摘要
分子束外延(MBE)生长薄膜材料是一种非平衡态生长,生长过程主要由分子束流和晶体表面反应动力学控制。分子束流控制对生长的影响很大,真空蒸发理论导出的平衡蒸气压模型是目前描述分子束流的主要模型之一,但在实际应用中,模型在高蒸气压条件下对束流的描述存在较大偏差,制约生长的薄膜的化学组分均匀性和结构的单晶完整性的提高。本文系统研究了MBE生长HgCdTe薄膜过程的束流情况,采用系综理论,建立巨正则理论模型模拟束流情况,实验表明,相比平衡蒸气压模型,该模型能更准确的描述分子束流的本征物理行为。
The process of growing thin films by molecule beam epitaxy is in labile equilibrium state, and the molecule beam and crystal dynamics are important factors. The equilibrium vapor tension model, the general model simulating the molecule beam transmission is based on the vacuum evaporation theory. Have analyzed the equilibrium vapor tension model, we reported a new model based on the macro canonical ensemble theory. The collected testing data show that the macro canonical ensemble model can characterize the molecule beam transmission behavior more exactly.
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2006年第8期466-469,共4页
Infrared Technology
基金
国家自然科学基金(项目编号:60576069)
关键词
分子束流
系综
巨正则系统
Molecule beam
ensemble theory
macro canonical ensemble
