半导体器件脉冲中子辐射效应—瞬时退火实验研究
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1蒋英杰,贾温海,赵汝清,杨怀民.双极晶体管脉冲中子辐射效应─瞬时退火实验研究[J].核电子学与探测技术,1996,16(1):56-62. 被引量：5
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2王长河.GaAsMESFET和DHEMT的中子辐射效应研究[J].半导体情报,1995,32(4):31-37. 被引量：1
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3金晓明,王园明,杨善潮,马强,刘岩,林东生,陈伟.Geant4在中子辐射效应中的应用[J].原子能科学技术,2012,46(B09):607-610. 被引量：1
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4白小燕,彭宏论,林东生,陈伟,李瑞宾,王桂珍,杨善潮,李斌,郭晓强.商用三端稳压器的中子辐射效应[J].核电子学与探测技术,2010,30(9):1269-1274. 被引量：3
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5刘书焕,林东生,郭晓强,刘红兵,江新标,朱广宁,李达,王祖军,陈伟,张伟,周辉,邵贝贝,李君利.SiGe HBT的脉冲中子及γ辐射效应[J].Journal of Semiconductors,2007,28(1):78-83. 被引量：3
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6罗益民.离子注入硅的线源非相干光瞬时退火温度计算[J].微细加工技术,1993(4):72-76. 被引量：1
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7齐超,杨善潮,刘岩,陈伟,林东生,金晓明,王晨辉.商用CMOS工艺SRAM脉冲中子辐射效应实验[J].太赫兹科学与电子信息学报,2016,14(5):800-804. 被引量：1
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8吴凤美,施毅,杭德生,肖晟,赖启基,赵丽华,李国华,周荷秀.硅二极菅脉冲中子辐照效应的研究[J].南京大学学报（自然科学版）,1995,31(4):548-551.
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9何宝平,张凤祁,姚志斌.浮栅ROM器件γ射线、X射线和中子辐射效应实验研究[J].原子能科学技术,2007,41(4):489-492. 被引量：3
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10陈亮,欧阳晓平,张忠兵,张国光,张建福,张显鹏.光电倍增管对14MeV脉冲中子的直照响应[J].强激光与粒子束,2007,19(2):335-338. 被引量：3
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