摘要
本文介绍了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ的中子辐射效应。依据中子辐射损伤机理，分析了器件参数与中子辐射剂量Φ的依从关系，其中，器件参数包括物理参数Ｎ＿Ｄ、Ｎ＿ｓ、Ｖ＿ｓ，μ和电参数Ｉ＿ＤＳ、ｇ＿ｍ、Ｖ＿ｐ、Ｇ等。
The neutron radiation effects in GaAs MESFET and HEMT are pre- sented in this paper.According to the mechanism of radiation damage,the rela- tion between device parameters and neutron dose Φis discussed.The device pa- rameters indude physical parameters N_D,N_s,V_s,μ,and electronic parameters I_DS,g_m,V_p,G.
出处
《半导体情报》
1995年第4期31-37,共7页
Semiconductor Information
