Si(111)的刻蚀速率比为90:1,而且可以得到光滑的刻蚀表面与形状。
Si was etched with KOH by thermostatic magnetic mixer, and etching rate relation with temperature and concentration of KOH was investigated in the mask of SiO2. The results reveal that a rate of etching Si（100）, Si（100）,SiO2 and Si（100）：Si（111） of 4.0 μm/min, 550：1 and 90：1 respectively, and uniformity etching surface are obtained for a concentration of 30 % KOH （mass fraction） at 110 ℃.
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第12期41-43,46,共4页
Electronic Components And Materials
基金
国家自然科学基金资助项目(60272001)
北京市传感技术中心重点实验室开放课题(53053004)
北京自然科学基金资助项目(4032010)
