摘要
利用薄膜技术制作的半导体金属氧化物气体传感器阵列是由一个基底上的四个传感器单元组成的。基本结构是在 4英寸的硅片上制作完成的。首先 ,沉积金属铂电极 ,加热棒和温度传感器。其次 ,沉积半导体金属氧化物SnO2 。然后进行传感器阵列电极的焊接 ,封装。最后进行测量 ,测量结果显示了传感器阵列对不同气体甲烷(CH4) ,一氧化碳 (CO) ,氢气 (H2 ) ,二氧化氮 (NO2 )和氨气 (NH3 )的响应。
With four sensing elements on one substrate, the sensor array is fabricated by thin film technology. The base structure is produced on a 4” silicon wafer. The Pt electrodes, Pt heater and Pt temperature sensor are deposited first. The metal-oxide sensitive layer SnO_2 is deposited later. Then the sensor is bonded, housed and measured. The experimental results show the sensor response for different trace gases, methane, carbon monoxide, hydrogen, nitrogen dioxide and ammonia.
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期36-38,共3页
Chinese Journal of Sensors and Actuators
