用于应变硅技术的高应力SiN薄膜的开发
摘要
在高级CMOS器件中，高应力氮化硅（SiN）薄膜是增强应变的主要方法，如果要改善PMOS或NMOS器件性能，则分别需要采用具有压应力和张应力的氮化硅薄膜。我们对相关机理进行了回顾。根据不同的淀积和工艺处理条件的组合，从而得刭了张应力大于1．6GPa和压应力大于2．9GPa的氮化硅薄膜覆盖。
出处
《集成电路应用》
2006年第5期36-39,共4页
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