亚ns高速双极ICU型槽隔离多晶硅填槽工艺

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摘要双极集成电路要实现超大规模集成化和高速化,一方面要缩小元件尺寸,另一方面必须改进元件之间的隔离方法.用U型槽隔离技术不仅缩小了实际晶体管的尺寸,而且使寄生电容减小到最低限度,从而提高了电路的性能.基区-发射区(顶部n^+区)面积比已经减小到2,而标准pn结隔离,典型的比值为10,氧化层隔离结构,此比值为5.

作者谢明纲

机构地区中国科学院上海冶金研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期11-12,15,共3页 Semiconductor Technology

关键词双极集成电路 U型槽隔离技术

分类号 TN405.95 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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半导体技术

1989年第1期

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