InP基HEMT器件技术及其在集成电路上的应用

下载PDF

导出

摘要本文报道了用于制造超高过集成电路的０．１μｍ栅长ＩｎＰ基ＨＥＭＴ器件技术。该技术主要包括非合金欧姆接触和具有高重复性和均匀性的Ｔ型栅技术。作为该技术应用于集成电路的例子，本文描述了一个噪声系数为２，６ｄＢ的５０ＧＨｚ低噪声放大器和一个增益为９ｄＢ，带宽为６０ＧＨｚ的分布基带放大器。本文还讨论了挖槽终止层的使用以进一步提高挖槽的重复性。

作者王抗旱

出处《半导体情报》 1995年第2期27-31,共5页 Semiconductor Information

关键词 INP基 HEMT器件集成电路晶体管制造

分类号 TN386.05 [电子电信—物理电子学] TN430.6

引文网络
相关文献

1赵正平.GaAs、InP集成电路技术的发展——1992年IEEE GaAs IC讨论会评述[J].半导体情报,1993,30(1):4-13. 被引量：1
2吴阿慧.InP基HEMT／HBT器件工艺的最新进展[J].半导体情报,1995,32(2):43-46.
3刘亮,尹军舰,李潇,张海英,李海鸥,和致经,刘训春.磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺[J].Journal of Semiconductors,2006,27(11):1970-1973. 被引量：1
4陈立强,张海英,尹军舰,钱鹤,牛洁斌.Lattice-Matched InP-Based HEMTs with T^T of 120GHz [J].Journal of Semiconductors,2005,26(3):472-475. 被引量：2
5张兴宏,夏冠群,徐元森,徐波,杨玉芬,王占国.HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究[J].Journal of Semiconductors,1999,20(4):292-297. 被引量：2
6黄火石.InP基器件与电路的应用备受瞩目[J].世界产品与技术,2003(11):61-66. 被引量：1
7InP基HEMT中漏极电阻退化的偏压加速模型[J].电子产品可靠性与环境试验,2004(3):77-77.
8吴阿慧.InP基HEMT制作的全集成D波段单片振荡－倍频链[J].半导体情报,1995,32(2):36-39.
9李岚,王阳,李晓岚,邵会民,杨瑞霞.化合物半导体器件与电路的研究进展[J].微纳电子技术,2012,49(10):650-653. 被引量：8
10高长征.75～110GHzInP基HEMT单片平衡放大器[J].半导体情报,1995,32(2):40-42.

半导体情报

1995年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...

InP基HEMT器件技术及其在集成电路上的应用

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史