低温光CVD-SiO_2及SiN薄膜的研究

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摘要本文介绍了在低温(50～200℃)条件下,用光CVD技术制备SiO_2及SiN薄膜的工艺方法.讨论了某些工艺参数与薄膜性质的一些关系,并对光CVD-SiO_2及SiN薄膜的物理性质和电气性质进行了全面的分析.结果表明,这种低温光CVD薄膜在半导体器件工艺中将有广泛的应用.

作者孙建诚

机构地区西安电子科技大学

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期7-14,共8页 Semiconductor Technology

关键词低温光CVD SIO2薄膜 SiN薄膜

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半导体技术

1989年第2期

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